IGBT modulis 1200V

Sīkāku informāciju

Apraksts

Vērtības

Drošības un drošības politika

V Tips

Sildītājs-izsildītājs

1200

V

V =150 °C

Izslēgšanas-izslēgšanas spriegums

±20

V

I C

Kolektora strāva @ T C =25 O C

@ T C = 100O C

483

300

A

I CM

Impulsu kolektora strāva t p =1ms

600

A

p D

Maksimālā jauda Dissipācija @ T =175 O C

1612

Platums

Sīkāku informāciju

Apraksts

Vērtības

Drošības un drošības politika

V RRM

Atkārtojams maksimālais atkārtots spriegums

1200

V

I F

Dioda nepārtrauktajā priekšējā kursorā īrvalde

300

A

I FM

Diodes maksimālā priekšējā strāva t p =1ms

600

A

Sīkāku informāciju

Apraksts

Vērtības

Drošības un drošības politika

V Tips

Sildītājs-izsildītājs

650

V

V =150 °C

Izslēgšanas-izslēgšanas spriegums

±20

V

I C

Kolektora strāva @ T C =25 O C

@ T C =60 O C

372

300

A

I CM

Impulsu kolektora strāva t p =1ms

600

A

p D

Maksimālā jauda Dissipācija @ T =175 O C

920

Platums

Sīkāku informāciju

Apraksts

Vērtības

Drošības un drošības politika

V RRM

Atkārtojams maksimālais atkārtots spriegums

650

V

I F

Dioda nepārtrauktajā priekšējā kursorā īrvalde

300

A

I FM

Diodes maksimālā priekšējā strāva t p =1ms

600

A

Sīkāku informāciju

Apraksts

Vērtības

Drošības un drošības politika

T jmax

Maksimālā savienojuma temperatūra

175

O C

T žop

Darbības savienojuma temperatūra

-40 līdz +150

O C

T STG

uzglabāšanas temperatūra Diapazons

-40 līdz +125

O C

V ISO

Izolācijas spriegums RMS,f=50Hz,t=1 min

4000

V

Sīkāku informāciju

Parametrs

Testēšanas apstākļi

Min.

Tips.

Max.

Drošības un drošības politika

V CE (sat)

Saņēmējs - emitents

Sātumapstrādes spriegums

I C = 300A,V ĢEN Kolektora-emiteru piesātinājums T j =25 O C

1.70

2.15

V

I C = 300A,V ĢEN Kolektora-emiteru piesātinājums T j =125 O C

1.95

I C = 300A,V ĢEN Kolektora-emiteru piesātinājums T j = 150 O C

2.00

V ĢEN (ts )

Vārda emitenta slieksnis Spriegums

I C = 7,50 mA ,V CE = V ĢEN , T j =25 O C

5.2

6.0

6.8

V

I Tips

Kolektors Izgriežts -Izslēgt

Pašreiz

V CE = V Tips ,V ĢEN =0V,

T j =25 O C

1.0

mA

I =150 °C

Izslēguma emitenta noplūde Pašreiz

V ĢEN = V =150 °C ,V CE =0V, T j =25 O C

400

nA

r Gint

Iekšējā vārtu pretestība - - - -

2.5

Ω

C 125 °C

ies

V CE =25V, f=1MHz,

V ĢEN =0V

21.0

MHz

C pretestība

Atgriezītais pārvedums

Jauda

1.20

MHz

Q G

nF

V ĢEN =-15...+15V

2.60

μC

T D (ieslēgta )

Slēgšanas kavējuma laiks

V CC = 600V,I C = 300A, r G = 1.3Ω,

V ĢEN =±15V, T j =25 O C

182

ns

T r

Atkāpšanās laiks

54

ns

T D (Izslēgt )

Izslēgt Atlikušais laiks

464

ns

T F

Nolieku laiks

72

ns

E ieslēgta

Slēgt Pārslēgšana

zaudējumi

10.6

mJ

E Izslēgt

Izslēgtas

zaudējumi

25.8

mJ

T D (ieslēgta )

