IGBT modulis 1200V

Sīkāku informāciju

apraksts

vērtība

vienība

vTips

Sildītājs-izsildītājs

1200

v

v=150 °C

Izslēgšanas-izslēgšanas spriegums

± 20

v

ic

Saldēšanas šķidrumsc=25oc

@ Tc=- Vai?100oc

1410

900

a)

iCM

Pulsējošais kolektorsp=1ms

1800

a)

pd

Maksimālais jaudas izmešana @ T- Vai?=175oc

5000

w

Sīkāku informāciju

apraksts

vērtība

vienība

tjmax

Maksimālā savienojuma temperatūra

175

oc

tžop

Darbības savienojuma temperatūra

-40 līdz +150

oc

tSTG

uzglabāšanas temperatūraRažotājs

-40 līdz +125

oc

vISO

Izolācijas spriegums RMS,f=50Hz,t=1min

4000

v

Sīkāku informāciju

parametrs

Testēšanas apstākļi

Min.

Tips.

Maksimāli.

vienība

- Vai?

- Vai?

vCE (sat)

- Vai?

- Vai?

Saņēmējs - emitents

Sātumapstrādes spriegums

ic= 900A,VĢENKolektora-emiteru piesātinājums- Vai?tj=25oc

- Vai?

1.80

2.25

- Vai?

- Vai?

v

ic= 900A,VĢENKolektora-emiteru piesātinājums- Vai?tj=125oc

- Vai?

2.10

- Vai?

ic= 900A,VĢENKolektora-emiteru piesātinājums- Vai?tj= 150oc

- Vai?

2.15

- Vai?

vĢEN(- - - - - -)

Vārda emitenta slieksnis- Vai?spriegums

ic=22,5māte- Jā,vc=vĢEN- Jā,- Vai?tj=25oc

5.2

6.0

6.8

v

iTips

Kolektors- Vai?Izgriežts- Esmu gatavs.Izslēgt

strāvas

vc=vTips- Jā,vĢEN=0V,

tj=25oc

- Vai?

- Vai?

5.0

māte

i=150 °C

Izslēguma emitenta noplūde- Vai?strāvas

vĢEN=v=150 °C- Jā,vc=0V,tj=25oc

- Vai?

- Vai?

400

no

rGint

Iekšējā vārtu pretestība- - - -

- Vai?

- Vai?

0.6

- Vai?

Ω

qg

nF

vĢEN=-- Vai?15V...+15V

- Vai?

7.40

- Vai?

μC

td(uz)

Slēgšanas kavējuma laiks

- Vai?

- Vai?

vCC= 600V,Ic= 900A,- Vai?

rGons=- Vai?1,5Ω,RGoff= 0,9Ω,vĢEN=±15V,Tj=25oc

- Vai?

257

- Vai?

ns

tr

Atkāpšanās laiks

- Vai?

96

- Vai?

ns

td(Izslēgt)

Izslēgt- Vai?Atlikušais laiks

- Vai?

628

- Vai?

ns

tf

Nolieku laiks

- Vai?

103

- Vai?

ns

euz

Slēgt- Vai?pārvēršana

zaudējumi

- Vai?

43

- Vai?

mJ

eIzslēgt

Izslēgtas

zaudējumi

- Vai?

82

- Vai?

mJ

td(uz)

Slēgšanas kavējuma laiks

- Vai?

- Vai?

vCC= 600V,Ic= 900A,- Vai?

rGons=- Vai?1,5Ω,RGoff= 0,9Ω,

vĢEN=±15V,Tj=- Vai?125oc

- Vai?

268

- Vai?

ns

tr

Atkāpšanās laiks

- Vai?

107

- Vai?

ns

td(Izslēgt)

Izslēgt- Vai?Atlikušais laiks

- Vai?

659

- Vai?

ns

tf

Nolieku laiks

- Vai?

144

- Vai?

ns

euz

Slēgt- Vai?pārvēršana

zaudējumi

- Vai?

59

- Vai?

mJ

eIzslēgt

Izslēgtas

zaudējumi

- Vai?

