IGBT modulis 1200V

Sīkāku informāciju

Apraksts

GD2400SGL120C3S

Vienības

V Tips

Sildītājs-izsildītājs

1200

V

V =150 °C

Izslēgšanas-izslēgšanas spriegums

± 20

V

I C

@ T C =25 °C

@ T C =80 °C

3400

A

2400

I CM (1)

Impulsu kolektora strāva t p = Diodes maksimālā uzpriekšējā

4800

A

I F

Dioda nepārtraukta tālvadība

2400

A

I FM

Dioda maksimālais priekšējais krustpunkts īrvalde

4800

A

p D

Maksimālā jauda Dissipācija @ T j = 150°C

10.4

KW

T j

Maksimālā savienojuma temperatūra

-40 līdz +150

°C

T STG

Uzglabāšanas temperatūras diapazons

-40 līdz +125

°C

V ISO

Izolācijas spriegums RMS,f=50Hz,t=1min

2500

V

Montāža

Sistēmas signāla termināls Šķirbju:M4

Jaudas termināls Šķirbju:M8

1.8 līdz 2.1

8.0 līdz 10

N.m.

Nomākšanas

Montāža Šķirbju:M6

4.25 līdz 5.75

Sīkāku informāciju

Parametrs

Testēšanas apstākļi

Min.

Tips.

Max.

Vienības

V (BR )Tips

Sadarbības partneris

Slēgšanas spriegums

T j =25 °C

1200

V

I Tips

Kolektors Izgriežts -Izslēgt Pašreiz

V CE = V Tips ,V ĢEN =0V, T j =25 °C

5.0

mA

I =150 °C

Izslēguma emitenta noplūde

Pašreiz

V ĢEN = V =150 °C ,V CE =0V, T j =25 °C

400

nA

Sīkāku informāciju

Parametrs

Testēšanas apstākļi

Min.

Tips.

Max.

Vienības

V ĢEN (ts )

Vārda emitenta slieksnis

Spriegums

I C =96.0 mA ,V CE = V ĢEN , T j =25 °C

5.0

6.3

7.0

V

V CE (sat)

Saņēmējs - emitents

Sātumapstrādes spriegums

I C =2400A,V ĢEN Kolektora-emiteru piesātinājums T j =25 °C

2.00

2.45

V

I C =2400A,V ĢEN Kolektora-emiteru piesātinājums T j = 125°C

2.20

Sīkāku informāciju

Parametrs

Testēšanas apstākļi

Min.

Tips.

Max.

Vienības

Q G

nF

V ĢEN =- 15...+15V

24.5

μC

r Gint

iekšējais vārtu pretests

T j =25 °C

0.13

Ω

T D (ieslēgta )

Slēgšanas kavējuma laiks

V CC = 600V,I C =2400A, r Goff =0.43Ω,

V ĢEN = ± 15V,T j =25 °C

210

ns

T r

Atkāpšanās laiks

80

ns

T D (Izslēgt )

Izslēgt Atlikušais laiks

480

ns

T F

Nolieku laiks

60

ns

E ieslēgta

Slēgt Izmaiņas zaudējumi

260

mJ

E Izslēgt

Izslēgšanas slēgšanas zudums

155

mJ

T D (ieslēgta )

Slēgšanas kavējuma laiks

V CC = 600V,I C =2400A, r G =0.43Ω,

V ĢEN = ± 15V,T j = 125°C

250

ns

T r

Atkāpšanās laiks

85

ns

T D (Izslēgt )

Izslēgt Atlikušais laiks

550

ns

T F

Nolieku laiks

90

ns

E ieslēgta

Slēgt Izmaiņas zaudējumi

360

mJ

E Izslēgt

Izslēgšanas slēgšanas zudums

250

mJ

C 125 °C

ies

V CE =25V, f=1MHz,

V ĢEN =0V

170

MHz

C ejs

Izvades jauda

11.4

MHz

C pretestība

Atgriezītais pārvedums

Jauda

7.52

MHz

I SC

SC dati

T s C ≤ 10 μs, V ĢEN Kolektora-emiteru piesātinājums T j =125 °C V CC = 900V, V CEM ≤ 1200V

TBD

A

Garums CE

Neatklāta induktantība

12

nH

r CC + EE ’

Modula vedlejuma pretestība c) termināls uz čipu

0.19

m Ω

Sīkāku informāciju

Parametrs

Testēšanas apstākļi

Min.

Tips.

Max.

Vienības

V F

Diode uz priekšu

Spriegums

I F =2400A

T j =25 °C

1.80

2.20

V

T j = 125°C

1.85

Q r

Atgūstamā nodeva

I F =2400A,

V r =600V,

r G =0.43Ω,

V ĢEN =- 15V

T j =25 °C

315

μC

T j = 125°C

530

I RM

Atgriezeniska atgūšana Pašreiz

T j =25 °C

2000

A

T j = 125°C

2700

E Rec

Atgriezeniska atgūšana enerģija

T j =25 °C

115

mJ

T j = 125°C

240

Sīkāku informāciju

Parametrs

Tips.

Max.

Vienības

r θ JC

Savienojums ar lietu (par IGB) T)

12

K/kW

r θ JC

Savienojums ar korpusu (par Di) ode)

22

K/kW

r θ CS

Korpuss uz siltuma izkliedētāju

(Pielieto konduktīva tauku, Modulis)

6

K/kW

Svars

Svars of modulis

1500

G