IGBT modulis 1200V

Sīkāku informāciju

apraksts

vērtība

vienība

vTips

Sildītājs-izsildītājs

1200

v

v=150 °C

Izslēgšanas-izslēgšanas spriegums

±30

v

ic

Saldēšanas šķidrumsc=25oc

@ Tc=- Vai?100oc

1250

800

a)

iCM

Pulsējošais kolektorsp=- Vai?Diodes maksimālā uzpriekšējā

1600

a)

pd

Maksimālais jaudas izmešana @ Tj=175oc

4166

w

Sīkāku informāciju

apraksts

vērtība

vienība

vRRM

Atkārtojams maksimālais atkārtots spriegums

1200

v

if

Dioda nepārtrauktajā priekšējā kursorāīrvalde

800

a)

iFM

Dioda maksimālais tālvadības strāvas daudzums tp=1ms

1600

a)

Sīkāku informāciju

apraksts

vērtība

vienība

tjmax

Maksimālā savienojuma temperatūra

175

oc

tžop

Darbības savienojuma temperatūra

-40 līdz +150

oc

tSTG

uzglabāšanas temperatūraRažotājs

-40 līdz +125

oc

vISO

Izolācijas spriegums RMS,f=50Hz,t=1min

2500

v

Sīkāku informāciju

parametrs

Testēšanas apstākļi

Min.

Tips.

Maksimāli.

vienība

- Vai?

- Vai?

vCE (sat)

- Vai?

- Vai?

Saņēmējs - emitents

Sātumapstrādes spriegums

ic=800A,VĢEN=- Vai?15 V,tj=25oc

- Vai?

1.70

2.15

- Vai?

- Vai?

v

ic=800A,VĢEN=- Vai?15 V,tj=125oc

- Vai?

1.95

- Vai?

ic=800A,VĢEN=- Vai?15 V,tj= 150oc

- Vai?

2.00

- Vai?

vĢEN(- - - - - -)

Vārda emitenta slieksnis- Vai?spriegums

ic=32.0māte- Jā,vc=vĢEN- Jā,- Vai?tj=25oc

5.0

5.7

6.5

v

iTips

Kolektors- Vai?Izgriežts- Esmu gatavs.Izslēgt

strāvas

vc=vTips- Jā,vĢEN=0V,

tj=25oc

- Vai?

- Vai?

5.0

māte

i=150 °C

Izslēguma emitenta noplūde- Vai?strāvas

vĢEN=v=150 °C- Jā,vc=0V,tj=25oc

- Vai?

- Vai?

400

no

rGint

Iekšējā vārtu pretestība- - - -

- Vai?

- Vai?

0.13

- Vai?

Ω

c125 °C

ies

vc=30V,f=1MHz,

vĢEN=0V

- Vai?

79.2

- Vai?

MHz

cres

Atgriezītais pārvedums

Jauda

- Vai?

2.40

- Vai?

MHz

qg

nF

vĢEN=- Vai?15V

- Vai?

4.80

- Vai?

μC

td(uz)

Slēgšanas kavējuma laiks

- Vai?

- Vai?

vCC= 600V,Ic=800A,- Vai?rg=- Vai?1.0Ω,

vĢEN=±15V,tj=25oc

- Vai?

408

- Vai?

ns

tr

Atkāpšanās laiks

- Vai?

119

- Vai?

ns

td(Izslēgt)

Izslēgt- Vai?Atlikušais laiks

- Vai?

573

- Vai?

ns

tf

Nolieku laiks

- Vai?

135

- Vai?

ns

euz

Slēgt- Vai?pārvēršana

zaudējumi

- Vai?

21.0

- Vai?

mJ

eIzslēgt

Izslēgtas

zaudējumi

- Vai?

72.4

- Vai?

mJ

td(uz)

Slēgšanas kavējuma laiks

- Vai?

- Vai?

vCC= 600V,Ic=800A,- Vai?rg=- Vai?1.0Ω,

vĢEN=±15V,- Vai?tj=- Vai?125oc

- Vai?

409

- Vai?

ns

tr

Atkāpšanās laiks

- Vai?

120

- Vai?

ns

td(Izslēgt)

Izslēgt- Vai?Atlikušais laiks

- Vai?

632

- Vai?

ns

tf

Nolieku laiks

- Vai?

