visas kategorijas

1200v

1200v

mājas lapa / produkti / igbt modulis / 1200v

GD900HFA120C6S

IGBT moduļi, 1200V 900A

Brand:
STARPOWER
Spu:
GD900HFA120C6S
  • ievads
ievads

īpašības

  • Zema VCE (sat) trenažas IGBT tehnoloģija
  • īslaicīgas sakārtošanas spēja
  • VCE (sat) ar pozitīvu temperatūras koeficientu
  • MaksimālāJunkcijas temperatūra175oC
  • Zema induktivitātes kārta
  • Ātrs un mīksts atveseļošanās ātrums pret paralēlu FWD
  • Izolēta vara bāzes plāksne, izmantojot DBC tehnoloģiju

tipiska- Vai?pieteikumi

  • Hibrīda un elektriskā- Vai?vtransportlīdzekļa
  • Invertors- Vai?ar motora dzinēju
  • Neapstrādāts spēksr- Vai?piegāde

Absolūta- Vai?Maksimālā- Vai?Reitingu rādītāji- Vai?tc=25oc- Vai?ja- Vai?norādīts- Vai?atzīmēts

- Vai?

IGBT

- Vai?

Sīkāku informāciju

apraksts

Vērtības

vienība

vTips

Sildītājs-izsildītājs

1200

v

v=150 °C

Izslēgšanas-izslēgšanas spriegums

± 20

v

ic

Saldēšanas šķidrumsc=90oc

900

a)

iCM

Pulsējošais kolektorsp=1ms

1800

a)

pd

Maksimālais jaudas izmešana @ Tj=175oc

3409

w

Dioda

- Vai?

Sīkāku informāciju

apraksts

Vērtības

vienība

vRRM

Atkārtojams maksimālais atkārtots voltsvecums

1200

v

if

Dioda nepārtrauktajā priekšējā kursorāīrvalde

900

a)

iFM

Dioda maksimālais tālvadības strāvas daudzums tp=1ms

1800

a)

iFSM

Pārsprieguma uz priekšu strāva  tp=10ms  @tj=25oc- Vai?@ Tj= 150oc

4100

3000

a)

i2t

i2t-vērtība,tp=10ms  @ Tj=25oc

@ Tj= 150oc

84000

45000

a)2s

moduls

- Vai?

Sīkāku informāciju

apraksts

vērtība

vienība

tjmax

Maksimālā savienojuma temperatūra

175

oc

tžop

Darbības savienojuma temperatūra

-40 līdz +150

oc

tSTG

Uzglabāšanas temperatūras diapazons

-40 līdz +125

oc

vISO

Izolācijas spriegums RMS,f=50Hz,t=1 min

2500

v

IGBT- Vai?īpašības- Vai?tc=25oc- Vai?ja- Vai?norādīts- Vai?atzīmēts

- Vai?

Sīkāku informāciju

parametrs

Testēšanas apstākļi

Min.

Tips.

Maksimāli.

vienība

- Vai?

- Vai?

vCE (sat)

- Vai?

- Vai?

Saņēmējs - emitents

Sātumapstrādes spriegums

ic= 900A,VĢENKolektora-emiteru piesātinājums- Vai?tj=25oc

- Vai?

1.40

1.85

- Vai?

- Vai?

v

ic= 900A,VĢENKolektora-emiteru piesātinājums- Vai?tj=125oc

- Vai?

1.60

- Vai?

ic= 900A,VĢENKolektora-emiteru piesātinājums- Vai?tj=175oc

- Vai?

1.65

- Vai?

vĢEN(- - - - - -)

Vārda emitenta slieksnis- Vai?spriegums

ic=24.0māte- Jā,vc=vĢEN- Jā,- Vai?tj=25oc

5.5

6.3

7.0

v

iTips

Kolektors- Vai?Izgriežts- Esmu gatavs.Izslēgt

strāvas

vc=vTips- Jā,vĢEN=0V,

tj=25oc

- Vai?

- Vai?

1.0

māte

i=150 °C

Izslēguma emitenta noplūde- Vai?strāvas

vĢEN=v=150 °C- Jā,vc=0V,tj=25oc

- Vai?

- Vai?

