IGBT modulis 1200V

Sīkāku informāciju

Apraksts

vērtību

Drošības un drošības politika

V Tips

Sildītājs-izsildītājs

1200

V

V =150 °C

Izslēgšanas-izslēgšanas spriegums

±20

V

I C

Kolektora strāva @ T C =25 O C

@ T C = 100O C

1410

900

A

I CM

Impulsu kolektora strāva t p =1ms

1800

A

p D

Maksimālā jauda Dissipācija @ T =175 O C

5000

Platums

Sīkāku informāciju

Apraksts

vērtību

Drošības un drošības politika

T jmax

Maksimālā savienojuma temperatūra

175

O C

T žop

Darbības savienojuma temperatūra

-40 līdz +150

O C

T STG

uzglabāšanas temperatūra Diapazons

-40 līdz +125

O C

V ISO

Izolācijas spriegums RMS,f=50Hz,t=1 min

4000

V

Sīkāku informāciju

Parametrs

Testēšanas apstākļi

Min.

Tips.

Max.

Drošības un drošības politika

V CE (sat)

Saņēmējs - emitents

Sātumapstrādes spriegums

I C = 900A,V ĢEN Kolektora-emiteru piesātinājums T j =25 O C

1.80

2.25

V

I C = 900A,V ĢEN Kolektora-emiteru piesātinājums T j =125 O C

2.10

I C = 900A,V ĢEN Kolektora-emiteru piesātinājums T j = 150 O C

2.15

V ĢEN (ts )

Vārda emitenta slieksnis Spriegums

I C =22,5 mA ,V CE = V ĢEN , T j =25 O C

5.2

6.0

6.8

V

I Tips

Kolektors Izgriežts -Izslēgt

Pašreiz

V CE = V Tips ,V ĢEN =0V,

T j =25 O C

5.0

mA

I =150 °C

Izslēguma emitenta noplūde Pašreiz

V ĢEN = V =150 °C ,V CE =0V, T j =25 O C

400

nA

r Gint

Iekšējā vārtu pretestība - - - -

0.6

Ω

Q G

nF

V ĢEN =- 15V...+15V

7.40

μC

T D (ieslēgta )

Slēgšanas kavējuma laiks

V CC = 600V,I C = 900A,

r Gons = 1,5Ω,R Goff = 0,9Ω, V ĢEN =±15V,T j =25 O C

257

ns

T r

Atkāpšanās laiks

96

ns

T D (Izslēgt )

Izslēgt Atlikušais laiks

628

ns

T F

Nolieku laiks

103

ns

E ieslēgta

Slēgt Pārslēgšana

zaudējumi

43

mJ

E Izslēgt

Izslēgtas

zaudējumi

82

mJ

T D (ieslēgta )

Slēgšanas kavējuma laiks

V CC = 600V,I C = 900A,

r Gons = 1,5Ω,R Goff = 0,9Ω,

V ĢEN =±15V,T j = 125O C

268

ns

T r

Atkāpšanās laiks

107

ns

T D (Izslēgt )

Izslēgt Atlikušais laiks

659

ns

T F

Nolieku laiks

144

ns

E ieslēgta

Slēgt Pārslēgšana

zaudējumi

59

mJ

E Izslēgt

Izslēgtas

zaudējumi

118

mJ

T D (ieslēgta )

Slēgšanas kavējuma laiks

V CC = 600V,I C = 900A,

r Gons = 1,5Ω,R Goff = 0,9Ω,

V ĢEN =±15V,T j = 150O C

278

ns

T r

Atkāpšanās laiks

118

ns

T D (Izslēgt )

Izslēgt Atlikušais laiks

680

ns

T F

Nolieku laiks

155

ns

E ieslēgta

Slēgt Pārslēgšana

zaudējumi

64

mJ

E Izslēgt

Izslēgtas

zaudējumi

134

mJ

I SC

SC dati

T p ≤ 10 μs,V ĢEN Kolektora-emiteru piesātinājums

T j = 150 O C,V CC = 800V,

V CEM ≤ 1200V

3600

A

Sīkāku informāciju

Parametrs

Testēšanas apstākļi

Min.

Tips.

Max.

Drošības un drošības politika

V F

Diode uz priekšu

Spriegums

I F = 900A,V ĢEN =0V,T j =25 O C

1.71

2.16

V

I F = 900A,V ĢEN =0V,T j = 125O C

1.74

I F = 900A,V ĢEN =0V,T j = 150O C

1.75

Q r

Atgūstamā nodeva

V r = 600V,I F = 900A,

-di/dt=6000A/μs,V ĢEN =- 15V T j =25 O C

76

μC

I RM

Augstais augstums

atgūšanas strāvas

513

A

E Rec

Atgriezeniska atgūšana enerģija

38.0

mJ

Q r

Atgūstamā nodeva

V r = 600V,I F = 900A,

-di/dt=6000A/μs,V ĢEN =- 15V T j = 125O C

143

μC

I RM

Augstais augstums

atgūšanas strāvas

684

A

E Rec

Atgriezeniska atgūšana enerģija

71.3

mJ

Q r

Atgūstamā nodeva

V r = 600V,I F = 900A,

-di/dt=6000A/μs,V ĢEN =- 15V T j = 150O C

171

μC

I RM

Augstais augstums

atgūšanas strāvas

713

A

E Rec

Atgriezeniska atgūšana enerģija

80.8

mJ

Sīkāku informāciju

Parametrs

Min.

Tips.

Max.

Drošības un drošības politika

Garums CE

Neatklāta induktantība

20

nH

r CC+EE

Modulā "Rūgtumvirsme", termināls uz čipu

0.18

mΩ

r TJC

Savienojums ar lietu (par IGB) T)

Savienojums ar kārtu (par D) jods)

0.030

0.052

K/W

r tCH

Izmērs: IGBT)

Izmantojiet šo metodi, lai noteiktu temperatūras līmeni. diodes)

Izmērs: Modulis)

0.016

0.027

0.010

K/W

m

terminala savienojuma griezes moments, M6 skrūvis Monta griezes moments, M6 skrūvis

2.5

3.0

5.0

5.0

N.m.

G

Svars of modulis

300

G