Visas kategorijas

IGBT modulis 1200V

IGBT modulis 1200V

Sākumlapa /  Produkti /  IGBT modulis /  IGBT modulis 1200V

GD400CEY120C2S, IGBT modulis, STARPOWER

1200V 400A

Brand:
STARPOWER
Spu:
GD400CEY120C2S
  • Ievads
  • Kontūra
Ievads

Īss ievads

IGBT modulis , ražots no STARPOWER. 1200V 400A.

Iespējas

  • Zema VCE (sat) trenažas IGBT tehnoloģija
  • 10 μs īslaicīgas sakārtošanas spēja
  • VCE (sat) ar pozitīvu temperatūras koeficientu
  • Maksimālā savienojuma temperatūra 175oC
  • Zema induktivitātes kārta
  • Ātrs un mīksts atveseļošanās ātrums pret paralēlu FWD
  • Izolēta vara bāzes plāksne, izmantojot DBC tehnoloģiju

Tipiska Lietojumi

  • Inverteris motora vadībai
  • AC un DC servo dzinēju pastiprinātājs
  • Nepārtraukta strāva nodrošināšana

Absolūta Maksimālā Reitingu rādītāji T C =25 O C ja norādīts atzīmēts

IGBT

Sīkāku informāciju

Apraksts

vērtību

Drošības un drošības politika

V Tips

Sildītājs-izsildītājs

1200

V

V =150 °C

Izslēgšanas-izslēgšanas spriegums

±20

V

I C

Kolektora strāva @ T C =25 O C

@ T C = 100O C

630

400

A

I CM

Impulsu kolektora strāva t p =1ms

800

A

p D

Maksimālā jauda Dissipācija @ T =175 O C

2083

Platums

Dioda

Sīkāku informāciju

Apraksts

vērtību

Drošības un drošības politika

V RRM

Atkārtojams maksimālais atkārtots spriegums

1200

V

I F

Dioda nepārtrauktajā priekšējā kursorā īrvalde

400

A

I FM

Diodes maksimālā priekšējā strāva t p =1ms

800

A

modulis

Sīkāku informāciju

Apraksts

vērtību

Drošības un drošības politika

T jmax

Maksimālā savienojuma temperatūra

175

O C

T žop

Darbības savienojuma temperatūra

-40 līdz +150

O C

T STG

uzglabāšanas temperatūra Diapazons

-40 līdz +125

O C

V ISO

Izolācijas spriegums RMS,f=50Hz,t= 1 min.

4000

V

IGBT raksturlielumi T C =25 O C ja norādīts atzīmēts

Sīkāku informāciju

Parametrs

Testēšanas apstākļi

Min.

Tips.

Max.

Drošības un drošības politika

V CE (sat)

Saņēmējs - emitents

Sātumapstrādes spriegums

I C =400A,V ĢEN Kolektora-emiteru piesātinājums T j =25 O C

1.70

2.15

V

I C =400A,V ĢEN Kolektora-emiteru piesātinājums T j =125 O C

1.95

I C =400A,V ĢEN Kolektora-emiteru piesātinājums T j = 150 O C

2.00

V ĢEN (ts )

Vārda emitenta slieksnis Spriegums

I C = 10.0mA,V CE =V ĢEN , T j =25 O C

5.2

6.0

6.8

V

I Tips

Kolektors Izgriežts -Izslēgt

Pašreiz

V CE = V Tips ,V ĢEN =0V,

T j =25 O C

5.0

mA

I =150 °C

Izslēguma emitenta noplūde Pašreiz

V ĢEN = V =150 °C ,V CE =0V, T j =25 O C

400

nA

r Gint

Iekšējā vārtu pretestība - - - -

1.9

Ω

T D (ieslēgta )

Slēgšanas kavējuma laiks

V CC = 600V,I C =400A, r G =2.0Ω,

V ĢEN =±15V, T j =25 O C

257

ns

T r

Atkāpšanās laiks

96

ns

T D (Izslēgt )

Izslēgt Atlikušais laiks

628

ns

T F

Nolieku laiks

103

ns

E ieslēgta

Slēgt Pārslēgšana

zaudējumi

23.5

mJ

E Izslēgt

Izslēgtas

zaudējumi

34.0

mJ

T D (ieslēgta )