118

- Vai?

mJ

td(uz)

Slēgšanas kavējuma laiks

- Vai?

- Vai?

vCC= 600V,Ic= 900A,- Vai?

rGons=- Vai?1,5Ω,RGoff= 0,9Ω,

vĢEN=±15V,Tj=- Vai?150oc

- Vai?

278

- Vai?

ns

tr

Atkāpšanās laiks

- Vai?

118

- Vai?

ns

td(Izslēgt)

Izslēgt- Vai?Atlikušais laiks

- Vai?

680

- Vai?

ns

tf

Nolieku laiks

- Vai?

155

- Vai?

ns

euz

Slēgt- Vai?pārvēršana

zaudējumi

- Vai?

64

- Vai?

mJ

eIzslēgt

Izslēgtas

zaudējumi

- Vai?

134

- Vai?

mJ

- Vai?

iSC

- Vai?

SC dati

tp≤ 10 μs,VĢENKolektora-emiteru piesātinājums

tj= 150oC,VCC= 800V,- Vai?

vCEM≤ 1200V

- Vai?

- Vai?

3600

- Vai?

- Vai?

a)

Sīkāku informāciju

parametrs

Testēšanas apstākļi

Min.

Tips.

Maksimāli.

vienība

- Vai?

vf

Diode uz priekšu

spriegums

if= 900A,VĢEN=0V,Tj=25oc

- Vai?

1.71

2.16

- Vai?

v

if= 900A,VĢEN=0V,Tj=- Vai?125oc

- Vai?

1.74

- Vai?

if= 900A,VĢEN=0V,Tj=- Vai?150oc

- Vai?

1.75

- Vai?

qr

Atgūstamā nodeva

vr= 600V,If= 900A,

-di/dt=6000A/μs,VĢEN=-- Vai?15Vtj=25oc

- Vai?

76

- Vai?

μC

iRM

Augstais augstums

atgūšanas strāvas

- Vai?

513

- Vai?

a)

eRec

Atgriezeniska atgūšanaenerģija

- Vai?

38.0

- Vai?

mJ

qr

Atgūstamā nodeva

vr= 600V,If= 900A,

-di/dt=6000A/μs,VĢEN=-- Vai?15V- Vai?tj=- Vai?125oc

- Vai?

143

- Vai?

μC

iRM

Augstais augstums

atgūšanas strāvas

- Vai?

684

- Vai?

a)

eRec

Atgriezeniska atgūšanaenerģija

- Vai?

71.3

- Vai?

mJ

qr

Atgūstamā nodeva

vr= 600V,If= 900A,

-di/dt=6000A/μs,VĢEN=-- Vai?15V- Vai?tj=- Vai?150oc

- Vai?

171

- Vai?

μC

iRM

Augstais augstums

atgūšanas strāvas

- Vai?

713

- Vai?

a)

eRec

Atgriezeniska atgūšanaenerģija

- Vai?

80.8

- Vai?

mJ

Sīkāku informāciju

parametrs

Min.

Tips.

Maksimāli.

vienība

Esc

Neatklāta induktantība

- Vai?

- Vai?

20

nH

rCC+EE

Modulā "Rūgtumvirsme",Termināls uz čipu

- Vai?

0.18

- Vai?

mΩ

rTJC

Savienojums ar lietu (par IGB)T)

Savienojums ar kārtu (par D)jods)

- Vai?

- Vai?

0.030

0.052

K/W

- Vai?

rtCH

Izmērs:IGBT)

Izmantojiet šo metodi, lai noteiktu temperatūras līmeni.diodes)

Izmērs:Modulis)

- Vai?

0.016

0.027

0.010

- Vai?

K/W

m

terminala savienojuma griezes moments,- Vai?M6 skrūvis- Vai?Monta griezes moments,- Vai?M6 skrūvis

2.5

3.0

- Vai?

5.0

5.0

N.m.

g

svars- Vai?no- Vai?moduls

- Vai?

300

- Vai?

g