Visas kategorijas

IGBT modulis 1200V

IGBT modulis 1200V

Sākumlapa /  Produkti /  IGBT modulis /  IGBT modulis 1200V

GD400CLK120C2S, IGBT modulis, griezējs vienā iepakojumā, STARPOWER

1200V 400A, Čopperis vienā iepakojumā

Brand:
STARPOWER
Spu:
GD400CLK120C2S
  • Ievads
  • Kontūra
Ievads

Īss ievads

IGBT modulis , ražots no STARPOWER. 1200V 400A.

Iespējas

  • NPT IGBT tehnoloģija
  • 10 μs īslaicīgas sakārtošanas spēja
  • VCE (sat) ar pozitīvu temperatūras koeficientu
  • Zema induktivitātes kārta
  • Ātrs un mīksts atveseļošanās ātrums pret paralēlu FWD
  • Izolēta vara bāzes plāksne, izmantojot DBC tehnoloģiju

Tipiska Lietojumi

  • Inverteris motora vadībai
  • AC un DC servo dzinēju pastiprinātājs
  • Nepārtraukta strāva nodrošināšana

Absolūta Maksimālā Reitingu rādītāji T C =25 O C ja norādīts atzīmēts

IGBT

Sīkāku informāciju

Apraksts

vērtību

Drošības un drošības politika

V Tips

Sildītājs-izsildītājs

1200

V

V =150 °C

Izslēgšanas-izslēgšanas spriegums

±20

V

I C

Kolektora strāva @ T C =25 O C

@ T C =80 O C

615

400

A

I CM

Impulsu kolektora strāva t p =1ms

800

A

p D

Maksimālā jauda Dissipācija @ T j = 150 O C

2358

Platums

Dioda

Sīkāku informāciju

Apraksts

vērtību

Drošības un drošības politika

V RRM

Atkārtojams maksimālais atkārtots spriegums

1200

V

I F

Dioda nepārtrauktajā priekšējā kursorā īrvalde

400

A

I FM

Diodes maksimālā priekšējā strāva t p =1ms

800

A

modulis

Sīkāku informāciju

Apraksts

vērtību

Drošības un drošības politika

T jmax

Maksimālā savienojuma temperatūra

150

O C

T žop

Darbības savienojuma temperatūra

-40 līdz +125

O C

T STG

uzglabāšanas temperatūra Diapazons

-40 līdz +125

O C

V ISO

Izolācijas spriegums RMS,f=50Hz,t=1 min

2500

V

IGBT raksturlielumi T C =25 O C ja norādīts atzīmēts

Sīkāku informāciju

Parametrs

Testēšanas apstākļi

Min.

Tips.

Max.

Drošības un drošības politika

V CE (sat)

Saņēmējs - emitents

Sātumapstrādes spriegums

I C =400A,V ĢEN Kolektora-emiteru piesātinājums T j =25 O C

2.15

2.60

V

I C =400A,V ĢEN Kolektora-emiteru piesātinājums T j =125 O C

2.65

V ĢEN (ts )

Vārda emitenta slieksnis Spriegums

I C =4,0 mA ,V CE = V ĢEN , T j =25 O C

5.2

5.7

6.2

V

I Tips

Kolektors Izgriežts -Izslēgt

Pašreiz

V CE = V Tips ,V ĢEN =0V,

T j =25 O C

5.0

mA

I =150 °C

Izslēguma emitenta noplūde Pašreiz

V ĢEN = V =150 °C ,V CE =0V, T j =25 O C

400

nA

r Gint

Iekšējā vārtu pretestība - - - -

0.5

Ω

C 125 °C

ies

V CE =25V, f=1MHz,

V ĢEN =0V

26.2

MHz

C pretestība

Atgriezītais pārvedums

Jauda

1.68

MHz

Q G

nF

V ĢEN =- 15...+15V

4.18

μC

T D (ieslēgta )

Slēgšanas kavējuma laiks

V CC = 600V,I C =400A, r G = 2,2Ω,

V ĢEN =±15V, T j =25 O C

392

ns

T r

Atkāpšanās laiks

129

ns

T D (Izslēgt )

Izslēgt Atlikušais laiks

567

ns

T F

Nolieku laiks

143

ns

E ieslēgta

Slēgt Pārslēgšana

zaudējumi

8.40

mJ

E Izslēgt

Izslēgtas

zaudējumi

37.3

mJ

T D (ieslēgta )

Slēgšanas kavējuma laiks

V CC = 600V,I C =400A, r G = 2,2Ω,

V ĢEN =±15V, T j = 125O C

395

ns

T r

Atkāpšanās laiks

135

ns

T D (Izslēgt )

Izslēgt Atlikušais laiks

604

ns

T F

Nolieku laiks

154

ns

E ieslēgta

Slēgt Pārslēgšana

zaudējumi

12.0

mJ

E Izslēgt

Izslēgtas

zaudējumi

42.7

mJ

I SC

SC dati

T p ≤ 10 μs,V ĢEN Kolektora-emiteru piesātinājums

T j =125 O C,V CC = 900V, V CEM ≤ 1200V

2400

A

Dioda raksturlielumi T C =25 O C ja norādīts atzīmēts

Sīkāku informāciju

Parametrs

Testēšanas apstākļi

Min.

Tips.

Max.

Drošības un drošības politika

V F

Diode uz priekšu

Spriegums

I F =400A,V ĢEN =0V,T j =25 O C

1.80

2.25

V

I F =400A,V ĢEN =0V,T j = 125O C

1.85

Q r

Atgūstamā nodeva

V CC = 600V,I F =400A,

-di/dt=2840A/μs,V ĢEN =±15V, T j =25 O C

35.2

μC

I RM

Augstais augstums

atgūšanas strāvas

246

A

E Rec

Atgriezeniska atgūšana enerģija

17.1

mJ

Q r

Atgūstamā nodeva

V CC = 600V,I F =400A,

-di/dt=2840A/μs,V ĢEN =±15V, T j = 125O C

56.0

μC

I RM

Augstais augstums

atgūšanas strāvas

312

A

E Rec

Atgriezeniska atgūšana enerģija

26.3

mJ

modulis raksturlielumi T C =25 O C ja norādīts atzīmēts

Sīkāku informāciju

Parametrs

Min.

Tips.

Max.

Drošības un drošības politika

r TJC

Savienojums ar lietu (par IGB) T)

Savienojums ar kārtu (par D) jods)

0.053

0.103

K/W

r tCH

Izmērs: IGBT)

Izmantojiet šo metodi, lai noteiktu temperatūras līmeni. diodes)

Izmērs: Modulis)

0.048

0.094

0.032

K/W

m

terminala savienojuma griezes moments, M6 skrūvis Monta griezes moments, M6 skrūvis

2.5

3.0

5.0

5.0

N.m.

G

Svars of modulis

350

G

Kontūra

image(c3756b8d25).png

Iegūstiet bezmaksas piedāvājumu

Mūsu pārstāvis drīz sazināsies ar jums.
Email
Vārds
Uzņēmuma nosaukums
Ziņojums
0/1000

SAISTĪTS PRODUKTS

Vai jums ir jautājumi par kādiem produktiem?

Mūsu profesionālā pārdošanas komanda gaida jūsu konsultāciju.
Jūs varat sekot viņu produktu sarakstam un uzdot jebkādus jautājumus, kas jums rūp.

Iegūstiet piedāvājumu

Iegūstiet bezmaksas piedāvājumu

Mūsu pārstāvis drīz sazināsies ar jums.
Email
Vārds
Uzņēmuma nosaukums
Ziņojums
0/1000