Visas kategorijas

IGBT modulis 1200V

IGBT modulis 1200V

Sākumlapa /  Produkti /  IGBT modulis /  IGBT modulis 1200V

GD300TLT120C2S, IGBT modulis, 3-līmeņu vienā iepakojumā, STARPOWER

IGBT moduļi, 1200V 300A; 3 līmeņa komplekts

Brand:
STARPOWER
Spu:
GD300TLT120C2S
  • Ievads
  • Kontūra
Ievads

Īss ievads

IGBT modulis , 1200V 300A, 3-līmeņu vienā iepakojumā, ražots ar STARPOWER.

Iespējas

  • Zema VCE (sat) trenažas IGBT tehnoloģija
  • 10 μs īslaicīgas sakārtošanas spēja
  • VCE (sat) ar pozitīvu temperatūras koeficientu
  • Maksimālā savienojuma temperatūra 175℃
  • Zema induktivitātes kārta
  • Ātrs un mīksts atveseļošanās ātrums pret paralēlu FWD
  • Izolēta vara bāzes plāksne, izmantojot DBC tehnoloģiju

Tipiska Lietojumi

  • Saulrasēja enerģija
  • UPS

ti T2 IGBT T C =25 °C ja norādīts atzīmēts

Maksimālās nominālās vērtības

Sīkāku informāciju

Apraksts

GD300TLT120C2S

Vienības

V Tips

Sildītājs-izsildītājs @ T j =25 °C

1200

V

V =150 °C

Izslēgšanas-izslēgšanas spriegums @ T j =25 °C

±20

V

I C

Kolektora strāva @ T C =25 °C

@ T C = 100°C

480

300

A

I CM

Impulsu kolektora strāva t p =1 Lūdzu

600

A

p tot

Kopējā jaudas izkliede @ T j =175 °C

1630

Platums

Neattīrīti

Sīkāku informāciju

Parametrs

Testēšanas apstākļi

Min.

Tips.

Max.

Vienības

V (BR )Tips

Sadarbības partneris

Slēgšanas spriegums

T j =25 °C

1200

V

I Tips

Kolektors Izgriežts -Izslēgt

Pašreiz

V CE = V Tips ,V ĢEN =0V, T j =25 °C

5.0

mA

I =150 °C

Izslēguma emitenta noplūde Pašreiz

V ĢEN = V =150 °C ,V CE =0V, T j =25 °C

400

nA

Par raksturlielumiem

Sīkāku informāciju

Parametrs

Testēšanas apstākļi

Min.

Tips.

Max.

Vienības

V ĢEN (ts )

Vārda emitenta slieksnis Spriegums

I C = 12,0 mA,V CE =V ĢEN , T j =25 °C

5.0

5.8

6.5

V

V CE (sat)

Saņēmējs - emitents

Sātumapstrādes spriegums

I C = 300A,V ĢEN Kolektora-emiteru piesātinājums T j =25 °C

1.70

2.15

V

I C = 300A,V ĢEN Kolektora-emiteru piesātinājums T j =125 °C

2.00

Izmaiņas īpašībās

Sīkāku informāciju

Parametrs

Testēšanas apstākļi

Min.

Tips.

Max.

Vienības

T D (ieslēgta )

Slēgšanas kavējuma laiks

V CC = 600V,I C = 300A, r G =2,4Ω,

V ĢEN =±15V, T j =25 °C

250

ns

T r

Atkāpšanās laiks

90

ns

T D (Izslēgt )

Izslēgt Atlikušais laiks

550

ns

T F

Nolieku laiks

130

ns

E ieslēgta

Slēgt Pārslēgšana zaudējumi

16.9

mJ

E Izslēgt

Izslēgtas zaudējumi

29.4

mJ

T D (ieslēgta )

Slēgšanas kavējuma laiks

V CC = 600V,I C = 300A, r G =2,4Ω,

V ĢEN =±15V, T j =125 °C

300

ns

T r

Atkāpšanās laiks

100

ns

T D (Izslēgt )

