GD900HFX120P1SA,IGBT modulis,STARPOWER

IGBT modulis 1200V

GD900HFX120P1SA,IGBT modulis,STARPOWER

1200V 900A

Brand:

STARPOWER

Spu:

GD900HFX120P1SA

Ievads
Kontūra

Ievads

Īss ievads

IGBT modulis , ražots no STARPOWER. 1200V 900A.

Iespējas

Zema V CE (= 40 ) Grīdas IGBT tehnoloģija
10μs īss īssavienojuma spējas ība
V CE (= 40 ) ar pozitīvs Temperatūra koeficients
Maksimālā Junkcijas temperatūra 175O C
Zema induktivitāte Gadījums
Izolēta vara bāzes plāksne, izmantojot DBC tehnoloģiju
Augsta jauda un termiskā cikla spēja tība

Tipiska Lietojumi

Augstas jaudas pārveidotājs
Saulrasēja enerģija
Hibrīda un elektriskā transportlīdzeklis

Absolūta Maksimālā Reitingu rādītāji T C =25 O C ja norādīts atzīmēts

IGBT

Sīkāku informāciju	Apraksts	Vērtības	Drošības un drošības politika
V Tips	Sildītājs-izsildītājs	1200	V
V =150 °C	Izslēgšanas-izslēgšanas spriegums	±20	V
I C	Kolektora strāva @ T C =25 O C @ T C = 100O C	1522 900	A
I CM	Impulsu kolektora strāva t p =1ms	1800	A
p D	Maksimālā jauda Dissipācija @ T j =175 O C	5.24	KW

Dioda

Sīkāku informāciju	Apraksts	Vērtības	Drošības un drošības politika
V RRM	Atkārtojams maksimālais atkārtots spriegums	1200	V
I F	Dioda nepārtrauktajā priekšējā kursorā īrvalde	900	A
I FM	Diodes maksimālā priekšējā strāva t p =1ms	1800	A

modulis

Sīkāku informāciju	Apraksts	vērtību	Drošības un drošības politika
T jmax	Maksimālā savienojuma temperatūra	175	O C
T žop	Darbības savienojuma temperatūra	-40 līdz +150	O C
T STG	uzglabāšanas temperatūra Diapazons	-40 līdz +125	O C
V ISO	Izolācijas spriegums RMS,f=50Hz,t=1 min	4000	V

IGBT raksturlielumi T C =25 O C ja norādīts atzīmēts

Sīkāku informāciju	Parametrs	Testēšanas apstākļi	Min.	Tips.	Max.	Drošības un drošības politika
V CE (sat)	Saņēmējs - emitents Sātumapstrādes spriegums	I C = 900A,V ĢEN Kolektora-emiteru piesātinājums T j =25 O C		1.70	2.15	V
		I C = 900A,V ĢEN Kolektora-emiteru piesātinājums T j =125 O C		1.95
		I C = 900A,V ĢEN Kolektora-emiteru piesātinājums T j = 150 O C		2.00
V ĢEN (ts )	Vārda emitenta slieksnis Spriegums	I C =22,5 mA ,V CE = V ĢEN , T j =25 O C	5.2	6.0	6.8	V
I Tips	Kolektors Izgriežts -Izslēgt Pašreiz	V CE = V Tips ,V ĢEN =0V, T j =25 O C			1.0	mA
I =150 °C	Izslēguma emitenta noplūde Pašreiz	V ĢEN = V =150 °C ,V CE =0V, T j =25 O C			400	nA
r Gint	Iekšējā vārtu pretestība - - - -			0.63		Ω
C 125 °C	ies	V CE =25V, f=1MHz, V ĢEN =0V		93.2		MHz
C pretestība	Atgriezītais pārvedums Jauda	V CE =25V, f=1MHz, V ĢEN =0V		2.61		MHz
Q G	nF	V ĢEN =-15 ﹍+15V		6.99		μC
T D (ieslēgta )	Slēgšanas kavējuma laiks	V CC = 600V,I C = 900A, r G =1,6Ω, V ĢEN =±15V, T j =25 O C		214		ns
T r	Atkāpšanās laiks			150		ns
T D (Izslēgt )	Izslēgt Atlikušais laiks			721		ns
T F	Nolieku laiks			206		ns
E ieslēgta	Slēgt Pārslēgšana zaudējumi			76		mJ
E Izslēgt	Izslēgtas zaudējumi			128		mJ
T D (ieslēgta )	Slēgšanas kavējuma laiks	V CC = 600V,I C = 900A, r G =1,6Ω, V ĢEN =±15V, T j =125 O C		235		ns
T r	Atkāpšanās laiks			161		ns
T D (Izslēgt )	Izslēgt Atlikušais laiks			824		ns
T F	Nolieku laiks			412		ns
E ieslēgta	Slēgt Pārslēgšana zaudējumi			107		mJ
E Izslēgt	Izslēgtas zaudējumi			165		mJ
T D (ieslēgta )	Slēgšanas kavējuma laiks	V CC = 600V,I C = 900A, r G =1,6Ω, V ĢEN =±15V, T j = 150 O C		235		ns
T r	Atkāpšanās laiks			161		ns
T D (Izslēgt )	Izslēgt Atlikušais laiks			876		ns
T F	Nolieku laiks			464		ns
E ieslēgta	Slēgt Pārslēgšana zaudējumi			112		mJ
E Izslēgt	Izslēgtas zaudējumi			180		mJ
I SC	SC dati	T p ≤ 10 μs,V ĢEN Kolektora-emiteru piesātinājums T j = 150 O C,V CC = 900V, V CEM ≤ 1200V		3600		A

