IGBT Discrete

Sīkāku informāciju

Apraksts

Vērtības

Drošības un drošības politika

VTips

Sildītājs-izsildītājs

1200

V

V=150 °C

Izslēgšanas-izslēgšanas spriegums

±20

V

IC

Kolektora strāva @ TC=25OC @ TC=100OC

150

75

A

ICM

Pulss Kolektors Pašreiz  Tp  ierobežotas Ar Tvjmax

225

A

pD

Maksimālā jauda Dissipācija @ Tvj=175OC

852

Platums

Sīkāku informāciju

Apraksts

Vērtības

Drošības un drošības politika

VRRM

Atkārtojams maksimālais atkārtots voltsvecums

1200

V

IF

Dioda nepārtraukta uz priekšuīr

75

A

IFM

Pulss Kolektors Pašreiz  Tp  ierobežotas Ar Tvjmax

225

A

Sīkāku informāciju

Apraksts

Vērtības

Drošības un drošības politika

Tvjop

Darbības savienojuma temperatūra

-40 līdz +175

OC

TSTG

Uzglabāšanas temperatūras diapazons

-55 līdz +150

OC

Ts

Lūdes temperatūra 1,6 mm from lietu 10s

260

OC

Sīkāku informāciju

Parametrs

Testēšanas apstākļi

Min.

Tips.

Max.

Drošības un drošības politika

VCE (sat)

Saņēmējs - emitents Sātumapstrādes spriegums

IC=75A,VĢENKolektora-emiteru piesātinājums Tvj=25OC

1.75

2.20

V

IC=75A,VĢENKolektora-emiteru piesātinājums Tvj= 150OC

2.10

IC=75A,VĢENKolektora-emiteru piesātinājums Tvj=175OC

2.20

VĢEN(ts)

Vārda emitenta slieksnis Spriegums

IC=3.00mA,VCE=VĢEN, Tvj=25OC

5.0

5.8

6.5

V

ITips

Kolektors Izgriežts-IzslēgtPašreiz

VCE=VTips,VĢEN=0V, Tvj=25OC

250

μA

I=150 °C

Izslēguma emitenta noplūde Pašreiz

VĢEN=V=150 °C,VCE=0V,Tvj=25OC

100

nA

rGint

Iekšējā vārtu pretestība

2.0

Ω

C125 °C

ies

VCE=25V, f=100kHz, VĢEN=0V

6.58

MHz

Cejs

Izvades jauda

0.40

Cpretestība

Atgriezītais pārvedums Jauda

0.19

MHz

QG

nF

VĢEN=-15...+15V

0.49

μC

TD(ieslēgta)

Slēgšanas kavējuma laiks

VCC= 600V,IC=75A,    rG=4,7Ω,

VĢEN=±15V, Ls=40nH,

Tvj=25OC

41

ns

Tr

Atkāpšanās laiks

135

ns

Td(izslēgt)

Izslēgt Atlikušais laiks

87

ns

TF

Nolieku laiks

255

ns

Eieslēgta

Slēgt Pārslēgšana zaudējumi

12.5

mJ

EIzslēgt

Izslēgtas zaudējumi

3.6

mJ

TD(ieslēgta)

Slēgšanas kavējuma laiks

VCC= 600V,IC=75A,    rG=4,7Ω,

VĢEN=±15V, Ls=40nH,

Tvj= 150OC

46

ns

Tr

Atkāpšanās laiks

140

ns

Td(izslēgt)

Izslēgt Atlikušais laiks

164

ns

TF

Nolieku laiks

354

ns

Eieslēgta

Slēgt Pārslēgšana zaudējumi

17.6

mJ

EIzslēgt

Izslēgtas zaudējumi

6.3

mJ

TD(ieslēgta)

Slēgšanas kavējuma laiks

VCC= 600V,IC=75A,    rG=4,7Ω,

VĢEN=±15V, Ls=40nH,

Tvj=175OC

46

ns

Tr

Atkāpšanās laiks

140

ns

Td(izslēgt)

Izslēgt Atlikušais laiks

167

ns

TF

Nolieku laiks

372

ns

Eieslēgta

Slēgt Pārslēgšana zaudējumi

18.7

mJ

EIzslēgt

Izslēgtas zaudējumi

6.7

mJ

ISC

SC dati

Tp≤10μs,VĢENKolektora-emiteru piesātinājums

Tvj=175OC,VCC= 800V, VCEM≤ 1200V

300

A

Sīkāku informāciju

Parametrs

Testēšanas apstākļi

Min.

Tips.

Max.

Drošības un drošības politika

VF

Diode uz priekšu Spriegums

IF=75A,VĢEN=0V,Tvj=25OC

1.75

2.20

V

IF=75A,VĢEN=0V,Tvj=150OC

1.75

IF=75A,VĢEN=0V,Tvj=175OC

1.75

trr

Dioda atkārtots  Atgūšanas laiks

Vr= 600V,IF=75A,

-di/dt=370A/μs,VĢEN=-15V, Ls=40nH,

Tvj=25OC

267

ns

Qr

Atgūstamā nodeva

4.2

μC

IRM

Augstais augstums

atgūšanas strāvas

22

A

ERec

Atgriezeniska atgūšana enerģija

1.1

mJ

trr

Dioda atkārtots  Atgūšanas laiks

Vr= 600V,IF=75A,

-di/dt=340A/μs,VĢEN=-15V, Ls=40nH,

Tvj= 150OC

432

ns

Qr

Atgūstamā nodeva

9.80

μC

IRM

Augstais augstums

atgūšanas strāvas

33

A

ERec

Atgriezeniska atgūšana enerģija

2.7

mJ

trr

Dioda atkārtots  Atgūšanas laiks

Vr= 600V,IF=75A,

-di/dt=320A/μs,VĢEN=-15V, Ls=40nH,

Tvj=175OC

466

ns

Qr

Atgūstamā nodeva

11.2

μC

IRM

Augstais augstums

atgūšanas strāvas

35

A

ERec

Atgriezeniska atgūšana enerģija

3.1

mJ

Sīkāku informāciju

Parametrs

Min.

Tips.

Max.

Drošības un drošības politika

rTJC

Savienojums ar lietu (par IGB)T)Savienojums ar kārtu (par D)jods)

0.176 0.371

K/W

rTJN

Savienojums ar vidi

40

K/W