1700V 800A
Īss ievads
IGBT modulis , ražots no STARPOWER. 1700V 800A.
Iespējas
Tipiska Lietojumi
Absolūta Maksimālā Reitingu rādītāji T C =25 O C ja norādīts atzīmēts
IGBT
Sīkāku informāciju | Apraksts | vērtību | Drošības un drošības politika |
V Tips | Sildītājs-izsildītājs | 1700 | V |
V =150 °C | Izslēgšanas-izslēgšanas spriegums | ±20 | V |
I C | Kolektora strāva @ T C =25 O C @ T C =80 O C | 1050 800 | A |
I CM | Impulsu kolektora strāva t p =1ms | 1600 | A |
p D | Maksimālā jauda Dissipācija @ T j =175 O C | 4.85 | KW |
Dioda
Sīkāku informāciju | Apraksts | vērtību | Drošības un drošības politika |
V RRM | Atkārtojams maksimālais atkārtots spriegums | 1700 | V |
I F | Dioda nepārtrauktajā priekšējā kursorā īrvalde | 800 | A |
I FM | Diodes maksimālā priekšējā strāva t p =1ms | 1600 | A |
modulis
Sīkāku informāciju | Apraksts | vērtību | Drošības un drošības politika |
T jmax | Maksimālā savienojuma temperatūra | 175 | O C |
T žop | Darbības savienojuma temperatūra | -40 līdz +150 | O C |
T STG | uzglabāšanas temperatūra Diapazons | -40 līdz +125 | O C |
V ISO | Izolācijas spriegums RMS,f=50Hz,t=1 min | 4000 | V |
IGBT raksturlielumi T C =25 O C ja norādīts atzīmēts
Sīkāku informāciju | Parametrs | Testēšanas apstākļi | Min. | Tips. | Max. | Drošības un drošības politika |
V CE (sat) |
Saņēmējs - emitents Sātumapstrādes spriegums | I C =800A,V ĢEN Kolektora-emiteru piesātinājums T j =25 O C |
| 2.50 | 2.95 |
V |
I C =800A,V ĢEN Kolektora-emiteru piesātinājums T j =125 O C |
| 3.00 |
| |||
I C =800A,V ĢEN Kolektora-emiteru piesātinājums T j = 150 O C |
| 3.10 |
| |||
V ĢEN (ts ) | Vārda emitenta slieksnis Spriegums | I C =32.0 mA ,V CE = V ĢEN , T j =25 O C | 5.4 |
| 7.4 | V |
I Tips | Kolektors Izgriežts -Izslēgt Pašreiz | V CE = V Tips ,V ĢEN =0V, T j =25 O C |
|
| 5.0 | mA |
I =150 °C | Izslēguma emitenta noplūde Pašreiz | V ĢEN = V =150 °C ,V CE =0V, T j =25 O C |
|
| 400 | nA |
C 125 °C | ies | V CE =25V, f=1MHz, V ĢEN =0V |
| 54.0 |
| MHz |
C pretestība | Atgriezītais pārvedums Jauda |
| 1.84 |
| MHz | |
Q G | nF | V ĢEN =- 15...+15V |
| 6.2 |
| μC |
T D (ieslēgta ) | Slēgšanas kavējuma laiks |
V CC = 900V,I C =800A, r G = 1.5Ω, V ĢEN =±15V, T j =25 O C |
| 235 |
| ns |
T r | Atkāpšanās laiks |
| 110 |
| ns | |
T D (Izslēgt ) | Izslēgt Atlikušais laiks |
| 390 |
| ns | |
T F | Nolieku laiks |
| 145 |
| ns | |
E ieslēgta | Slēgt Pārslēgšana zaudējumi |
| 216 |
| mJ | |
E Izslēgt | Izslēgtas zaudējumi |
| 152 |
| mJ | |
T D (ieslēgta ) | Slēgšanas kavējuma laiks |
V CC = 900V,I C =800A, r G = 1.5Ω, V ĢEN =±15V, T j = 125O C |
| 250 |
| ns |
T r | Atkāpšanās laiks |
| 120 |
| ns | |
