IGBT modulis 1200V

Sīkāku informāciju

Apraksts

vērtību

Drošības un drošības politika

V Tips

Sildītājs-izsildītājs

1200

V

V =150 °C

Izslēgšanas-izslēgšanas spriegums

±20

V

I C

Kolektora strāva @ T C =25 O C

@ T C = 100O C

540

300

A

I CM

Impulsu kolektora strāva t p =1ms

600

A

p D

Maksimālā jauda Dissipācija @ T =175 O C

1948

Platums

Sīkāku informāciju

Apraksts

vērtību

Drošības un drošības politika

V RRM

Atkārtojams maksimālais atkārtots spriegums

1200

V

I F

Dioda nepārtrauktajā priekšējā kursorā īrvalde

300

A

I FM

Diodes maksimālā priekšējā strāva t p =1ms

600

A

Sīkāku informāciju

Apraksts

vērtību

Drošības un drošības politika

V Tips

Sildītājs-izsildītājs

650

V

V =150 °C

Izslēgšanas-izslēgšanas spriegums

±20

V

I C

Kolektora strāva @ T C =25 O C

@ T C =80 O C

415

300

A

I CM

Impulsu kolektora strāva t p =1ms

600

A

p D

Maksimālā jauda Dissipācija @ T =175 O C

1086

Platums

Sīkāku informāciju

Apraksts

vērtību

Drošības un drošības politika

V RRM

Atkārtojams maksimālais atkārtots spriegums

650

V

I F

Dioda nepārtrauktajā priekšējā kursorā īrvalde

300

A

I FM

Diodes maksimālā priekšējā strāva t p =1ms

600

A

Sīkāku informāciju

Apraksts

vērtību

Drošības un drošības politika

T jmax

Maksimālā savienojuma temperatūra

175

O C

T žop

Darbības savienojuma temperatūra

-40 līdz +150

O C

T STG

uzglabāšanas temperatūra Diapazons

-40 līdz +125

O C

V ISO

Izolācijas spriegums RMS,f=50Hz,t=1 min

2500

V

Sīkāku informāciju

Parametrs

Testēšanas apstākļi

Min.

Tips.

Max.

Drošības un drošības politika

V CE (sat)

Saņēmējs - emitents

Sātumapstrādes spriegums

I C = 300A,V ĢEN Kolektora-emiteru piesātinājums T j =25 O C

1.70

2.15

V

I C = 300A,V ĢEN Kolektora-emiteru piesātinājums T j =125 O C

2.00

I C = 300A,V ĢEN Kolektora-emiteru piesātinājums T j = 150 O C

2.10

V ĢEN (ts )

Vārda emitenta slieksnis Spriegums

I C = 12,0 mA,V CE =V ĢEN , T j =25 O C

5.0

5.8

6.5

V

I Tips

Kolektors Izgriežts -Izslēgt

Pašreiz

V CE = V Tips ,V ĢEN =0V,

T j =25 O C

1.0

mA

I =150 °C

Izslēguma emitenta noplūde Pašreiz

V ĢEN = V =150 °C ,V CE =0V, T j =25 O C

100

nA

r Gint

Iekšējā vārtu pretestība - - - -

2.5

Ω

C 125 °C

ies

V CE =25V, f=1MHz,

V ĢEN =0V

21.5

MHz

C pretestība

Atgriezītais pārvedums

Jauda

0.98

MHz

Q G

nF

V ĢEN =- 15...+15V

2.80

μC

T D (ieslēgta )

Slēgšanas kavējuma laiks

V CC = 600V,I C = 300A, r G =2,4Ω,

V ĢEN =±15V, T j =25 O C

250

ns

T r

Atkāpšanās laiks

90

ns

T D (Izslēgt )

Izslēgt Atlikušais laiks

550

ns

T F

Nolieku laiks

130

ns

E ieslēgta

Slēgt Pārslēgšana

zaudējumi

17.0

mJ

E Izslēgt

Izslēgtas

zaudējumi

29.5

mJ

T D (ieslēgta )

