Visas kategorijas

IGBT modulis 1700V

IGBT modulis 1700V

Sākumlapa /  Produkti /  IGBT modulis /  IGBT modulis 1700V

GD800HFL170C3S,IGBT modulis,STARPOWER

1700V 800A

Brand:
STARPOWER
Spu:
GD800HFL170C3S
  • Ievads
  • Kontūra
Ievads

Īss ievads

IGBT modulis , ražots no STARPOWER. 1700V 800A.

Iespējas

  • Zema VCE (sat) SPT+ IGBT tehnoloģija
  • 10 μs īslaicīgas sakārtošanas spēja
  • VCE (sat) ar pozitīvs Temperatūra koeficients
  • Maksimālā savienojuma temperatūra 175oC
  • Zema induktivitātes kārta
  • Ātrs un mīksts atveseļošanās ātrums pret paralēlu FWD
  • Izolēta vara bāzes plāksne, izmantojot DBC tehnoloģiju

Tipiska Lietojumi

  • Augstas jaudas pārveidotāji
  • Motora vadītāji
  • Vēja turbīnas

Absolūta Maksimālā Reitingu rādītāji T C =25 O C ja norādīts atzīmēts

IGBT

Sīkāku informāciju

Apraksts

vērtību

Drošības un drošības politika

V Tips

Sildītājs-izsildītājs

1700

V

V =150 °C

Izslēgšanas-izslēgšanas spriegums

±20

V

I C

Kolektora strāva @ T C =25 O C

@ T C =80 O C

1050

800

A

I CM

Impulsu kolektora strāva t p =1ms

1600

A

p D

Maksimālā jauda Dissipācija @ T j =175 O C

4.85

KW

Dioda

Sīkāku informāciju

Apraksts

vērtību

Drošības un drošības politika

V RRM

Atkārtojams maksimālais atkārtots spriegums

1700

V

I F

Dioda nepārtrauktajā priekšējā kursorā īrvalde

800

A

I FM

Diodes maksimālā priekšējā strāva t p =1ms

1600

A

modulis

Sīkāku informāciju

Apraksts

vērtību

Drošības un drošības politika

T jmax

Maksimālā savienojuma temperatūra

175

O C

T žop

Darbības savienojuma temperatūra

-40 līdz +150

O C

T STG

uzglabāšanas temperatūra Diapazons

-40 līdz +125

O C

V ISO

Izolācijas spriegums RMS,f=50Hz,t=1 min

4000

V

IGBT raksturlielumi T C =25 O C ja norādīts atzīmēts

Sīkāku informāciju

Parametrs

Testēšanas apstākļi

Min.

Tips.

Max.

Drošības un drošības politika

V CE (sat)

Saņēmējs - emitents

Sātumapstrādes spriegums

I C =800A,V ĢEN Kolektora-emiteru piesātinājums T j =25 O C

2.50

2.95

V

I C =800A,V ĢEN Kolektora-emiteru piesātinājums T j =125 O C

3.00

I C =800A,V ĢEN Kolektora-emiteru piesātinājums T j = 150 O C

3.10

V ĢEN (ts )

Vārda emitenta slieksnis Spriegums

I C =32.0 mA ,V CE = V ĢEN , T j =25 O C

5.4

7.4

V

I Tips

Kolektors Izgriežts -Izslēgt

Pašreiz

V CE = V Tips ,V ĢEN =0V,

T j =25 O C

5.0

mA

I =150 °C

Izslēguma emitenta noplūde Pašreiz

V ĢEN = V =150 °C ,V CE =0V, T j =25 O C

400

nA

C 125 °C

ies

V CE =25V, f=1MHz,

V ĢEN =0V

54.0

MHz

C pretestība

Atgriezītais pārvedums

Jauda

1.84

MHz

Q G

nF

V ĢEN =- 15...+15V

6.2

μC

T D (ieslēgta )

Slēgšanas kavējuma laiks

V CC = 900V,I C =800A, r G = 1.5Ω,

V ĢEN =±15V, T j =25 O C

235

ns

T r

Atkāpšanās laiks

110

ns

T D (Izslēgt )

Izslēgt Atlikušais laiks

390

ns

T F

Nolieku laiks

145

ns

E ieslēgta

Slēgt Pārslēgšana

zaudējumi

216

mJ

E Izslēgt

Izslēgtas

zaudējumi

152

mJ

T D (ieslēgta )

