IGBT moduļi, 1200V 800A
īpašības
tipiska- Vai?pieteikumi
Absolūtās maksimālās vērtībastc=25°C- Vai?ja vien nav citādiTeds
- Vai?
Sīkāku informāciju | apraksts | GD800HFL120C3S | Vienības |
vTips | Sildītājs-izsildītājs | 1200 | v |
v=150 °C | Izslēgšanas-izslēgšanas spriegums | ±20 | v |
ic | @ Tc=25°C @ Tc=80°C | 1250 | a) |
800 | |||
iCM(1) | Pulsējošais kolektorsp=- Vai?Diodes maksimālā uzpriekšējā | 1600 | a) |
if | Dioda nepārtraukta tālvadība | 800 | a) |
iFM | Dioda maksimālais tālvadības strāvas daudzums | 1600 | a) |
pd | Maksimālā jaudatj= 150°C | 4310 | w |
tSC | Īssavienojuma izturības laiks @ Tj=125°C | 10 | μs |
tj | Darbības savienojuma temperatūra | -40 līdz- Vai?+150 | °C |
tSTG | Uzglabāšanas temperatūras diapazons | -40 līdz- Vai?+125 | °C |
i2T-vērtība, diode | vr=0V, t=10ms, Tj=125°C | 140 | kA2s |
vISO | Izolācijas spriegums RMS,f=50Hz,t=1min | 2500 | v |
uzstādīšana griezes moments | Jaudas termināls- Vai?Šķirbju:M4 Jaudas termināls- Vai?Šķirbju:M8 | 1.7 līdz- Vai?2.3 8.0 līdz- Vai?10 | N.m. |
uzstādīšana- Vai?Šķirbju:M6 | 4.25 līdz- Vai?5.75 | N.m. |
- Vai?
Elektriskās īpašības- Vai?IGBTtc=25°C- Vai?ja vien nav norādīts citādi
Neattīrīti
- Vai?
Sīkāku informāciju | parametrs | Testēšanas apstākļi | Min. | Tips. | Maksimāli. | Vienības |
bv- Vai?Tips | Sadarbības partneris Slēgšanas spriegums | tj=25°C | 1200 | - Vai? | - Vai? | v |
iTips | Kolektors- Vai?Izgriežts- Esmu gatavs.Izslēgt- Vai?strāvas | vc=VTipsVĢEN=0V,- Vai?tj=25°C | - Vai? | - Vai? | 5.0 | māte |
i=150 °C | Izslēguma emitenta noplūde strāvas | vĢEN=V=150 °CVc=0V,- Vai?tj=25°C | - Vai? | - Vai? | 400 | no |
Par raksturlielumiem
- Vai?
Sīkāku informāciju | parametrs | Testēšanas apstākļi | Min. | Tips. | Maksimāli. | Vienības |
vGE (š) | Vārda emitenta slieksnis spriegums | ic= 32mA,Vc=VĢEN- Jā,- Vai?tj=25°C | 5.0 | 6.2 | 7.0 | v |
- Vai? - Vai? vCE (sat) | - Vai? Saņēmējs - emitents Sātumapstrādes spriegums | ic=800A,VĢENKolektora-emiteru piesātinājums- Vai?tj=25°C | - Vai? | 1.8 | - Vai? | - Vai? - Vai? v |
ic=800A,VĢENKolektora-emiteru piesātinājums- Vai?tj=125°C | - Vai? | 2.0 | - Vai? |
Izmainīt raksturuiztikā
- Vai?