400

no

rGint

Iekšējā vārtu pretestība- - - -

- Vai?

- Vai?

0.5

- Vai?

Ω

c125 °C

ies

vc=25V, f=100kHz,- Vai?vĢEN=0V

- Vai?

51.5

- Vai?

MHz

cres

Atgriezītais pārvedums

Jauda

- Vai?

0.36

- Vai?

MHz

qg

nF

vĢEN=-- Vai?15...+15V

- Vai?

13.6

- Vai?

μC

td(uz)

Slēgšanas kavējuma laiks

- Vai?

- Vai?

vCC= 600V,Ic=900A,  rg=0.51Ω, Ls=40nH,- Vai?vĢEN=-8V/+15V,

tj=25oc

- Vai?

330

- Vai?

ns

tr

Atkāpšanās laiks

- Vai?

140

- Vai?

ns

td(izslēgt)

Izslēgt- Vai?Atlikušais laiks

- Vai?

842

- Vai?

ns

tf

Nolieku laiks

- Vai?

84

- Vai?

ns

euz

Slēgt- Vai?pārvēršana

zaudējumi

- Vai?

144

- Vai?

mJ

eIzslēgt

Izslēgtas

zaudējumi

- Vai?

87.8

- Vai?

mJ

td(uz)

Slēgšanas kavējuma laiks

- Vai?

- Vai?

vCC= 600V,Ic=900A,  rg=0.51Ω, Ls=40nH,- Vai?vĢEN=-8V/+15V,

tj=125oc

- Vai?

373

- Vai?

ns

tr

Atkāpšanās laiks

- Vai?

155

- Vai?

ns

td(izslēgt)

Izslēgt- Vai?Atlikušais laiks

- Vai?

915

- Vai?

ns

tf

Nolieku laiks

- Vai?

135

- Vai?

ns

euz

Slēgt- Vai?pārvēršana

zaudējumi

- Vai?

186

- Vai?

mJ

eIzslēgt

Izslēgtas

zaudējumi

- Vai?

104

- Vai?

mJ

td(uz)

Slēgšanas kavējuma laiks

- Vai?

- Vai?

vCC= 600V,Ic=900A,  rg=0.51Ω, Ls=40nH,- Vai?vĢEN=-8V/+15V,

tj=175oc

- Vai?

390

- Vai?

ns

tr

Atkāpšanās laiks

- Vai?

172

- Vai?

ns

td(izslēgt)

Izslēgt- Vai?Atlikušais laiks

- Vai?

950

- Vai?

ns

tf

Nolieku laiks

- Vai?

162

- Vai?

ns

euz

Slēgt- Vai?pārvēršana

zaudējumi

- Vai?

209

- Vai?

mJ

eIzslēgt

Izslēgtas

zaudējumi

- Vai?

114

- Vai?

mJ

- Vai?

- Vai?

iSC

- Vai?

- Vai?

SC dati

tp≤8μs,VĢENKolektora-emiteru piesātinājums

tj= 150oC,VCC= 800V,- Vai?vCEM- Vai?1200v

- Vai?

- Vai?

3200

- Vai?

- Vai?

a)

tp≤6μs,VĢENKolektora-emiteru piesātinājums

tj=175oC,VCC= 800V,- Vai?vCEM- Vai?1200v

- Vai?

- Vai?

3000

- Vai?

- Vai?

a)

- Vai?

Dioda- Vai?īpašības- Vai?tc=25oc- Vai?ja- Vai?norādīts- Vai?atzīmēts

- Vai?

Sīkāku informāciju

parametrs

Testēšanas apstākļi

Min.

Tips.

Maksimāli.

Vienības

- Vai?

vf

Diode uz priekšu

spriegums

if= 900A,VĢEN=0V,Tj=25oc

- Vai?

1.55

2.00

- Vai?

v

if= 900A,VĢEN=0V,Tj=125oc

- Vai?

1.65

- Vai?

if= 900A,VĢEN=0V,Tj=175oc

- Vai?

1.55

- Vai?

qr

Atgūstamā nodeva

- Vai?

vr= 600V,If= 900A,

-di/dt=4930A/μs,VĢEN=-8V,Ess=40nH- Jā,tj=25oc

- Vai?

