Visas kategorijas

IGBT Discrete

IGBT Discrete

sākumlapa  / Produkti / IGBT Discrete

IGBT diskretais, DG25X12T2, 1200V, 25A, STARPOWER

1200V,25A

Brand:
STARPOWER
  • Ievads
Ievads

Jauns atgādinājums.:Fvai vairākIGBT Discrete, lūdzu, nosūtiet e-pastu.

Iespējas

  • Zema VCE (sat)GrīdasIGBTtehnoloģija
  • 10 μs īslaicīgas sakārtošanas spēja
  • Zema pārlūknes zaudējumi
  • Maksimālā savienojuma temperatūra 175oC
  • Zema induktivitātes kārta
  • VCE (sat)arpozitīvsTemperatūrakoeficients
  • Ātrs un mīksts atveseļošanās ātrums pret paralēlu FWD
  • Pakete bez svina

 

Tipiska Lietojumi

  • Inverteris motora vadībai
  • AC un DC servo dzinēju pastiprinātājs
  • Nepārtraukta strāva nodrošināšana

 

Absolūta Maksimālā Reitingu rādītāji TC=25OC ja norādīts atzīmēts

 

IGBT

 

Sīkāku informāciju

Apraksts

vērtību

Drošības un drošības politika

VTips

Sildītājs-izsildītājs

1200

V

V=150 °C

Izslēgšanas-izslēgšanas spriegums

±20

V

IC

Kolektora strāva @ TC=25OC

@ TC= 110OC

50

25

A

ICM

Impulsu kolektora strāva tpierobežots ar Tjmax

100

A

pD

Maksimālā jauda Dissipācija @ Tj=175OC

573

Platums

Dioda

Sīkāku informāciju

Apraksts

vērtību

Drošības un drošības politika

VRRM

Atkārtojams maksimālais atkārtots spriegums

1200

V

IF

Diodes nepārtraukta priekšējā strāva @ TC= 110OC

25

A

IFM

Dioda Maksimālā Uz priekšu Pašreiz  Tp ierobežotas Ar Tjmax

100

A

 

Diskretas

 

Sīkāku informāciju

Apraksts

Vērtības

Drošības un drošības politika

Tžop

Darbības savienojuma temperatūra

-40 līdz +175

OC

TSTG

uzglabāšanas temperatūraDiapazons

-55 līdz +150

OC

Ts

Saldēšanas temperatūra, 1.6mm nokorpusa 10s

260

OC

m

Monta griezes moments, skrūve M3

0.6

N.m.

IGBT raksturlielumi TC=25OC ja norādīts atzīmēts

 

Sīkāku informāciju

Parametrs

Testēšanas apstākļi

Min.

Tips.

Max.

Drošības un drošības politika

 

 

VCE (sat)

 

 

Saņēmējs - emitents

Sātumapstrādes spriegums

IC=25A,VĢENKolektora-emiteru piesātinājums

Tj=25OC

 

1.70

2.15

 

 

V

IC=25A,VĢENKolektora-emiteru piesātinājums

Tj=125OC

 

1.95

 

IC=25A,VĢENKolektora-emiteru piesātinājums

Tj= 150OC

 

2.00

 

VĢEN(ts)

Vārda emitenta slieksnis Spriegums

IC=0.63mA,VCE=VĢEN, Tj=25OC

5.2

6.0

6.8

V

ITips

Kolektors Izgriežts-Izslēgt

Pašreiz

VCE=VTips,VĢEN=0V,

Tj=25OC

 

 

1.0

mA

I=150 °C

Izslēguma emitenta noplūde Pašreiz

VĢEN=V=150 °C,VCE=0V,Tj=25OC

 

 

400

nA

rGint

Iekšējā vārtu pretestība- - - -

 

 

0

 

Ω

C125 °C

ies

VCE=25V, f=1MHz,

VĢEN=0V

 

2.59

 

MHz

Cpretestība

Atgriezītais pārvedums

Jauda

 

0.07

 

MHz

QG

nF

VĢEN=-15...+15V

 

0.19

 

μC

TD(ieslēgta)

Slēgšanas kavējuma laiks

 

 

VCC= 600V,IC=25A,   rG=20Ω,VĢEN=±15V, Tj=25OC

 

28

 

ns

Tr

Atkāpšanās laiks

 

17

 

ns

TD(Izslēgt)

Izslēgt Atlikušais laiks

 