188

- Vai?

ns

euz

Slēgt- Vai?pārvēršana

zaudējumi

- Vai?

26.4

- Vai?

mJ

eIzslēgt

Izslēgtas

zaudējumi

- Vai?

107

- Vai?

mJ

td(uz)

Slēgšanas kavējuma laiks

- Vai?

- Vai?

vCC= 600V,Ic=800A,- Vai?rg=- Vai?1.0Ω,

vĢEN=±15V,- Vai?tj=- Vai?150oc

- Vai?

410

- Vai?

ns

tr

Atkāpšanās laiks

- Vai?

123

- Vai?

ns

td(Izslēgt)

Izslēgt- Vai?Atlikušais laiks

- Vai?

638

- Vai?

ns

tf

Nolieku laiks

- Vai?

198

- Vai?

ns

euz

Slēgt- Vai?pārvēršana

zaudējumi

- Vai?

28.8

- Vai?

mJ

eIzslēgt

Izslēgtas

zaudējumi

- Vai?

112

- Vai?

mJ

- Vai?

iSC

- Vai?

SC dati

tp≤ 10 μs,VĢEN=- Vai?15 V,

tj= 150oC,VCC= 900V,- Vai?vCEM≤ 1200V

- Vai?

- Vai?

3200

- Vai?

- Vai?

a)

Sīkāku informāciju

parametrs

Testēšanas apstākļi

Min.

Tips.

Maksimāli.

vienība

- Vai?

vf

Diode uz priekšu

spriegums

if=800A,VĢEN=0V,Tj=25oc

- Vai?

1.80

2.25

- Vai?

v

if=800A,VĢEN=0V,Tj=- Vai?125oc

- Vai?

1.85

- Vai?

if=800A,VĢEN=0V,Tj=- Vai?150oc

- Vai?

1.85

- Vai?

qr

Atgūstamā nodeva

vr= 600V,If=800A,

-di/dt=6700A/μs,

vĢEN=-- Vai?15Vtj=25oc

- Vai?

81.0

- Vai?

μC

iRM

Augstais augstums

atgūšanas strāvas

- Vai?

518

- Vai?

a)

eRec

Atgriezeniska atgūšanaenerģija

- Vai?

39.4

- Vai?

mJ

qr

Atgūstamā nodeva

vr= 600V,If=800A,

-di/dt=6700A/μs,

vĢEN=-- Vai?15V- Vai?tj=- Vai?125oc

- Vai?

136

- Vai?

μC

iRM

Augstais augstums

atgūšanas strāvas

- Vai?

646

- Vai?

a)

eRec

Atgriezeniska atgūšanaenerģija

- Vai?

65.2

- Vai?

mJ

qr

Atgūstamā nodeva

vr= 600V,If=800A,

-di/dt=6700A/μs,VĢEN=-- Vai?15V- Vai?tj=- Vai?150oc

- Vai?

155

- Vai?

μC

iRM

Augstais augstums

atgūšanas strāvas

- Vai?

684

- Vai?

a)

eRec

Atgriezeniska atgūšanaenerģija

- Vai?

76.6

- Vai?

mJ

Sīkāku informāciju

parametrs

Min.

Tips.

Maksimāli.

vienība

Esc

Neatklāta induktantība

- Vai?

- Vai?

20

nH

rCC+EE

Modulā "Rūgtumvirsme",Termināls uz čipu

- Vai?

0.18

- Vai?

mΩ

rTJC

Savienojums ar lietu (par IGB)T)

Savienojums ar kārtu (par D)jods)

- Vai?

- Vai?

0.036

0.048

K/W

- Vai?

rtCH

Izmērs:IGBT)

Izmantojiet šo metodi, lai noteiktu temperatūras līmeni.diodes)

Izmērs:Modulis)

- Vai?

0.123

0.163

0.035

- Vai?

K/W

- Vai?

m

terminala savienojuma griezes moments,- Vai?Skrūve M4- Vai?Termināla savienojums Griezes moments,- Vai?M6 skrūvis- Vai?Monta griezes moments,- Vai?M6 skrūvis

1.1

2.5

3.0

- Vai?

2.0

5.0

5.0

- Vai?

N.m.

g

svars- Vai?no- Vai?moduls

- Vai?

300

- Vai?

g