Slēgšanas kavējuma laiks

V CC = 900V,I C =800A, r G = 1.5Ω,

V ĢEN =±15V, T j = 125O C

250

ns

T r

Atkāpšanās laiks

120

ns

T D (Izslēgt )

Izslēgt Atlikušais laiks

475

ns

T F

Nolieku laiks

155

ns

E ieslēgta

Slēgt Pārslēgšana

zaudējumi

280

mJ

E Izslēgt

Izslēgtas

zaudējumi

232

mJ

T D (ieslēgta )

Slēgšanas kavējuma laiks

V CC = 900V,I C =800A,

r G = 1.5Ω,

V ĢEN =±15V, T j = 150O C

254

ns

T r

Atkāpšanās laiks

125

ns

T D (Izslēgt )

Izslēgt Atlikušais laiks

500

ns

T F

Nolieku laiks

160

ns

E ieslēgta

Slēgt Pārslēgšana

zaudējumi

312

mJ

E Izslēgt

Izslēgtas

zaudējumi

256

mJ

I SC

SC dati

T p ≤ 10 μs,V ĢEN Kolektora-emiteru piesātinājums

T j = 150 O C,V CC = 1000V, V CEM ≤ 1700V

2480

A

Dioda raksturlielumi T C =25 O C ja norādīts atzīmēts

Sīkāku informāciju

Parametrs

Testēšanas apstākļi

Min.

Tips.

Max.

Drošības un drošības politika

V F

Diode uz priekšu

Spriegums

I F =800A,V ĢEN =0V, T j =25 O C

1.80

2.25

V

I F =800A,V ĢEN =0V, T j = 125O C

1.95

I F =800A,V ĢEN =0V, T j = 150O C

1.90

Q r

Atgūstamā nodeva

V CC = 900V,I F =800A,

-di/dt=8400A/μs,V ĢEN =±15V, T j =25 O C

232

μC

I RM

Augstais augstums

atgūšanas strāvas

720

A

E Rec

Atgriezeniska atgūšana enerģija

134

mJ

Q r

Atgūstamā nodeva

V CC = 900V,I F =800A,

-di/dt=8400A/μs,V ĢEN =±15V, T j = 125O C

360

μC

I RM

Augstais augstums

atgūšanas strāvas

840

A

E Rec

Atgriezeniska atgūšana enerģija

222

mJ

Q r

Atgūstamā nodeva

V CC = 900V,I F =800A,

-di/dt=8400A/μs,V ĢEN =±15V, T j = 150O C

424

μC

I RM

Augstais augstums

atgūšanas strāvas

880

A

E Rec

Atgriezeniska atgūšana enerģija

259

mJ

modulis raksturlielumi T C =25 O C ja norādīts atzīmēts

Sīkāku informāciju

Parametrs

Min.

Tips.

Max.

Drošības un drošības politika

Garums CE

Neatklāta induktantība

20

nH

r CC+EE

Modulā "Rūgtumvirsme", termināls uz čipu

0.37

r θ JC

Savienojums ar lietu (par IGB) T)

Savienojums ar kārtu (par D) jods)

30.9

49.0

K/kW

r θ CS

Korpuss uz siltuma izkliedētāju (katram IGBT)

Korpuss uz siltuma izkliedētāju (katram diodam)

19.6

31.0

K/kW

r θ CS

Korpuss uz siltuma izkliedētāju

6.0

K/kW

m

terminala savienojuma griezes moments, Skrūve M4 Termināla savienojums Griezes moments, Skrūve M8 Monta griezes moments, M6 skrūvis

1.8

8.0

4.25

2.1

10

5.75

N.m.

G

Svars of modulis

1500

G

Kontūra

Iegūstiet bezmaksas piedāvājumu

Mūsu pārstāvis drīz sazināsies ar jums.
Email
Vārds
Uzņēmuma nosaukums
Ziņojums
0/1000

SAISTĪTS PRODUKTS

Vai jums ir jautājumi par kādiem produktiem?

Mūsu profesionālā pārdošanas komanda gaida jūsu konsultāciju.
Jūs varat sekot viņu produktu sarakstam un uzdot jebkādus jautājumus, kas jums rūp.

Iegūstiet piedāvājumu

Iegūstiet bezmaksas piedāvājumu

Mūsu pārstāvis drīz sazināsies ar jums.
Email
Vārds
Uzņēmuma nosaukums
Ziņojums
0/1000