IGBT Modulis, GD1600SGT120C3S, STARPOWER

IGBT modulis,GD1600SGT120C3S,STARPOWER

1200V 1600A

Brand:

STARPOWER

Spu:

GD1600SGT120C3S

Īss ievads

IGBT modulis , ražots no STARPOWER. 1200V 1600A.

Iespējas

Tipiska Lietojumi

Absolūta Maksimālā Reitingu rādītāji T C =25 °C ja norādīts atzīmēts

Sīkāku informāciju	Apraksts	GD1600SGT120C3S	Vienības
V Tips	Sildītājs-izsildītājs	1200	V
V =150 °C	Izslēgšanas-izslēgšanas spriegums	±20	V
I C	Kolektora strāva @ T C =25 °C @ T C =80 °C	2600 1600	A
I CM	Impulsu kolektora strāva t p =1 Lūdzu	3200	A
I F	Dioda nepārtrauktajā priekšējā kursorā īrvalde @ T C =80 °C	1600	A
I FM	Diodes maksimālā priekšējā strāva t p =1ms	3200	A
p D	Maksimālā jauda Dissipācija @ T j =1 75°C	8.43	KW
T jmax	Maksimālā savienojuma temperatūra	175	°C
T STG	uzglabāšanas temperatūra Diapazons	-40 līdz +125	°C
V ISO	Izolācijas spriegums RMS,f=50Hz,t=1 min	4000	V
Montāža Nomākšanas	Signāla termināla skrūve:M4	1.8 līdz 2.1
	Jaudas termināla skrūve:M8	8.0 līdz 10	N.m.
	Pievienošanas skrūvs:M6	4.25 līdz 5.75

Elektromekhāniskais raksturlielumi of IGBT T C =25 °C ja norādīts atzīmēts

Neattīrīti

Sīkāku informāciju	Parametrs	Testēšanas apstākļi	Min.	Tips.	Max.	Vienības
V (BR )Tips	Sadarbības partneris Slēgšanas spriegums	T j =25 °C	1200			V
I Tips	Kolektors Izgriežts -Izslēgt Pašreiz	V CE = V Tips ,V ĢEN =0V, T j =25 °C			5.0	mA
I =150 °C	Izslēguma emitenta noplūde Pašreiz	V ĢEN = V =150 °C ,V CE =0V, T j =25 °C			400	nA

Par raksturlielumiem

Sīkāku informāciju	Parametrs	Testēšanas apstākļi	Min.	Tips.	Max.	Vienības
V ĢEN (ts )	Vārda emitenta slieksnis Spriegums	I C =64 mA ,V CE = V ĢEN , T j =25 °C	5.0	5.8	6.5	V
V CE (sat)	Saņēmējs - emitents Sātumapstrādes spriegums	I C = 1600A,V ĢEN Kolektora-emiteru piesātinājums T j =25 °C		1.70	2.15	V
V CE (sat)	Saņēmējs - emitents Sātumapstrādes spriegums	I C = 1600A,V ĢEN Kolektora-emiteru piesātinājums T j =125 °C		2.00		V

Izmaiņas īpašībās

Sīkāku informāciju	Parametrs	Testēšanas apstākļi	Min.	Tips.	Max.	Vienības
T D (ieslēgta )	Slēgšanas kavējuma laiks	V CC = 600V,I C =1600A, r Gons =1,6Ω, r Goff =0,2Ω, V ĢEN =±15V,T j =25 °C		601		ns
T r	Atkāpšanās laiks			225		ns
T D (Izslēgt )	Izslēgt Atlikušais laiks			830		ns
T F	Nolieku laiks			155		ns
E ieslēgta	Slēgt Pārslēgšana zaudējumi			/		mJ
E Izslēgt	Izslēgtas zaudējumi			/		mJ
T D (ieslēgta )	Slēgšanas kavējuma laiks	V CC = 600V,I C = 1600A, r Gons = 1,6Ω,R Goff =0,2Ω, V ĢEN =±15V,T j =125 °C		665		ns
T r	Atkāpšanās laiks			225		ns
T D (Izslēgt )	Izslēgt Atlikušais laiks			970		ns
T F	Nolieku laiks			180		ns
E ieslēgta	Slēgt Pārslēgšana zaudējumi			326		mJ
E Izslēgt	Izslēgtas zaudējumi			251		mJ
C 125 °C	ies	V CE =25V, f=1MHz, V ĢEN =0V		115		MHz
C ejs	Izvades jauda			6.03		MHz
C pretestība	Atgriezītais pārvedums Jauda			5.23		MHz
I SC	SC dati	T p ≤ 10 μs,V ĢEN =15 V, T j =125 °C, V CC = 900V, V CEM ≤ 1200V		6400		A
r Gint	Iekšējā vārtu pretestība - - - -			1.6		Ω
Garums CE	Neatklāta induktantība			15		nH
r CC+EE	Modula vads pretestība, termināls uz čipu			0.10		mΩ

Elektromekhāniskais raksturlielumi of Dioda T C =25 °C ja norādīts atzīmēts

Sīkāku informāciju	Parametrs	Testēšanas apstākļi		Min.	Tips.	Max.	Vienības
V F	Diode uz priekšu Spriegums	I F = 1600A	T j =25 °C		1.65	2.05	V
V F	Diode uz priekšu Spriegums	I F = 1600A	T j =125 °C		1.65		V
Q r	Atgūstas Uzlāde	I F = 1600A, V r =600V, r G = 0,45Ω, V ĢEN =-15V	T j =25 °C		160		μC
Q r	Atgūstas Uzlāde		T j =125 °C		300		μC
I RM	Augstais augstums atgūšanas strāvas		T j =25 °C		1100		A
I RM	Augstais augstums atgūšanas strāvas		T j =125 °C		1400		A
E Rec	Atgriezeniska atgūšana enerģija		T j =25 °C		72		mJ
E Rec	Atgriezeniska atgūšana enerģija		T j =125 °C		136		mJ

Termisko raksturlielumu rādītājs ics

Sīkāku informāciju	Parametrs	Tips.	Max.	Vienības
r θ JC	Savienojums ar lietu (par IGB) T)		17.8	K/kW
r θ JC	Savienojums ar kārtu (par D) jods)		31.0	K/kW
r θ CS	"Case-to-Sink" (vadītais tauku aplikācija) (izmantots)	6		K/kW
Svars	Svars modulis	1500		G