mājas lapa / produkti / igbt modulis / 1200v
īpašības
tipiska- Vai?pieteikumi
Absolūta- Vai?Maksimālā- Vai?Reitingu rādītāji- Vai?tc=25oc- Vai?ja- Vai?norādīts- Vai?atzīmēts
- Vai?
IGBT
- Vai?
Sīkāku informāciju |
apraksts |
Vērtības |
vienība |
vTips |
Sildītājs-izsildītājs |
1200 |
v |
v=150 °C |
Izslēgšanas-izslēgšanas spriegums |
± 20 |
v |
ic |
Saldēšanas šķidrumsc=90oc |
900 |
a) |
iCM |
Pulsējošais kolektorsp=1ms |
1800 |
a) |
pd |
Maksimālais jaudas izmešana @ Tj=175oc |
3409 |
w |
Dioda
- Vai?
Sīkāku informāciju |
apraksts |
Vērtības |
vienība |
vRRM |
Atkārtojams maksimālais atkārtots voltsvecums |
1200 |
v |
if |
Dioda nepārtrauktajā priekšējā kursorāīrvalde |
900 |
a) |
iFM |
Dioda maksimālais tālvadības strāvas daudzums tp=1ms |
1800 |
a) |
iFSM |
Pārsprieguma uz priekšu strāva tp=10ms @tj=25oc- Vai?@ Tj= 150oc |
4100 3000 |
a) |
i2t |
i2t-vērtība,tp=10ms @ Tj=25oc @ Tj= 150oc |
84000 45000 |
a)2s |
moduls
- Vai?
Sīkāku informāciju |
apraksts |
vērtība |
vienība |
tjmax |
Maksimālā savienojuma temperatūra |
175 |
oc |
tžop |
Darbības savienojuma temperatūra |
-40 līdz +150 |
oc |
tSTG |
Uzglabāšanas temperatūras diapazons |
-40 līdz +125 |
oc |
vISO |
Izolācijas spriegums RMS,f=50Hz,t=1 min |
2500 |
v |
IGBT- Vai?īpašības- Vai?tc=25oc- Vai?ja- Vai?norādīts- Vai?atzīmēts
- Vai?
Sīkāku informāciju |
parametrs |
Testēšanas apstākļi |
Min. |
Tips. |
Maksimāli. |
vienība |
- Vai? - Vai? vCE (sat) |
- Vai? - Vai? Saņēmējs - emitents Sātumapstrādes spriegums |
ic= 900A,VĢENKolektora-emiteru piesātinājums- Vai?tj=25oc |
- Vai? |
1.40 |
1.85 |
- Vai? - Vai? v |
ic= 900A,VĢENKolektora-emiteru piesātinājums- Vai?tj=125oc |
- Vai? |
1.60 |
- Vai? |
|||
ic= 900A,VĢENKolektora-emiteru piesātinājums- Vai?tj=175oc |
- Vai? |
1.65 |
- Vai? |
|||
vĢEN(- - - - - -) |
Vārda emitenta slieksnis- Vai?spriegums |
ic=24.0māte- Jā,vc=vĢEN- Jā,- Vai?tj=25oc |
5.5 |
6.3 |
7.0 |
v |
iTips |
Kolektors- Vai?Izgriežts- Esmu gatavs.Izslēgt strāvas |
vc=vTips- Jā,vĢEN=0V, tj=25oc |
- Vai? |
- Vai? |
1.0 |
māte |
i=150 °C |
Izslēguma emitenta noplūde- Vai?strāvas |
vĢEN=v=150 °C- Jā,vc=0V,tj=25oc |