91.0

- Vai?

μC

iRM

Augstais augstums

atgūšanas strāvas

- Vai?

441

- Vai?

a)

eRec

Atgriezeniska atgūšana- Vai?enerģija

- Vai?

26.3

- Vai?

mJ

qr

Atgūstamā nodeva

- Vai?

vr= 600V,If= 900A,

-di/dt=4440A/μs,VĢEN=-8V,Ess=40nH- Jā,tj=125oc

- Vai?

141

- Vai?

μC

iRM

Augstais augstums

atgūšanas strāvas

- Vai?

493

- Vai?

a)

eRec

Atgriezeniska atgūšana- Vai?enerģija

- Vai?

42.5

- Vai?

mJ

qr

Atgūstamā nodeva

- Vai?

vr= 600V,If= 900A,

-di/dt=4160A/μs,VĢEN=-8V,Ess=40nH- Jā,tj=175oc

- Vai?

174

- Vai?

μC

iRM

Augstais augstums

atgūšanas strāvas

- Vai?

536

- Vai?

a)

eRec

Atgriezeniska atgūšana- Vai?enerģija

- Vai?

52.4

- Vai?

mJ

- Vai?

NTC- Vai?īpašības- Vai?tc=25oc- Vai?ja- Vai?norādīts- Vai?atzīmēts

- Vai?

Sīkāku informāciju

parametrs

Testēšanas apstākļi

Min.

Tips.

Maksimāli.

vienība

r25

Nominālais pretestība

- Vai?

- Vai?

5.0

- Vai?

∆R/R

Atkāpe- Vai?no- Vai?r100

tc=100- Vai?ocR100= 493,3Ω

-5

- Vai?

5

%

p25

jauda

Zudums

- Vai?

- Vai?

- Vai?

20.0

sv

b25/50

B vērtība

r2=R25eks[B25/501/T2- Esmu gatavs.

1/(298.15K))]

- Vai?

3375

- Vai?

k

b25/80

B vērtība

r2=R25eks[B25/801/T2- Esmu gatavs.

1/(298.15K))]

- Vai?

3411

- Vai?

k

b25/100

B vērtība

r2=R25eks[B25/1001/T2- Esmu gatavs.

1/(298.15K))]

- Vai?

3433

- Vai?

k

- Vai?

moduls- Vai?īpašības- Vai?tc=25oc- Vai?ja- Vai?norādīts- Vai?atzīmēts

- Vai?

Sīkāku informāciju

parametrs

Min.

Tips.

Maksimāli.

vienība

Esc

Neatklāta induktantība

- Vai?

20

- Vai?

nH

rCC+EE

Modulā ir svina pretestība, no terminala līdz čipu

- Vai?

0.80

- Vai?

rTJC

Savienojums ar lietu (par IGB)T)

Savienojums ar korpusu (par Di)ode)

- Vai?

- Vai?

0.044

0.076

K/W

- Vai?

rtCH

Izmērs:IGBT)

Izmantojiet šo metodi, lai noteiktu, vai ir nepieciešams izmantot elektrisko ierīci.r Diode)

Izmērs:Modulis)

- Vai?

0.028

0.049

0.009

- Vai?

K/W

m

terminala savienojuma griezes moments,- Vai?M6 skrūvis- Vai?Monta griezes moments,- Vai?M5 skrūvis

3.0

3.0

- Vai?

6.0

6.0

N.m.

g

svars- Vai?no- Vai?moduls

- Vai?

350

- Vai?

g

saņemt bezmaksas piedāvājumu

Mūsu pārstāvis drīz jūs sazinās.
Email
nosaukums
uzņēmuma nosaukums
ziņojums
0/1000

saistītais produkts

Vai jums ir jautājumi par kādiem produktiem?

Mūsu profesionālā pārdošanas komanda gaida jūsu konsultāciju.
Jūs varat sekot viņu produktu sarakstam un uzdot jebkādus jautājumus, kas jums rūp.

saņemt citu

saņemt bezmaksas piedāvājumu

Mūsu pārstāvis drīz jūs sazinās.
Email
nosaukums
uzņēmuma nosaukums
ziņojums
0/1000