IGBT modulis 1200V

Sīkāku informāciju

apraksts

Vērtības

vienība

vTips

Sildītājs-izsildītājs

1200

v

v=150 °C

Izslēgšanas-izslēgšanas spriegums

± 20

v

ic

Saldēšanas šķidrumsc=100oc

800

a)

iCM

Pulsējošais kolektorsp=1ms

1600

a)

pd

Maksimālais jaudas izmešana @ Tvj=175oc

4687

w

Sīkāku informāciju

apraksts

Vērtības

vienība

vRRM

Atkārtojams maksimālais atkārtots voltsvecums

1200

v

if

Dioda nepārtraukta uz priekšuīr

900

a)

iFM

Dioda maksimālais tālvadības strāvas daudzums tp=1ms

1800

a)

iFSM

Pārsprieguma uz priekšu strāva  tp=10ms  @ Tvj=125oc- Vai?@ Tvj=175oc

2392

2448

a)

i2t

i2t-vērtība- Jā,tp=10Lūdzu@tvj=125oc@ Tvj=175oc

28608

29964

a)2s

Sīkāku informāciju

apraksts

vērtība

vienība

tvjmax

Maksimālā savienojuma temperatūra

175

oc

tvjop

Darbības savienojuma temperatūra

-40 līdz +150

oc

tSTG

Uzglabāšanas temperatūras diapazons

-40 līdz +125

oc

vISO

Izolācijas spriegums RMS,f=50Hz,t=1 min

2500

v

Sīkāku informāciju

parametrs

Testēšanas apstākļi

Min.

Tips.

Maksimāli.

vienība

- Vai?

- Vai?

vCE (sat)

- Vai?

- Vai?

Saņēmējs - emitents- Vai?Sātumapstrādes spriegums

ic=800A,VĢENKolektora-emiteru piesātinājums- Vai?tvj=25oc

- Vai?

1.40

1.85

- Vai?

- Vai?

v

ic=800A,VĢENKolektora-emiteru piesātinājums- Vai?tvj=125oc

- Vai?

1.60

- Vai?

ic=800A,VĢENKolektora-emiteru piesātinājums- Vai?tvj=175oc

- Vai?

1.60

- Vai?

vĢEN(- - - - - -)

Vārda emitenta slieksnis- Vai?spriegums

ic=24.0māte- Jā,vc=vĢEN- Jā,- Vai?tvj=25oc

5.5

6.3

7.0

v

iTips

Kolektors- Vai?Izgriežts- Esmu gatavs.Izslēgtstrāvas

vc=vTips- Jā,vĢEN=0V,- Vai?tvj=25oc

- Vai?

- Vai?

1.0

māte

i=150 °C

Izslēguma emitenta noplūde- Vai?strāvas

vĢEN=v=150 °C- Jā,vc=0V,tvj=25oc

- Vai?

- Vai?

400

no

rGint

Iekšējā vārtu pretestība- - - -

- Vai?

- Vai?

0.5

- Vai?

Ω

c125 °C

ies

vc=25V, f=100kHz,- Vai?vĢEN=0V

- Vai?

28.4

- Vai?

MHz

cres

Atgriezītais pārvedums- Vai?Jauda

- Vai?

0.15

- Vai?

MHz

qg

nF

vĢEN=-15...+15V

- Vai?

2.05

- Vai?

μC

td(uz)

Slēgšanas kavējuma laiks

- Vai?

- Vai?

vCC= 600V,Ic=800A,- Vai?rg=0.5Ω, Ls=40nH,- Vai?vĢEN=-8V/+15V,

tvj=25oc

- Vai?

168

- Vai?

ns

tr

Atkāpšanās laiks

- Vai?

78

- Vai?

ns

td(izslēgt)

Izslēgt- Vai?Atlikušais laiks

- Vai?

428

- Vai?

ns

tf

Nolieku laiks

- Vai?

123

- Vai?

ns

euz

Slēgt- Vai?pārvēršana- Vai?zaudējumi

- Vai?

43.4

- Vai?

mJ

eIzslēgt

Izslēgtas- Vai?zaudējumi

- Vai?

77.0

- Vai?

mJ

td(uz)

Slēgšanas kavējuma laiks

- Vai?

- Vai?

vCC= 600V,Ic=800A,- Vai?

rg=0.5Ω, Ls=40nH,

- Vai?vĢEN=-8V/+15V,

tvj=125oc

- Vai?

172

- Vai?

ns

tr

Atkāpšanās laiks

- Vai?

84

- Vai?

ns

td(izslēgt)

Izslēgt- Vai?Atlikušais laiks

- Vai?