- Vai? |
- Vai? |
400 |
no |
rGint |
Iekšējā vārtu pretestība- - - - |
- Vai? |
- Vai? |
0.5 |
- Vai? |
Ω |
c125 °C |
ies |
vc=25V, f=100kHz,- Vai?vĢEN=0V |
- Vai? |
51.5 |
- Vai? |
MHz |
cres |
Atgriezītais pārvedums Jauda |
- Vai? |
0.36 |
- Vai? |
MHz |
|
qg |
nF |
vĢEN=-- Vai?15...+15V |
- Vai? |
13.6 |
- Vai? |
μC |
td(uz) |
Slēgšanas kavējuma laiks |
- Vai? - Vai? vCC= 600V,Ic=900A, rg=0.51Ω, Ls=40nH,- Vai?vĢEN=-8V/+15V, tj=25oc |
- Vai? |
330 |
- Vai? |
ns |
tr |
Atkāpšanās laiks |
- Vai? |
140 |
- Vai? |
ns |
|
td(izslēgt) |
Izslēgt- Vai?Atlikušais laiks |
- Vai? |
842 |
- Vai? |
ns |
|
tf |
Nolieku laiks |
- Vai? |
84 |
- Vai? |
ns |
|
euz |
Slēgt- Vai?pārvēršana zaudējumi |
- Vai? |
144 |
- Vai? |
mJ |
|
eIzslēgt |
Izslēgtas zaudējumi |
- Vai? |
87.8 |
- Vai? |
mJ |
|
td(uz) |
Slēgšanas kavējuma laiks |
- Vai? - Vai? vCC= 600V,Ic=900A, rg=0.51Ω, Ls=40nH,- Vai?vĢEN=-8V/+15V, tj=125oc |
- Vai? |
373 |
- Vai? |
ns |
tr |
Atkāpšanās laiks |
- Vai? |
155 |
- Vai? |
ns |
|
td(izslēgt) |
Izslēgt- Vai?Atlikušais laiks |
- Vai? |
915 |
- Vai? |
ns |
|
tf |
Nolieku laiks |
- Vai? |
135 |
- Vai? |
ns |
|
euz |
Slēgt- Vai?pārvēršana zaudējumi |
- Vai? |
186 |
- Vai? |
mJ |
|
eIzslēgt |
Izslēgtas zaudējumi |
- Vai? |
104 |
- Vai? |
mJ |
|
td(uz) |
Slēgšanas kavējuma laiks |
- Vai? - Vai? vCC= 600V,Ic=900A, rg=0.51Ω, Ls=40nH,- Vai?vĢEN=-8V/+15V, tj=175oc |
- Vai? |
390 |
- Vai? |
ns |
tr |
Atkāpšanās laiks |
- Vai? |
172 |
- Vai? |
ns |
|
td(izslēgt) |
Izslēgt- Vai?Atlikušais laiks |
- Vai? |
950 |
- Vai? |
ns |
|
tf |
Nolieku laiks |
- Vai? |
162 |
- Vai? |
ns |
|
euz |
Slēgt- Vai?pārvēršana zaudējumi |
- Vai? |
209 |
- Vai? |
mJ |
|
eIzslēgt |
Izslēgtas zaudējumi |
- Vai? |
114 |
- Vai? |
mJ |
|
- Vai? - Vai? iSC |
- Vai? - Vai? SC dati |
tp≤8μs,VĢENKolektora-emiteru piesātinājums tj= 150oC,VCC= 800V,- Vai?vCEM- Vai?≤1200v |
- Vai? |
- Vai? 3200 |
- Vai? |
- Vai? a) |
tp≤6μs,VĢENKolektora-emiteru piesātinājums tj=175oC,VCC= 800V,- Vai?vCEM- Vai?≤1200v |
- Vai? |
- Vai? 3000 |
- Vai? |
- Vai? a) |
- Vai?
Dioda- Vai?īpašības- Vai?tc=25oc- Vai?ja- Vai?norādīts- Vai?atzīmēts
- Vai?