196

 

ns

TF

Nolieku laiks

 

185

 

ns

Eieslēgta

Slēgt Pārslēgšana

zaudējumi

 

1.71

 

mJ

EIzslēgt

Izslēgtas

zaudējumi

 

1.49

 

mJ

TD(ieslēgta)

Slēgšanas kavējuma laiks

 

 

VCC= 600V,IC=25A,   rG=20Ω,VĢEN=±15V, Tj=125OC

 

28

 

ns

Tr

Atkāpšanās laiks

 

21

 

ns

TD(Izslēgt)

Izslēgt Atlikušais laiks

 

288

 

ns

TF

Nolieku laiks

 

216

 

ns

Eieslēgta

Slēgt Pārslēgšana

zaudējumi

 

2.57

 

mJ

EIzslēgt

Izslēgtas

zaudējumi

 

2.21

 

mJ

TD(ieslēgta)

Slēgšanas kavējuma laiks

 

 

VCC= 600V,IC=25A,   rG=20Ω,VĢEN=±15V, Tj= 150OC

 

28

 

ns

Tr

Atkāpšanās laiks

 

22

 

ns

TD(Izslēgt)

Izslēgt Atlikušais laiks

 

309

 

ns

TF

Nolieku laiks

 

227

 

ns

Eieslēgta

Slēgt Pārslēgšana

zaudējumi

 

2.78

 

mJ

EIzslēgt

Izslēgtas

zaudējumi

 

2.42

 

mJ

 

ISC

 

SC dati

Tp≤ 10 μs,VĢENKolektora-emiteru piesātinājums

Tj= 150OC,VCC= 900V, VCEM≤ 1200V

 

 

100

 

 

A

Dioda raksturlielumi TC=25OC ja norādīts atzīmēts

 

Sīkāku informāciju

Parametrs

Testēšanas apstākļi

Min.

Tips.

Max.

Drošības un drošības politika

 

VF

Diode uz priekšu

Spriegums

IF=25A,VĢEN=0V,Tj=25OC

 

2.20

2.65

 

V

IF=25A,VĢEN=0V,Tj= 125OC

 

2.30

 

IF=25A,VĢEN=0V,Tj= 150OC

 

2.25

 

Qr

Atgūstamā nodeva

Vr= 600V,IF=25A,

-di/dt=880A/μs,VĢEN=-15V Tj=25OC

 

1.43

 

μC

IRM

Augstais augstums

atgūšanas strāvas

 

34

 

A

ERec

Atgriezeniska atgūšanaenerģija

 

0.75

 

mJ

Qr

Atgūstamā nodeva

Vr= 600V,IF=25A,

-di/dt=880A/μs,VĢEN=-15V Tj= 125OC

 

2.4

 

μC

IRM

Augstais augstums

atgūšanas strāvas

 

42

 

A

ERec

Atgriezeniska atgūšanaenerģija

 

1.61

 

mJ

Qr

Atgūstamā nodeva

Vr= 600V,IF=25A,

-di/dt=880A/μs,VĢEN=-15V Tj= 150OC

 

2.6

 

μC

IRM

Augstais augstums

atgūšanas strāvas

 

44

 

A

ERec

Atgriezeniska atgūšanaenerģija

 

2.10

 

mJ

 

 

 

Diskretas raksturlielumi TC=25OC ja norādīts atzīmēts

 

Sīkāku informāciju

Parametrs

Min.

Tips.

Max.

Drošības un drošības politika

rTJC

Savienojums ar lietu (par IGB)T)

Savienojums ar korpusu (par Di)ode)

 

 

0.262

0.495

K/W

rTJN

Savienojums ar vidi

 

40

 

K/W

 

Iegūstiet bezmaksas piedāvājumu

Mūsu pārstāvis drīz sazināsies ar jums.
Email
Vārds
Uzņēmuma nosaukums
Ziņojums
0/1000

SAISTĪTS PRODUKTS

Vai jums ir jautājumi par kādiem produktiem?

Mūsu profesionālā pārdošanas komanda gaida jūsu konsultāciju.
Jūs varat sekot viņu produktu sarakstam un uzdot jebkādus jautājumus, kas jums rūp.

Iegūstiet piedāvājumu

Iegūstiet bezmaksas piedāvājumu

Mūsu pārstāvis drīz sazināsies ar jums.
Email
Vārds
Uzņēmuma nosaukums
Ziņojums
0/1000