502

- Vai?

ns

tf

Nolieku laiks

- Vai?

206

- Vai?

ns

euz

Slēgt- Vai?pārvēršana- Vai?zaudējumi

- Vai?

86.3

- Vai?

mJ

eIzslēgt

Izslēgtas- Vai?zaudējumi

- Vai?

99.1

- Vai?

mJ

td(uz)

Slēgšanas kavējuma laiks

- Vai?

- Vai?

vCC= 600V,Ic=800A,

- Vai?rg=0.5Ω, Ls=40nH,- Vai?

vĢEN=-8V/+15V,

tvj=175oc

- Vai?

174

- Vai?

ns

tr

Atkāpšanās laiks

- Vai?

90

- Vai?

ns

td(izslēgt)

Izslēgt- Vai?Atlikušais laiks

- Vai?

531

- Vai?

ns

tf

Nolieku laiks

- Vai?

257

- Vai?

ns

euz

Slēgt- Vai?pārvēršana- Vai?zaudējumi

- Vai?

99.8

- Vai?

mJ

eIzslēgt

Izslēgtas- Vai?zaudējumi

- Vai?

105

- Vai?

mJ

- Vai?

- Vai?

iSC

- Vai?

- Vai?

SC dati

tp≤8μs,vĢENKolektora-emiteru piesātinājums

tvj= 150oC,

vCC= 800V,- Vai?vCEM- Vai?≤1200v

- Vai?

- Vai?

2600

- Vai?

- Vai?

a)

tp≤ 6 μs,vĢENKolektora-emiteru piesātinājums

tvj=175oC,

vCC= 800V,- Vai?vCEM- Vai?≤1200v

- Vai?

- Vai?

2500

- Vai?

- Vai?

a)

Sīkāku informāciju

parametrs

Testēšanas apstākļi

Min.

Tips.

Maksimāli.

Vienības

- Vai?

vf

Diode uz priekšu- Vai?spriegums

if= 900A,VĢEN=0V,Tvj=25oc

- Vai?

1.60

2.00

- Vai?

v

if= 900A,VĢEN=0V,Tvj=125oc

- Vai?

1.60

- Vai?

if= 900A,VĢEN=0V,Tvj=175oc

- Vai?

1.50

- Vai?

qr

Atgūstamā nodeva

- Vai?

vr= 600V,If=800A,

-di/dt=7778A/μs,VĢEN=-8V,Ess=40nH- Jā,tvj=25oc

- Vai?

47.7

- Vai?

μC

iRM

Augstais augstums

atgūšanas strāvas

- Vai?

400

- Vai?

a)

eRec

Atgriezeniska atgūšana- Vai?enerģija

- Vai?

13.6

- Vai?

mJ

qr

Atgūstamā nodeva

- Vai?

vr= 600V,If=800A,

-di/dt=7017A/μs,VĢEN=-8V,Ess=40nH- Jā,tvj=125oc

- Vai?

82.7

- Vai?

μC

iRM

Augstais augstums

atgūšanas strāvas

- Vai?

401

- Vai?

a)

eRec

Atgriezeniska atgūšana- Vai?enerģija

- Vai?

26.5

- Vai?

mJ

qr

Atgūstamā nodeva

- Vai?

vr= 600V,If=800A,

-di/dt=6380A/μs,VĢEN=-8V,Ess=40nH- Jā,tvj=175oc

- Vai?

110

- Vai?

μC

iRM

Augstais augstums

atgūšanas strāvas

- Vai?

413

- Vai?

a)

eRec

Atgriezeniska atgūšana- Vai?enerģija

- Vai?

34.8

- Vai?

mJ

Sīkāku informāciju

parametrs

Testēšanas apstākļi

Min.

Tips.

Maksimāli.

vienība

r25

Nominālais pretestība

- Vai?

- Vai?

5.0

- Vai?

kΩ

∆R/R

Atkāpe- Vai?no- Vai?r100

tc=100- Vai?ocR100= 493,3Ω

-5

- Vai?

5

%

p25

jauda

Zudums

- Vai?

- Vai?

- Vai?

20.0

sv

b25/50

B vērtība

r2=R25eks[B25/501/T2- Esmu gatavs.- Vai?1/(298.15K))]

- Vai?

3375

- Vai?

k

b25/80

B vērtība

r2=R25eks[B25/801/T2- Esmu gatavs.- Vai?1/(298.15K))]

- Vai?

3411

- Vai?

k

b25/100

B vērtība

r2=R25eks[B25/1001/T2- Esmu gatavs.- Vai?1/(298.15K))]

- Vai?

3433

- Vai?

k