IGBT modulis 1200V

Sīkāku informāciju

Apraksts

GD630HFL120C2S

Vienības

V Tips

Sildītājs-izsildītājs

1200

V

V =150 °C

Izslēgšanas-izslēgšanas spriegums

± 20

V

I C

Kolektora strāva @ T C = 25°C

@ T C =80 °C

945

A

630

I CM (1)

Impulsu kolektora strāva t p =1ms

1260

A

I F

Dioda nepārtraukta tālvadība

@ T C =80 °C

630

A

I FM

Dioda maksimālais priekšējais krustpunkts īrvalde

1260

A

p D

Maksimālā jauda Dissipācija @ T j = 150°C

4167

Platums

T jmax

Maksimālā savienojuma temperatūra

150

°C

T STG

Uzglabāšanas temperatūras diapazons

-40 līdz +125

°C

V ISO

Izolācijas spriegums RMS,f=50Hz,t=1min

2500

V

Montāža Nomākšanas

Jaudas termināls Šķirbju:M6

Montāža Šķirbju:M6

2,5 līdz 5.0

3,0 līdz 5.0

N.m.

Sīkāku informāciju

Parametrs

Testēšanas apstākļi

Min.

Tips.

Max.

Vienības

V (BR )Tips

Sadarbības partneris

Slēgšanas spriegums

T j =25 °C

1200

V

I Tips

Kolektors Izgriežts -Izslēgt Pašreiz

V CE = V Tips ,V ĢEN =0V, T j =25 °C

5.0

mA

I =150 °C

Izslēguma emitenta noplūde

Pašreiz

V ĢEN = V =150 °C ,V CE =0V, T j =25 °C

400

nA

Sīkāku informāciju

Parametrs

Testēšanas apstākļi

Min.

Tips.

Max.

Vienības

V ĢEN (ts )

Vārda emitenta slieksnis

Spriegums

I C = 16.0mA,V CE =V ĢEN , T j =25 °C

5.0

6.2

7.0

V

V CE (sat)

Saņēmējs - emitents

Sātumapstrādes spriegums

I C = 630A,V ĢEN Kolektora-emiteru piesātinājums T j =25 °C

2.35

2.80

V

I C = 630A,V ĢEN Kolektora-emiteru piesātinājums T j = 125°C

2.73

Sīkāku informāciju

Parametrs

Testēšanas apstākļi

Min.

Tips.

Max.

Vienības

T D (ieslēgta )

Slēgšanas kavējuma laiks

V CC = 600V,I C = 630A, r G = 2,5Ω,V ĢEN = ± 15 V, T j =25 °C

210

ns

T r

Atkāpšanās laiks

102

ns

T D (Izslēgt )

Izslēgt Atlikušais laiks

600

ns

T F

Nolieku laiks

80

ns

E ieslēgta

Slēgt Pārslēgšana

zaudējumi

75.2

mJ

E Izslēgt

Izslēgtas

zaudējumi

37.8

mJ

T D (ieslēgta )

Slēgšanas kavējuma laiks

V CC = 600V,I C = 630A, r G = 2,5Ω,V ĢEN = ± 15 V, T j = 125°C

230

ns

T r

Atkāpšanās laiks

103

ns

T D (Izslēgt )

Izslēgt Atlikušais laiks

705

ns

T F

Nolieku laiks

103

ns

E ieslēgta

Slēgt Pārslēgšana

zaudējumi

102.9

mJ

E Izslēgt

Izslēgtas

zaudējumi

63.0

mJ

C 125 °C

ies

V CE =25V, f=1MHz,

V ĢEN =0V

29.7

MHz

C ejs

Izvades jauda

2.08

MHz

C pretestība

Atgriezītais pārvedums

Jauda

1.36

MHz

I SC

SC dati

T s C ≤ 10 μs, V ĢEN Kolektora-emiteru piesātinājums T j = 125°C V CC =600V,

V CEM ≤ 1200V

1800

A

r Gint

Iekšējā vārsta pretestība Pretestība

0.5

Ω

Garums CE

Neatklāta induktantība

18

nH

r CC + EE ’

Modula vedlejuma pretestība c) termināls uz čipu

T C =25 °C

0.32

m Ω

Sīkāku informāciju

Parametrs

Testēšanas apstākļi

Min.

Tips.

Max.

Vienības

V F

Diode uz priekšu

Spriegums

I F =630A

T j =25 °C

2.00

2.40

V

T j = 125°C

2.20

Q r

Atgūstamā nodeva

I F = 630A,

V r =600V,

r G = 2,5Ω,

V ĢEN =- 15V

T j =25 °C

80

μC

T j = 125°C

130

I RM

Augstais augstums

atgūšanas strāvas

T j =25 °C

336

A

T j = 125°C

433

E Rec

Atgriezeniska atgūšana enerģija

T j =25 °C

24.4

mJ

T j = 125°C

49.6

Sīkāku informāciju

Parametrs

Tips.

Max.

Vienības

r θ JC

Savienojums ar lietu (pa IG) BT)

0.030

K/W

r θ JC

Savienojums ar kārtu (par D) jods)

0.048

K/W

r θ CS

(Vidēja tauku un (attiecīgi)

0.035

K/W

Svars

Svars of modulis

340

G