Sīkāku informāciju | parametrs | Testēšanas apstākļi | Min. | Tips. | Maksimāli. | Vienības |
qĢEN | nF | ic=800A,Vc=600V, vĢEN=-15...+15V | - Vai? | 11.5 | - Vai? | μC |
td ((on) | Slēgšanas kavējuma laiks | vCC= 600V,Ic=800A, rGons=3,3Ω, rGoff= 0,39Ω, vĢEN- Vai?=±15V,Tj=25°C | - Vai? | 600 | - Vai? | ns |
tr | Atkāpšanās laiks | - Vai? | 230 | - Vai? | ns | |
td(Izslēgt) | Izslēgt- Vai?Atlikušais laiks | - Vai? | 820 | - Vai? | ns | |
tf | Nolieku laiks | - Vai? | 150 | - Vai? | ns | |
td ((on) | Slēgšanas kavējuma laiks | - Vai? vCC= 600V,Ic=800A, rGons=3,3Ω, rGoff= 0,39Ω, vĢEN- Vai?=±15V,Tj=125°C | - Vai? | 660 | - Vai? | ns |
tr | Atkāpšanās laiks | - Vai? | 220 | - Vai? | ns | |
td(Izslēgt) | Izslēgt- Vai?Atlikušais laiks | - Vai? | 960 | - Vai? | ns | |
tf | Nolieku laiks | - Vai? | 180 | - Vai? | ns | |
euz | Slēgt- Vai?Izmaiņas zaudējumi | - Vai? | 160 | - Vai? | mJ | |
eIzslēgt | Izslēgšanas slēgšanas zudums | - Vai? | 125 | - Vai? | mJ | |
c125 °C | ies | - Vai? vc=25V, f=1MHz, vĢEN=0V | - Vai? | 61.8 | - Vai? | MHz |
cejs | Izvades jauda | - Vai? | 4.2 | - Vai? | MHz | |
cres | Atgriezītais pārvedums Jauda | - Vai? | 2.7 | - Vai? | MHz | |
- Vai? iSC | - Vai? SC dati | tsc≤10 μs, VĢENKolektora-emiteru piesātinājums- Vai?tj=125°C- Jā, vCC= 900V,- Vai?vCEM- Vai?≤1200v | - Vai? | - Vai? 3760 | - Vai? | - Vai? a) |
Esc | Neatklāta induktantība | - Vai? | - Vai? | 20 | - Vai? | nH |
rCC+EE' | Modula vedlejuma pretestībac)- Vai?termināls uz čipu | tc=25°C | - Vai? | 0.18 | - Vai? | mΩ |
- Vai?
elektriskie- Vai?īpašības- Vai?no- Vai?Dioda- Vai?tc=25°C- Vai?ja- Vai?norādīts- Vai?atzīmēts
- Vai?
Sīkāku informāciju | parametrs | Testēšanas apstākļi | Min. | Tips. | Maksimāli. | Vienības | |
vf | Diode uz priekšu spriegums | if=800A | tj=25°C | - Vai? | 2.4 | - Vai? | v |
tj=125°C | - Vai? | 2.2 | - Vai? | ||||
qr | Dioda atkārtots atgūstamās izmaksas | - Vai? - Vai? if=800A, vr=600V, di/dt=-3600A/μs,- Vai?vĢEN=-15V | tj=25°C | - Vai? | 37 | - Vai? | μC |
tj=125°C | - Vai? | 90 | - Vai? | ||||
- Vai? iRM | Dioda virsmas Atgriezeniska atgūšana- Vai?strāvas | tj=25°C | - Vai? | 260 | - Vai? | - Vai? a) | |
tj=125°C | - Vai? | 400 | - Vai? | ||||
eRec | Atgriezeniska atgūšana- Vai?enerģija | tj=25°C | - Vai? | 9 | - Vai? | mJ | |
tj=125°C | - Vai? | 24 | - Vai? |
- Vai?
Termisko īpašību apraksts
- Vai?
Sīkāku informāciju | parametrs | Tips. | Maksimāli. | Vienības |
rθJC | IGBT daļas, kas ir savienotas ar korpusu- Vai?1/2 moduļa) | - Vai? | 0.029 | K/W |
rθJC | "Slēgtā" (diodē) daļa- Vai?1/2 moduļa) | - Vai? | 0.052 | K/W |
rθCS | Korpuss uz siltuma izkliedētāju (Pielieto konduktīva tauku,Modulis) | 0.006 | - Vai? | K/W |
svars | Masas- Vai?moduls | 1500 | - Vai? | g |
Mūsu profesionālā pārdošanas komanda gaida jūsu konsultāciju.
Jūs varat sekot viņu produktu sarakstam un uzdot jebkādus jautājumus, kas jums rūp.