Slēgšanas kavējuma laiks

V CC = 600V,I C = 300A, r G = 1.3Ω,

V ĢEN =±15V, T j = 125O C

193

ns

T r

Atkāpšanās laiks

54

ns

T D (Izslēgt )

Izslēgt Atlikušais laiks

577

ns

T F

Nolieku laiks

113

ns

E ieslēgta

Slēgt Pārslēgšana

zaudējumi

16.8

mJ

E Izslēgt

Izslēgtas

zaudējumi

38.6

mJ

T D (ieslēgta )

Slēgšanas kavējuma laiks

V CC = 600V,I C = 300A, r G = 1.3Ω,

V ĢEN =±15V, T j = 150O C

203

ns

T r

Atkāpšanās laiks

54

ns

T D (Izslēgt )

Izslēgt Atlikušais laiks

618

ns

T F

Nolieku laiks

124

ns

E ieslēgta

Slēgt Pārslēgšana

zaudējumi

18.5

mJ

E Izslēgt

Izslēgtas

zaudējumi

43.3

mJ

I SC

SC dati

T p ≤ 10 μs,V ĢEN Kolektora-emiteru piesātinājums

T j = 150 O C,V CC = 900V, V CEM ≤ 1200V

1200

A

Sīkāku informāciju

Parametrs

Testēšanas apstākļi

Min.

Tips.

Max.

Vienības

V F

Diode uz priekšu

Spriegums

I C = 300A,V ĢEN =0V,T j =25 O C

1.65

2.10

V

I C = 300A,V ĢEN =0V,T j =125 O C

1.65

I C = 300A,V ĢEN =0V,T j = 150 O C

1.65

Q r

Atgūstas

Uzlāde

V CC = 600V,I F = 300A,

-di/dt=6050A/μs,V ĢEN =-15V, T j =25 O C

29

μC

I RM

Augstais augstums

atgūšanas strāvas

318

A

E Rec

Atgriezeniska atgūšana enerģija

18.1

mJ

Q r

Atgūstas

Uzlāde

V CC = 600V,I F = 300A,

-di/dt=6050A/μs,V ĢEN =-15V, T j = 125O C

55

μC

I RM

Augstais augstums

atgūšanas strāvas

371

A

E Rec

Atgriezeniska atgūšana enerģija

28.0

mJ

Q r

Atgūstas

Uzlāde

V CC = 600V,I F = 300A,

-di/dt=6050A/μs,V ĢEN =-15V, T j = 150O C

64

μC

I RM

Augstais augstums

atgūšanas strāvas

390

A

E Rec

Atgriezeniska atgūšana enerģija

32.8

mJ

Sīkāku informāciju

Parametrs

Testēšanas apstākļi

Min.

Tips.

Max.

Drošības un drošības politika

V CE (sat)

Saņēmējs - emitents

Sātumapstrādes spriegums

I C = 300A,V ĢEN Kolektora-emiteru piesātinājums T j =25 O C

1.45

1.90

V

I C = 300A,V ĢEN Kolektora-emiteru piesātinājums T j =125 O C

1.60

I C = 300A,V ĢEN Kolektora-emiteru piesātinājums T j = 150 O C

1.70

V ĢEN (ts )

Vārda emitenta slieksnis Spriegums

I C =4,8 mA ,V CE = V ĢEN , T j =25 O C

5.1

5.8

6.5

V

I Tips

Kolektors Izgriežts -Izslēgt

Pašreiz

V CE = V Tips ,V ĢEN =0V,

T j =25 O C

1.0

mA

I =150 °C

Izslēguma emitenta noplūde Pašreiz

V ĢEN = V =150 °C ,V CE =0V, T j =25 O C

400

nA

r Gint

Iekšējā vārtu pretestība - - - -

1.0

Ω

C 125 °C

ies

V CE =25V, f=1MHz,

V ĢEN =0V

17.1

MHz

C pretestība

Atgriezītais pārvedums

Jauda

0.51

MHz

Q G

nF

V ĢEN =-15 ﹍+15V

2.88

μC

T D (ieslēgta )

Slēgšanas kavējuma laiks

V CC = 300V,I C = 300A, r G =2,4Ω,

V ĢEN =±15V, T j =25 O C

88

ns

T r

Atkāpšanās laiks

40

ns

T D (Izslēgt )

