IGBT modulis 1200V

Sīkāku informāciju

Apraksts

vērtību

Drošības un drošības politika

V Tips

Sildītājs-izsildītājs

1200

V

V =150 °C

Izslēgšanas-izslēgšanas spriegums

±30

V

I C

Kolektora strāva @ T C =25 O C

@ T C =90 O C

890

600

A

I CM

Impulsu kolektora strāva t p =1ms

1200

A

p D

Maksimālā jauda Dissipācija @ T j =175 O C

2830

Platums

Sīkāku informāciju

Apraksts

vērtību

Drošības un drošības politika

V RRM

Atkārtojams maksimālais atkārtots spriegums

1200

V

I F

Dioda nepārtrauktajā priekšējā kursorā īrvalde

600

A

I FM

Diodes maksimālā priekšējā strāva t p =1ms

1200

A

Sīkāku informāciju

Apraksts

vērtību

Drošības un drošības politika

T jmax

Maksimālā savienojuma temperatūra

175

O C

T žop

Darbības savienojuma temperatūra

-40 līdz +150

O C

T STG

uzglabāšanas temperatūra Diapazons

-40 līdz +125

O C

V ISO

Izolācijas spriegums RMS,f=50Hz,t= 1 min.

4000

V

Sīkāku informāciju

Parametrs

Testēšanas apstākļi

Min.

Tips.

Max.

Drošības un drošības politika

V CE (sat)

Saņēmējs - emitents

Sātumapstrādes spriegums

I C = 600A,V ĢEN Kolektora-emiteru piesātinājums T j =25 O C

1.70

2.15

V

I C = 600A,V ĢEN Kolektora-emiteru piesātinājums T j =125 O C

1.95

I C = 600A,V ĢEN Kolektora-emiteru piesātinājums T j = 150 O C

2.00

V ĢEN (ts )

Vārda emitenta slieksnis Spriegums

I C =24.0 mA ,V CE = V ĢEN , T j =25 O C

5.0

5.6

6.5

V

I Tips

Kolektors Izgriežts -Izslēgt

Pašreiz

V CE = V Tips ,V ĢEN =0V,

T j =25 O C

5.0

mA

I =150 °C

Izslēguma emitenta noplūde Pašreiz

V ĢEN = V =150 °C ,V CE =0V, T j =25 O C

400

nA

r Gint

Iekšējā vārtu pretestība - - - -

0.5

Ω

C 125 °C

ies

V CE =30V,f=1MHz,

V ĢEN =0V

52.0

MHz

C pretestība

Atgriezītais pārvedums

Jauda

1.68

MHz

Q G

nF

V ĢEN =15V

3.28

μC

T D (ieslēgta )

Slēgšanas kavējuma laiks

V CC = 600V,I C = 600A, r G = 1. 1Ω,

V ĢEN =±15V, T j =25 O C

332

ns

T r

Atkāpšanās laiks

106

ns

T D (Izslēgt )

Izslēgt Atlikušais laiks

525

ns

T F

Nolieku laiks

125

ns

E ieslēgta

Slēgt Pārslēgšana

zaudējumi

12.6

mJ

E Izslēgt

Izslēgtas

zaudējumi

54.6

mJ

T D (ieslēgta )

Slēgšanas kavējuma laiks

V CC = 600V,I C = 600A, r G = 1. 1Ω,

V ĢEN =±15V, T j = 125O C

335

ns

T r

Atkāpšanās laiks

110

ns

T D (Izslēgt )

Izslēgt Atlikušais laiks

575

ns

T F

Nolieku laiks

168

ns

E ieslēgta

Slēgt Pārslēgšana

zaudējumi

21.2

mJ

E Izslēgt

Izslēgtas

zaudējumi

69.2

mJ

T D (ieslēgta )

Slēgšanas kavējuma laiks

V CC = 600V,I C = 600A, r G = 1. 1Ω,

V ĢEN =±15V, T j = 150O C

340

ns

T r

Atkāpšanās laiks

112

ns

T D (Izslēgt )

Izslēgt Atlikušais laiks

586

ns

T F

Nolieku laiks

185

ns

E ieslēgta

Slēgt Pārslēgšana

zaudējumi

22.9

mJ

E Izslēgt

Izslēgtas

zaudējumi

74.0

mJ

I SC

SC dati

T p ≤ 10 μs,V ĢEN Kolektora-emiteru piesātinājums

T j = 150 O C,

V CC = 900V, V CEM ≤ 1200V

2400

A

Sīkāku informāciju

Parametrs

Testēšanas apstākļi

Min.

Tips.

Max.

Drošības un drošības politika

V F

Diode uz priekšu

Spriegums

I F = 600A,V ĢEN =0V,T j =25 O C

1.80

2.25

V

I F = 600A,V ĢEN =0V,T j = 125O C

1.85

I F = 600A,V ĢEN =0V,T j = 150O C

1.85

Q r

Atgūstamā nodeva

V CC = 600V,I F = 600A,

-di/dt=5800A/μs,V ĢEN =- 15 V, T j =25 O C

58.6

μC

I RM

Augstais augstums

atgūšanas strāvas

472

A

E Rec

Atgriezeniska atgūšana enerģija

29.6

mJ

Q r

Atgūstamā nodeva

V CC = 600V,I F = 600A,

-di/dt=5800A/μs,V ĢEN =- 15 V, T j = 125O C

106

μC

I RM

Augstais augstums

atgūšanas strāvas

604

A

E Rec

Atgriezeniska atgūšana enerģija

52.8

mJ

Q r

Atgūstamā nodeva

V CC = 600V,I F = 600A,

-di/dt=5800A/μs,V ĢEN =- 15 V, T j = 150O C

122

μC

I RM

Augstais augstums

atgūšanas strāvas

644

A

E Rec

Atgriezeniska atgūšana enerģija

60.7

mJ

Sīkāku informāciju

Parametrs

Min.

Tips.

Max.

Drošības un drošības politika

Garums CE

Neatklāta induktantība

20

nH

r CC+EE

Modulā "Rūgtumvirsme", termināls uz čipu

0.18

mΩ

r TJC

Savienojums ar lietu (par IGB) T)

Savienojums ar kārtu (par D) jods)

0.053

0.071

K/W

r tCH

Izmērs: IGBT)

Izmantojiet šo metodi, lai noteiktu temperatūras līmeni. diodes)

Izmērs: Modulis)

0.061

0.082

0.035

K/W

m

terminala savienojuma griezes moments, M6 skrūvis Monta griezes moments, M6 skrūvis

2.5

3.0

5.0

5.0

N.m.

G

Svars of modulis

300

G