Slēgšanas kavējuma laiks

V CC = 600V,I C =400A, r G =2.0Ω,

V ĢEN =±15V, T j = 125O C

268

ns

T r

Atkāpšanās laiks

107

ns

T D (Izslēgt )

Izslēgt Atlikušais laiks

659

ns

T F

Nolieku laiks

144

ns

E ieslēgta

Slēgt Pārslēgšana

zaudējumi

35.3

mJ

E Izslēgt

Izslēgtas

zaudējumi

51.5

mJ

T D (ieslēgta )

Slēgšanas kavējuma laiks

V CC = 600V,I C =400A, r G =2.0Ω,

V ĢEN =±15V, T j = 150O C

278

ns

T r

Atkāpšanās laiks

118

ns

T D (Izslēgt )

Izslēgt Atlikušais laiks

680

ns

T F

Nolieku laiks

155

ns

E ieslēgta

Slēgt Pārslēgšana

zaudējumi

38.5

mJ

E Izslēgt

Izslēgtas

zaudējumi

56.7

mJ

I SC

SC dati

T p ≤ 10 μs,V ĢEN Kolektora-emiteru piesātinājums

T j = 150 O C,V CC = 900V, V CEM ≤ 1200V

1600

A

Dioda raksturlielumi T C =25 O C ja norādīts atzīmēts

Sīkāku informāciju

Parametrs

Testēšanas apstākļi

Min.

Tips.

Max.

Drošības un drošības politika

V F

Diode uz priekšu

Spriegums

I F =400A,V ĢEN =0V,T j =25 O C

1.65

2.10

V

I F =400A,V ĢEN =0V,T j = 125O C

1.65

I F =400A,V ĢEN =0V,T j = 150O C

1.65

Q r

Atgūstamā nodeva

V r = 600V,I F =400A,

-di/dt=5000A/μs,V ĢEN =- 15V T j =25 O C

38.0

μC

I RM

Augstais augstums

atgūšanas strāvas

285

A

E Rec

Atgriezeniska atgūšana enerģija

19

mJ

Q r

Atgūstamā nodeva

V r = 600V,I F =400A,

-di/dt=5000A/μs,V ĢEN =- 15V T j = 125O C

66.5

μC

I RM

Augstais augstums

atgūšanas strāvas

380

A

E Rec

Atgriezeniska atgūšana enerģija

36.6

mJ

Q r

Atgūstamā nodeva

V r = 600V,I F =400A,

-di/dt=5000A/μs,V ĢEN =- 15V T j = 150O C

76.0

μC

I RM

Augstais augstums

atgūšanas strāvas

399

A

E Rec

Atgriezeniska atgūšana enerģija

41.8

mJ

modulis raksturlielumi T C =25 O C ja norādīts atzīmēts

Sīkāku informāciju

Parametrs

Min.

Tips.

Max.

Drošības un drošības politika

Garums CE

Neatklāta induktantība

20

nH

r CC+EE

Modulā "Slēpuma pretestība" Nce, termināls uz čipu

0.35

r TJC

Savienojums ar lietu (par IGB) T)

Savienojums ar korpusu (par Di) ode)

0.072

0.095

K/W

r tCH

Izmērs: IGBT)

Izmantojiet šo metodi, lai noteiktu temperatūras līmeni. diodes)

Izmērs: Modulis)

0.035

0.046

0.010

K/W

m

terminala savienojuma griezes moments, M6 skrūvis Monta griezes moments, M6 skrūvis

2.5

3.0

5.0

5.0

N.m.

G

Svars of modulis

300

G

Kontūra

image(c3756b8d25).png

Iegūstiet bezmaksas piedāvājumu

Mūsu pārstāvis drīz sazināsies ar jums.
Email
Vārds
Uzņēmuma nosaukums
Ziņojums
0/1000

SAISTĪTS PRODUKTS

Vai jums ir jautājumi par kādiem produktiem?

Mūsu profesionālā pārdošanas komanda gaida jūsu konsultāciju.
Jūs varat sekot viņu produktu sarakstam un uzdot jebkādus jautājumus, kas jums rūp.

Iegūstiet piedāvājumu

Iegūstiet bezmaksas piedāvājumu

Mūsu pārstāvis drīz sazināsies ar jums.
Email
Vārds
Uzņēmuma nosaukums
Ziņojums
0/1000