Slēgšanas kavējuma laiks

V CC = 600V,I C = 300A, r G =2,4Ω,

V ĢEN =±15V, T j = 125O C

300

ns

T r

Atkāpšanās laiks

100

ns

T D (Izslēgt )

Izslēgt Atlikušais laiks

650

ns

T F

Nolieku laiks

180

ns

E ieslēgta

Slēgt Pārslēgšana

zaudējumi

25.0

mJ

E Izslēgt

Izslēgtas

zaudējumi

44.0

mJ

T D (ieslēgta )

Slēgšanas kavējuma laiks

V CC = 600V,I C = 300A, r G =2,4Ω,

V ĢEN =±15V, T j = 150O C

320

ns

T r

Atkāpšanās laiks

100

ns

T D (Izslēgt )

Izslēgt Atlikušais laiks

680

ns

T F

Nolieku laiks

190

ns

E ieslēgta

Slēgt Pārslēgšana

zaudējumi

27.5

mJ

E Izslēgt

Izslēgtas

zaudējumi

48.5

mJ

I SC

SC dati

T p ≤ 10 μs,V ĢEN Kolektora-emiteru piesātinājums

T j = 150 O C,V CC = 900V, V CEM ≤ 1200V

1200

A

Sīkāku informāciju

Parametrs

Testēšanas apstākļi

Min.

Tips.

Max.

Drošības un drošības politika

V F

Diode uz priekšu

Spriegums

I F = 300A,V ĢEN =0V,T j =25 O C

1.65

2.10

V

I F = 300A,V ĢEN =0V,T j = 125O C

1.65

I F = 300A,V ĢEN =0V,T j = 150O C

1.65

Q r

Atgūstas

Uzlāde

V r = 600V,I F = 300A,

-di/dt=6000A/μs,V ĢEN =- 15V T j =25 O C

30.0

μC

I RM

Augstais augstums

atgūšanas strāvas

210

A

E Rec

Atgriezeniska atgūšana enerģija

14.0

mJ

Q r

Atgūstas

Uzlāde

V r = 600V,I F = 300A,

-di/dt=6000A/μs,V ĢEN =- 15V T j = 125O C

56.0

μC

I RM

Augstais augstums

atgūšanas strāvas

270

A

E Rec

Atgriezeniska atgūšana enerģija

26.0

mJ

Q r

Atgūstas

Uzlāde

V r = 600V,I F = 300A,

-di/dt=6000A/μs,V ĢEN =- 15V T j = 150O C

62.0

μC

I RM

Augstais augstums

atgūšanas strāvas

290

A

E Rec

Atgriezeniska atgūšana enerģija

28.5

mJ

Sīkāku informāciju

Parametrs

Testēšanas apstākļi

Min.

Tips.

Max.

Drošības un drošības politika

V CE (sat)

Saņēmējs - emitents

Sātumapstrādes spriegums

I C = 300A,V ĢEN Kolektora-emiteru piesātinājums T j =25 O C

1.45

1.90

V

I C = 300A,V ĢEN Kolektora-emiteru piesātinājums T j =125 O C

1.60

I C = 300A,V ĢEN Kolektora-emiteru piesātinājums T j = 150 O C

1.70

V ĢEN (ts )

Vārda emitenta slieksnis Spriegums

I C =4,8 mA ,V CE = V ĢEN , T j =25 O C

5.1

5.8

6.4

V

I Tips

Kolektors Izgriežts -Izslēgt

Pašreiz

V CE = V Tips ,V ĢEN =0V,

T j =25 O C

5.0

mA

I =150 °C

Izslēguma emitenta noplūde Pašreiz

V ĢEN = V =150 °C ,V CE =0V, T j =25 O C

400

nA

r Gint

Iekšējā vārtu pretestība - - - -

1.0

Ω

C 125 °C

ies

V CE =25V, f=1MHz,

V ĢEN =0V

18.5

MHz

C pretestība

Atgriezītais pārvedums

Jauda

0.55

MHz

Q G

nF

V ĢEN =- 15V ...+15V

3.22

μC

T D (ieslēgta )