Izslēgt Atlikušais laiks

294

ns

T F

Nolieku laiks

43

ns

E ieslēgta

Slēgt Pārslēgšana

zaudējumi

1.34

mJ

E Izslēgt

Izslēgtas

zaudējumi

8.60

mJ

T D (ieslēgta )

Slēgšanas kavējuma laiks

V CC = 300V,I C = 300A, r G =2,4Ω,

V ĢEN =±15V, T j =125 O C

96

ns

T r

Atkāpšanās laiks

48

ns

T D (Izslēgt )

Izslēgt Atlikušais laiks

312

ns

T F

Nolieku laiks

60

ns

E ieslēgta

Slēgt Pārslēgšana

zaudējumi

1.86

mJ

E Izslēgt

Izslēgtas

zaudējumi

10.8

mJ

T D (ieslēgta )

Slēgšanas kavējuma laiks

V CC = 300V,I C = 300A, r G =2,4Ω,

V ĢEN =±15V, T j = 150 O C

104

ns

T r

Atkāpšanās laiks

48

ns

T D (Izslēgt )

Izslēgt Atlikušais laiks

318

ns

T F

Nolieku laiks

60

ns

E ieslēgta

Slēgt Pārslēgšana

zaudējumi

1.98

mJ

E Izslēgt

Izslēgtas

zaudējumi

11.3

mJ

I SC

SC dati

T p ≤ 6 μs, V ĢEN Kolektora-emiteru piesātinājums

T j = 150 O C,V CC =360V, V CEM ≤ 650V

1500

A

Sīkāku informāciju

Parametrs

Testēšanas apstākļi

Min.

Tips.

Max.

Drošības un drošības politika

V F

Diode uz priekšu

Spriegums

I F = 300A,V ĢEN =0V,T j =25 O C

1.55

1.95

V

I F = 300A,V ĢEN =0V,T j =125 O C

1.50

I F = 300A,V ĢEN =0V,T j = 150 O C

1.45

Q r

Atgūstas

Uzlāde

V r = 300V,I F = 300A,

-di/dt=7150A/μs,V ĢEN =-15V T j =25 O C

14.3

μC

I RM

Augstais augstums

atgūšanas strāvas

209

A

E Rec

Atgriezeniska atgūšana enerģija

3.74

mJ

Q r

Atgūstas

Uzlāde

V r = 300V,I F = 300A,

-di/dt=7150A/μs,V ĢEN =-15V T j =125 O C

26.4

μC

I RM

Augstais augstums

atgūšanas strāvas

259

A

E Rec

Atgriezeniska atgūšana enerģija

6.82

mJ

Q r

Atgūstas

Uzlāde

V r = 300V,I F = 300A,

-di/dt=7150A/μs,V ĢEN =-15V T j = 150 O C

30.8

μC

I RM

Augstais augstums

atgūšanas strāvas

275

A

E Rec

Atgriezeniska atgūšana enerģija

7.70

mJ

Sīkāku informāciju

Parametrs

Min.

Tips.

Max.

Drošības un drošības politika

r TJC

Savienojums ar korpusu (par T1, T2 IGBT)

Savienojums ar korpusu (par D1,D2 Dio) de)

Savienojums ar korpusu (par T3, T4 IGBT)

Savienojums ar korpusu (par D3,D4 Dio) de)

0.093

0.158

0.163

0.299

K/W

r tCH

Izmērs: T1,T2 IGBT)

Izmantojiet šo metodi, lai noteiktu, vai ir iespējams izmantot elektrisko ierīci. Diodēns)

Izmērs: T3,T4 IGBT)

Izmantojiet šo metodi, lai noteiktu, vai ir nepieciešams izmantot elektrisko ierīci. Diodēns)

Izmērs: Modulis)

0.050

0.083

0.087

0.160

0.010

K/W

m

terminala savienojuma griezes moments, M6 skrūvis Monta griezes moments, M6 skrūvis

2.5

3.0

5.0

5.0

N.m.

G

Svars of modulis

340

G