Sīkāku informāciju |
parametrs |
Testēšanas apstākļi |
Min. |
Tips. |
Maksimāli. |
Vienības |
- Vai? vf |
Diode uz priekšu spriegums |
if= 900A,VĢEN=0V,Tj=25oc |
- Vai? |
1.55 |
2.00 |
- Vai? v |
if= 900A,VĢEN=0V,Tj=125oc |
- Vai? |
1.65 |
- Vai? |
|||
if= 900A,VĢEN=0V,Tj=175oc |
- Vai? |
1.55 |
- Vai? |
|||
qr |
Atgūstamā nodeva |
- Vai? vr= 600V,If= 900A, -di/dt=4930A/μs,VĢEN=-8V,Ess=40nH- Jā,tj=25oc |
- Vai? |
91.0 |
- Vai? |
μC |
iRM |
Augstais augstums atgūšanas strāvas |
- Vai? |
441 |
- Vai? |
a) |
|
eRec |
Atgriezeniska atgūšana- Vai?enerģija |
- Vai? |
26.3 |
- Vai? |
mJ |
|
qr |
Atgūstamā nodeva |
- Vai? vr= 600V,If= 900A, -di/dt=4440A/μs,VĢEN=-8V,Ess=40nH- Jā,tj=125oc |
- Vai? |
141 |
- Vai? |
μC |
iRM |
Augstais augstums atgūšanas strāvas |
- Vai? |
493 |
- Vai? |
a) |
|
eRec |
Atgriezeniska atgūšana- Vai?enerģija |
- Vai? |
42.5 |
- Vai? |
mJ |
|
qr |
Atgūstamā nodeva |
- Vai? vr= 600V,If= 900A, -di/dt=4160A/μs,VĢEN=-8V,Ess=40nH- Jā,tj=175oc |
- Vai? |
174 |
- Vai? |
μC |
iRM |
Augstais augstums atgūšanas strāvas |
- Vai? |
536 |
- Vai? |
a) |
|
eRec |
Atgriezeniska atgūšana- Vai?enerģija |
- Vai? |
52.4 |
- Vai? |
mJ |
- Vai?
NTC- Vai?īpašības- Vai?tc=25oc- Vai?ja- Vai?norādīts- Vai?atzīmēts
- Vai?
Sīkāku informāciju |
parametrs |
Testēšanas apstākļi |
Min. |
Tips. |
Maksimāli. |
vienība |
r25 |
Nominālais pretestība |
- Vai? |
- Vai? |
5.0 |
- Vai? |
kΩ |
∆R/R |
Atkāpe- Vai?no- Vai?r100 |
tc=100- Vai?ocR100= 493,3Ω |
-5 |
- Vai? |
5 |
% |
p25 |
jauda Zudums |
- Vai? |
- Vai? |
- Vai? |
20.0 |
sv |
b25/50 |
B vērtība |
r2=R25eks[B25/501/T2- Esmu gatavs. 1/(298.15K))] |
- Vai? |
3375 |
- Vai? |
k |
b25/80 |
B vērtība |
r2=R25eks[B25/801/T2- Esmu gatavs. 1/(298.15K))] |
- Vai? |
3411 |
- Vai? |
k |
b25/100 |
B vērtība |
r2=R25eks[B25/1001/T2- Esmu gatavs. 1/(298.15K))] |
- Vai? |
3433 |
- Vai? |
k |
- Vai?
moduls- Vai?īpašības- Vai?tc=25oc- Vai?ja- Vai?norādīts- Vai?atzīmēts
- Vai?
Sīkāku informāciju |
parametrs |
Min. |
Tips. |
Maksimāli. |
vienība |
Esc |
Neatklāta induktantība |
- Vai? |
20 |
- Vai? |
nH |
rCC+EE |
Modulā ir svina pretestība, no terminala līdz čipu |
- Vai? |
0.80 |
- Vai? |
mΩ |
rTJC |
Savienojums ar lietu (par IGB)T) Savienojums ar korpusu (par Di)ode) |
- Vai? |
- Vai? |
0.044 0.076 |
K/W |
- Vai? rtCH |
Izmērs:IGBT) Izmantojiet šo metodi, lai noteiktu, vai ir nepieciešams izmantot elektrisko ierīci.r Diode) Izmērs:Modulis) |
- Vai? |
0.028 0.049 0.009 |
- Vai? |
K/W |
m |
terminala savienojuma griezes moments,- Vai?M6 skrūvis- Vai?Monta griezes moments,- Vai?M5 skrūvis |
3.0 3.0 |
- Vai? |
6.0 6.0 |
N.m. |
g |
svars- Vai?no- Vai?moduls |
- Vai? |
350 |
- Vai? |
g |
Mūsu profesionālā pārdošanas komanda gaida jūsu konsultāciju.
Jūs varat sekot viņu produktu sarakstam un uzdot jebkādus jautājumus, kas jums rūp.