Slēgšanas kavējuma laiks

V CC = 300V,I C = 300A, r G =2,4Ω,

V ĢEN =±15V, T j =25 O C

110

ns

T r

Atkāpšanās laiks

50

ns

T D (Izslēgt )

Izslēgt Atlikušais laiks

490

ns

T F

Nolieku laiks

50

ns

E ieslēgta

Slēgt Pārslēgšana

zaudējumi

2.13

mJ

E Izslēgt

Izslēgtas

zaudējumi

9.83

mJ

T D (ieslēgta )

Slēgšanas kavējuma laiks

V CC = 300V,I C = 300A, r G =2,4Ω,

V ĢEN =±15V, T j =125 O C

120

ns

T r

Atkāpšanās laiks

60

ns

T D (Izslēgt )

Izslēgt Atlikušais laiks

520

ns

T F

Nolieku laiks

70

ns

E ieslēgta

Slēgt Pārslēgšana

zaudējumi

3.10

mJ

E Izslēgt

Izslēgtas

zaudējumi

12.0

mJ

T D (ieslēgta )

Slēgšanas kavējuma laiks

V CC = 300V,I C = 300A, r G =2,4Ω,

V ĢEN =±15V, T j = 150 O C

130

ns

T r

Atkāpšanās laiks

60

ns

T D (Izslēgt )

Izslēgt Atlikušais laiks

530

ns

T F

Nolieku laiks

70

ns

E ieslēgta

Slēgt Pārslēgšana

zaudējumi

3.30

mJ

E Izslēgt

Izslēgtas

zaudējumi

12.5

mJ

I SC

SC dati

T p ≤ 6 μs, V ĢEN Kolektora-emiteru piesātinājums

T j = 150 O C,V CC =360V, V CEM ≤ 650V

1500

A

Sīkāku informāciju

Parametrs

Testēšanas apstākļi

Min.

Tips.

Max.

Drošības un drošības politika

V F

Diode uz priekšu

Spriegums

I F = 300A,V ĢEN =0V,T j =25 O C

1.55

2.00

V

I F = 300A,V ĢEN =0V,T j = 125O C

1.50

I F = 300A,V ĢEN =0V,T j = 150O C

1.45

Q r

Atgūstas

Uzlāde

V r = 300V,I F = 300A,

-di/dt=6500A/μs,V ĢEN =- 15V T j =25 O C

13.0

μC

I RM

Augstais augstums

atgūšanas strāvas

190

A

E Rec

Atgriezeniska atgūšana enerģija

3.40

mJ

Q r

Atgūstas

Uzlāde

V r = 300V,I F = 300A,

-di/dt=6500A/μs,V ĢEN =- 15V T j = 125O C

24.0

μC

I RM

Augstais augstums

atgūšanas strāvas

235

A

E Rec

Atgriezeniska atgūšana enerģija

6.20

mJ

Q r

Atgūstas

Uzlāde

V r = 300V,I F = 300A,

-di/dt=6500A/μs,V ĢEN =- 15V T j = 150O C

28.0

μC

I RM

Augstais augstums

atgūšanas strāvas

250

A

E Rec

Atgriezeniska atgūšana enerģija

7.00

mJ

Sīkāku informāciju

Parametrs

Min.

Tips.

Max.

Drošības un drošības politika

r TJC

Savienojums ar korpusu (par T1, T2 IGBT)

Savienojums ar korpusu (par D1,D2 Dio) de)

Savienojums ar korpusu (par T3, T4 IGBT)

Savienojums ar korpusu (par D3,D4 Dio) de)

0.077

0.141

0.138

0.237

K/W

r tCH

Izmērs: T1,T2 IGBT)

Izmantojiet šo metodi, lai noteiktu, vai ir iespējams izmantot elektrisko ierīci. Diodēns)

Izmērs: T3,T4 IGBT)

Izmantojiet šo metodi, lai noteiktu, vai ir nepieciešams izmantot elektrisko ierīci. Diodēns)

Izmērs: Modulis)

0.136

0.249

0.244

0.419

0.028

K/W

m

Monta griezes moments, M6 skrūvis

terminala savienojuma griezes moments, M5 skrūvis

3.0

2.5

6.0

5.0

N.m.