Dioda raksturlielumi T C =25 O C ja norādīts atzīmēts

Sīkāku informāciju	Parametrs	Testēšanas apstākļi	Min.	Tips.	Max.	Drošības un drošības politika
V F	Diode uz priekšu Spriegums	I F = 900A,V ĢEN =0V,T j =25 O C		1.90	2.25	V
		I F = 900A,V ĢEN =0V,T j = 125O C		1.85
		I F = 900A,V ĢEN =0V,T j = 150O C		1.80
Q r	Atgūstamā nodeva	V r = 600V,I F = 900A, -di/dt=4800A/μs,V ĢEN =-15V T j =25 O C		86		μC
I RM	Augstais augstums atgūšanas strāvas			475		A
E Rec	Atgriezeniska atgūšana enerģija			36.1		mJ
Q r	Atgūstamā nodeva	V r = 600V,I F = 900A, -di/dt=4800A/μs,V ĢEN =-15V T j = 125O C		143		μC
I RM	Augstais augstums atgūšanas strāvas			618		A
E Rec	Atgriezeniska atgūšana enerģija			71.3		mJ
Q r	Atgūstamā nodeva	V r = 600V,I F = 900A, -di/dt=4800A/μs,V ĢEN =-15V T j = 150O C		185		μC
I RM	Augstais augstums atgūšanas strāvas			665		A
E Rec	Atgriezeniska atgūšana enerģija			75.1		mJ

NTC raksturlielumi T C =25 O C ja norādīts atzīmēts

Sīkāku informāciju	Parametrs	Testēšanas apstākļi	Min.	Tips.	Max.	Drošības un drošības politika
r 25	Nominālais pretestība			5.0		kΩ
ΔR/R	Atkāpe of r 100	T C = 100 O C,R 100= 493,3Ω	-5		5	%
p 25	Jauda Zudums				20.0	mW
B 25/50	B vērtība	r 2=R 25eks [B 25/50 1/T 2- 1/(298.15K))]		3375		K
B 25/80	B vērtība	r 2=R 25eks [B 25/80 1/T 2- 1/(298.15K))]		3411		K
B 25/100	B vērtība	r 2=R 25eks [B 25/100 1/T 2- 1/(298.15K))]		3433		K

modulis raksturlielumi T C =25 O C ja norādīts atzīmēts

Sīkāku informāciju	Parametrs	Min.	Tips.	Max.	Drošības un drošības politika
Garums CE	Neatklāta induktantība		18		nH
r CC+EE	Modulā ir svina pretestība, no terminala līdz čipu		0.30		mΩ
r TJC	Savienojums ar lietu (par IGB) T) Savienojums ar kārtu (par D) jods)			28.6 51.9	K/kW
r tCH	Izmērs: IGBT) Izmantojiet šo metodi, lai noteiktu temperatūras līmeni. diodes) Izmērs: Modulis)		14.0 25.3 4.5		K/kW
m	terminala savienojuma griezes moments, Skrūve M4 Termināla savienojums Griezes moments, Skrūve M8 Monta griezes moments, M5 skrūvis	1.8 8.0 3.0		2.1 10 6.0	N.m.
G	Svars of modulis		825		G