T D (Izslēgt ) | Izslēgt Atlikušais laiks |
| 475 |
| ns | |
T F | Nolieku laiks |
| 155 |
| ns | |
E ieslēgta | Slēgt Pārslēgšana zaudējumi |
| 280 |
| mJ | |
E Izslēgt | Izslēgtas zaudējumi |
| 232 |
| mJ | |
T D (ieslēgta ) | Slēgšanas kavējuma laiks |
V CC = 900V,I C =800A, r G = 1.5Ω, V ĢEN =±15V, T j = 150O C |
| 254 |
| ns |
T r | Atkāpšanās laiks |
| 125 |
| ns | |
T D (Izslēgt ) | Izslēgt Atlikušais laiks |
| 500 |
| ns | |
T F | Nolieku laiks |
| 160 |
| ns | |
E ieslēgta | Slēgt Pārslēgšana zaudējumi |
| 312 |
| mJ | |
E Izslēgt | Izslēgtas zaudējumi |
| 256 |
| mJ | |
I SC |
SC dati | T p ≤ 10 μs,V ĢEN Kolektora-emiteru piesātinājums T j = 150 O C,V CC = 1000V, V CEM ≤ 1700V |
|
2480 |
|
A |
Dioda raksturlielumi T C =25 O C ja norādīts atzīmēts
Sīkāku informāciju | Parametrs | Testēšanas apstākļi | Min. | Tips. | Max. | Drošības un drošības politika |
V F | Diode uz priekšu Spriegums | I F =800A,V ĢEN =0V, T j =25 O C |
| 1.80 | 2.25 |
V |
I F =800A,V ĢEN =0V, T j = 125O C |
| 1.95 |
| |||
I F =800A,V ĢEN =0V, T j = 150O C |
| 1.90 |
| |||
Q r | Atgūstamā nodeva | V CC = 900V,I F =800A, -di/dt=8400A/μs,V ĢEN =±15V, T j =25 O C |
| 232 |
| μC |
I RM | Augstais augstums atgūšanas strāvas |
| 720 |
| A | |
E Rec | Atgriezeniska atgūšana enerģija |
| 134 |
| mJ | |
Q r | Atgūstamā nodeva | V CC = 900V,I F =800A, -di/dt=8400A/μs,V ĢEN =±15V, T j = 125O C |
| 360 |
| μC |
I RM | Augstais augstums atgūšanas strāvas |
| 840 |
| A | |
E Rec | Atgriezeniska atgūšana enerģija |
| 222 |
| mJ | |
Q r | Atgūstamā nodeva | V CC = 900V,I F =800A, -di/dt=8400A/μs,V ĢEN =±15V, T j = 150O C |
| 424 |
| μC |
I RM | Augstais augstums atgūšanas strāvas |
| 880 |
| A | |
E Rec | Atgriezeniska atgūšana enerģija |
| 259 |
| mJ |
modulis raksturlielumi T C =25 O C ja norādīts atzīmēts
Sīkāku informāciju | Parametrs | Min. | Tips. | Max. | Drošības un drošības politika |
Garums CE | Neatklāta induktantība |
| 20 |
| nH |
r CC+EE | Modulā "Rūgtumvirsme", termināls uz čipu |
| 0.37 |
| mΩ |
r θ JC | Savienojums ar lietu (par IGB) T) Savienojums ar kārtu (par D) jods) |
|
| 30.9 49.0 | K/kW |
r θ CS | Korpuss uz siltuma izkliedētāju (katram IGBT) Korpuss uz siltuma izkliedētāju (katram diodam) |
| 19.6 31.0 |
| K/kW |
r θ CS | Korpuss uz siltuma izkliedētāju |
| 6.0 |
| K/kW |
m | terminala savienojuma griezes moments, Skrūve M4 Termināla savienojums Griezes moments, Skrūve M8 Monta griezes moments, M6 skrūvis | 1.8 8.0 4.25 |
| 2.1 10 5.75 |
N.m. |
G | Svars of modulis |
| 1500 |
| G |
Mūsu profesionālā pārdošanas komanda gaida jūsu konsultāciju.
Jūs varat sekot viņu produktu sarakstam un uzdot jebkādus jautājumus, kas jums rūp.