Izslēgt Atlikušais laiks

650

ns

T F

Nolieku laiks

180

ns

E ieslēgta

Slēgt Pārslēgšana zaudējumi

25.1

mJ

E Izslēgt

Izslēgtas zaudējumi

43.9

mJ

C 125 °C

ies

V CE =25V, f=1MHz,

V ĢEN =0V

21.5

MHz

C pretestība

Atgriezītais pārvedums

Jauda

0.98

MHz

Q G

nF

V CC = 600V,I C = 300A, V ĢEN =-15 +15V

2.8

nC

r Gint

Iekšējais vārtu pretestība

2.5

Ω

I SC

SC dati

T p ≤ 10 μs,V ĢEN =15 V,

T j =125 °C,V CC = 900V, V CEM ≤ 1200V

1200

A

ti T2 Dioda T C =25 °C ja norādīts atzīmēts

Maksimālās nominālās vērtības

Sīkāku informāciju

Apraksts

GD300TLT120C2S

Vienības

V RRM

Atkārtota maksimālā reversā sprieguma @ T j =25 °C

1200

V

I F

DC priekšējā strāva

300

A

I Diodes uzpriekšējā strāva

Atkārtota maksimālā priekšējā strāva t p =1ms

600

A

Raksturlielumu vērtības

Sīkāku informāciju

Parametrs

Testēšanas apstākļi

Min.

Tips.

Max.

Vienības

V F

Diode uz priekšu

Spriegums

I F = 300A,

V ĢEN =0V

T j =25 °C

1.65

2.15

V

T j =125 °C

1.65

Q r

Atgūstamā nodeva

I F = 300A,

V r =600V,

r G =2,4Ω,

V ĢEN =-15V

T j =25 °C

30

μC

T j =125 °C

55

I RM

Augstais augstums

atgūšanas strāvas

T j =25 °C

210

A

T j =125 °C

270

E Rec

Atgriezeniska atgūšana enerģija

T j =25 °C

13.9

mJ

T j =125 °C

26.1

T3,T4 IGBT T C =25 °C ja norādīts atzīmēts

Maksimālās nominālās vērtības

Sīkāku informāciju

Apraksts

GD300TLT120C2S

Vienības

V Tips

Sildītājs-izsildītājs @ T j =25 °C

650

V

V =150 °C

Izslēgšanas-izslēgšanas spriegums @ T j =25 °C

±20

V

I C

Kolektora strāva @ T C =25 °C

@ T C = 100°C

480

300

A

I CM

Impulsu kolektora strāva t p =1 Lūdzu

600

A

p tot

Kopējā jaudas izkliede @ T j =175 °C

1071

Platums

Neattīrīti

Sīkāku informāciju

Parametrs

Testēšanas apstākļi

Min.

Tips.

Max.

Vienības

V (BR )Tips

Sadarbības partneris

Slēgšanas spriegums

T j =25 °C

650

V

I Tips

Kolektors Izgriežts -Izslēgt

Pašreiz

V CE = V Tips ,V ĢEN =0V, T j =25 °C

5.0

mA

I =150 °C

Izslēguma emitenta noplūde Pašreiz

V ĢEN = V =150 °C ,V CE =0V, T j =25 °C

400

nA

Par raksturlielumiem

Sīkāku informāciju

Parametrs

Testēšanas apstākļi

Min.

Tips.

Max.

Vienības

V ĢEN (ts )

Vārda emitenta slieksnis Spriegums

I C =13,2 mA ,V CE = V ĢEN , T j =25 °C

5.5

7.7

V

V CE (sat)

Saņēmējs - emitents

Sātumapstrādes spriegums

I C = 300A,V ĢEN Kolektora-emiteru piesātinājums T j =25 °C

1.50

1.95

V

I C = 300A,V ĢEN Kolektora-emiteru piesātinājums T j =175 °C

1.80

Izmaiņas īpašībās

Sīkāku informāciju

Parametrs

Testēšanas apstākļi

Min.

Tips.

Max.

Vienības

T D (ieslēgta )

Slēgšanas kavējuma laiks

V CC = 300V,I C = 300A, r G = 2,5Ω,

V ĢEN =±15V, T j =25 °C

125

ns

T r

Atkāpšanās laiks

320

ns

T D (Izslēgt )

Izslēgt Atlikušais laiks

270

ns

T F

Nolieku laiks

135

ns

E ieslēgta

Slēgt Pārslēgšana zaudējumi

3.20

mJ

E Izslēgt

Izslēgtas zaudējumi

12.2

mJ

T D (ieslēgta )

Slēgšanas kavējuma laiks

V CC = 300V,I C = 300A, r G = 2,5Ω,

V ĢEN =±15V, T j =125 °C

110

ns

T r

Atkāpšanās laiks

320

ns

T D (Izslēgt )

Izslēgt Atlikušais laiks

320

ns

T F

Nolieku laiks

145

ns

E ieslēgta

Slēgt Pārslēgšana zaudējumi

3.50

mJ

E Izslēgt

Izslēgtas zaudējumi

12.8

mJ

C 125 °C

ies

V CE =30V,f=1MHz,

V ĢEN =0V

25.9

MHz

C pretestība

Atgriezītais pārvedums

Jauda

0.68

MHz

Q G

nF

V CC = 300V,I C = 300A, V ĢEN =15V

590

nC

r Gint

Iekšējais vārtu pretestība

1.0

Ω

I SC

SC dati

T p ≤ 6 μs, V ĢEN Kolektora-emiteru piesātinājums

T j =125 °C,V CC =360V, V CEM ≤ 650V

3600

A

T3,T4 Dioda T C =25 °C ja norādīts atzīmēts

Maksimālās nominālās vērtības

Sīkāku informāciju

Apraksts

GD300TLT120C2S

Vienības

V RRM

Atkārtota maksimālā reversā sprieguma @ T j =25 °C

650

V

I F

DC priekšējā strāva

300

A

I Diodes uzpriekšējā strāva

Atkārtota maksimālā priekšējā strāva t p =1ms

600

A

Raksturlielumu vērtības

Sīkāku informāciju

Parametrs

Testēšanas apstākļi

Min.

Tips.

Max.

Vienības

V F

Diode uz priekšu

Spriegums

I F = 300A,

V ĢEN =0V

T j =25 °C

1.40

1.80

V

T j =125 °C

1.40

Q r

Atgūstamā nodeva

I F = 300A,

V r = 300 V,

r G =4,7Ω,

V ĢEN =-15V

T j =25 °C

12.0

μC

T j =125 °C

21.2

I RM

Augstais augstums

atgūšanas strāvas

T j =25 °C

153

A

T j =125 °C

185

E Rec

Atgriezeniska atgūšana enerģija

T j =25 °C

2.65

mJ

T j =125 °C

5.12

IGBT modulis

Sīkāku informāciju

Parametrs

Min.

Tips.

Max.

Vienības

V ISO

Izolācijas spriegums RMS,f=50Hz,t= 1 min.

4000

V

r θ JC

Savienojums ar korpusu (par T1, T2 IGBT)

Savienojums ar korpusu (par T1,T2 Diodēns)

Savienojums ar korpusu (par T3, T4 IGBT)

Savienojums ar korpusu (par T3,T4) Diodēns)

0.092

0.158

0.137

0.236

K/W

r θ CS

"Case-to-Sink" (vadītais tauku aplikācija) (izmantots)

0.035

K/W

T jmax

Maksimālā savienojuma temperatūra

175

°C

T žop

Darbības savienojuma temperatūra

-40

150

°C

T STG

uzglabāšanas temperatūra Diapazons

-40

125

°C

m

terminala savienojuma griezes moments, M6 skrūvis Monta griezes moments, M6 skrūvis

2.5

3.0

5.0

5.0

N.m.

G

Masas modulis

340

G

Kontūra

image(a7f8d9193b).png

Iegūstiet bezmaksas piedāvājumu

Mūsu pārstāvis drīz sazināsies ar jums.
Email
Vārds
Uzņēmuma nosaukums
Ziņojums
0/1000

SAISTĪTS PRODUKTS

Vai jums ir jautājumi par kādiem produktiem?

Mūsu profesionālā pārdošanas komanda gaida jūsu konsultāciju.
Jūs varat sekot viņu produktu sarakstam un uzdot jebkādus jautājumus, kas jums rūp.

Iegūstiet piedāvājumu

Iegūstiet bezmaksas piedāvājumu

Mūsu pārstāvis drīz sazināsies ar jums.
Email
Vārds
Uzņēmuma nosaukums
Ziņojums
0/1000