IGBT modulis 1200V

Sīkāku informāciju

apraksts

vērtība

vienība

vTips

Sildītājs-izsildītājs

1200

v

v=150 °C

Izslēgšanas-izslēgšanas spriegums

± 20

v

ic

Saldēšanas šķidrumsc=25oc

@ Tc=- Vai?100oc

925

600

a)

iCM

Pulsējošais kolektorsp=1ms

1200

a)

pd

Maksimālais jaudas izmešana @ Tj=175oc

3000

w

Sīkāku informāciju

apraksts

vērtība

vienība

vRRM

Atkārtojams maksimālais atkārtots spriegums

1200

v

if

Dioda nepārtrauktajā priekšējā kursorāīrvalde

600

a)

iFM

Dioda maksimālais tālvadības strāvas daudzums tp=1ms

1200

a)

Sīkāku informāciju

apraksts

vērtība

vienība

tjmax

Maksimālā savienojuma temperatūra

175

oc

tžop

Darbības savienojuma temperatūra

-40 līdz +150

oc

tSTG

uzglabāšanas temperatūraRažotājs

-40 līdz +125

oc

vISO

Izolācijas spriegums RMS,f=50Hz,t=1min

4000

v

Sīkāku informāciju

parametrs

Testēšanas apstākļi

Min.

Tips.

Maksimāli.

vienība

- Vai?

- Vai?

vCE (sat)

- Vai?

- Vai?

Saņēmējs - emitents

Sātumapstrādes spriegums

ic= 600A,VĢENKolektora-emiteru piesātinājums- Vai?tj=25oc

- Vai?

1.65

2.00

- Vai?

- Vai?

v

ic= 600A,VĢENKolektora-emiteru piesātinājums- Vai?tj=125oc

- Vai?

1.95

- Vai?

ic= 600A,VĢENKolektora-emiteru piesātinājums- Vai?tj= 150oc

- Vai?

2.00

- Vai?

vĢEN(- - - - - -)

Vārda emitenta slieksnis- Vai?spriegums

ic=24.0māte- Jā,vc=vĢEN- Jā,- Vai?tj=25oc

5.6

6.2

6.8

v

iTips

Kolektors- Vai?Izgriežts- Esmu gatavs.Izslēgt

strāvas

vc=vTips- Jā,vĢEN=0V,

tj=25oc

- Vai?

- Vai?

1.0

māte

i=150 °C

Izslēguma emitenta noplūde- Vai?strāvas

vĢEN=v=150 °C- Jā,vc=0V,tj=25oc

- Vai?

- Vai?

400

no

rGint

Iekšējā vārtu pretestība- - - -

- Vai?

- Vai?

0.5

- Vai?

Ω

c125 °C

ies

vc=25V, f=100kHz,- Vai?vĢEN=0V

- Vai?

60.8

- Vai?

MHz

cres

Atgriezītais pārvedums

Jauda

- Vai?

1.84

- Vai?

MHz

qg

nF

vĢEN=-- Vai?15...+15V

- Vai?

4.64

- Vai?

μC

td(uz)

Slēgšanas kavējuma laiks

- Vai?

- Vai?

vCC= 600V,Ic= 600A,- Vai?rg= 1,2Ω,Ls=20nH, VĢEN=±15V,Tj=25oc

- Vai?

308

- Vai?

ns

tr

Atkāpšanās laiks

- Vai?

42

- Vai?

ns

td(Izslēgt)

Izslēgt- Vai?Atlikušais laiks

- Vai?

431

- Vai?

ns

tf

Nolieku laiks

- Vai?

268

- Vai?

ns

euz

Slēgt- Vai?pārvēršana

zaudējumi

- Vai?

15.7

- Vai?

mJ

eIzslēgt

Izslēgtas

zaudējumi

- Vai?

51.3

- Vai?

mJ

td(uz)

Slēgšanas kavējuma laiks

- Vai?

- Vai?

vCC= 600V,Ic= 600A,- Vai?rg= 1,2Ω,Ess=20nH- Jā,- Vai?

vĢEN=±15V,Tj=125oc

- Vai?

311

- Vai?

ns

tr

Atkāpšanās laiks

- Vai?

49

- Vai?

ns

td(Izslēgt)

Izslēgt- Vai?Atlikušais laiks

- Vai?

467

- Vai?

ns

tf

Nolieku laiks

- Vai?

351

- Vai?

ns

euz

Slēgt- Vai?pārvēršana

zaudējumi

- Vai?

31.1

- Vai?

mJ

eIzslēgt

Izslēgtas

zaudējumi

- Vai?

69.4

- Vai?

mJ

td(uz)

Slēgšanas kavējuma laiks

- Vai?

- Vai?

vCC= 600V,Ic= 600A,- Vai?rg= 1,2Ω,Ess=20nH- Jā,- Vai?

- Vai?vĢEN=±15V,Tj= 150oc

- Vai?

313

- Vai?

ns

tr

Atkāpšanās laiks

- Vai?

51

- Vai?

ns

td(Izslēgt)

Izslēgt- Vai?Atlikušais laiks

- Vai?

475

- Vai?

ns

tf

Nolieku laiks

- Vai?

365

- Vai?

ns

euz

Slēgt- Vai?pārvēršana

zaudējumi

- Vai?

34.8

- Vai?

mJ

eIzslēgt

Izslēgtas

zaudējumi

- Vai?

71.1

- Vai?

mJ

- Vai?

iSC

- Vai?

SC dati

tp≤ 10 μs,VĢENKolektora-emiteru piesātinājums

tj= 150oC,VCC= 800V,- Vai?vCEM≤ 1200V

- Vai?

- Vai?

2400

- Vai?

- Vai?

a)

Sīkāku informāciju

parametrs

Testēšanas apstākļi

Min.

Tips.

Maksimāli.

vienība

- Vai?

vf

Diode uz priekšu

spriegums

if= 600A,VĢEN=0V,Tj=25oc

- Vai?

1.85

2.30

- Vai?

v

if= 600A,VĢEN=0V,Tj=- Vai?125oc

- Vai?

1.90

- Vai?

if= 600A,VĢEN=0V,Tj=- Vai?150oc

- Vai?

1.95

- Vai?

qr

Atgūstamā nodeva

vCC= 600V,If= 600A,

-di/dt=13040A/μs,VĢEN=-- Vai?15 V,tj=25oc

- Vai?

38.1

- Vai?

μC

iRM

Augstais augstums

atgūšanas strāvas

- Vai?

524

- Vai?

a)

eRec

Atgriezeniska atgūšanaenerģija

- Vai?

34.9

- Vai?

mJ

qr

Atgūstamā nodeva

vCC= 600V,If= 600A,

-di/dt=11220A/μs,Vge=-- Vai?15 V,- Vai?tj=- Vai?125oc

- Vai?

82.8

- Vai?

μC

iRM

Augstais augstums

atgūšanas strāvas

- Vai?

565

- Vai?

a)

eRec

Atgriezeniska atgūšanaenerģija

- Vai?

54.4

- Vai?

mJ

qr

Atgūstamā nodeva

vCC= 600V,If= 600A,

-di/dt=11040A/μs,Vge=-- Vai?15 V,- Vai?tj=- Vai?150oc

- Vai?

94.7

- Vai?

μC

iRM

Augstais augstums

atgūšanas strāvas

- Vai?

589

- Vai?

a)

eRec

Atgriezeniska atgūšanaenerģija

- Vai?

55.8

- Vai?

mJ

Sīkāku informāciju

parametrs

Min.

Tips.

Maksimāli.

vienība

Esc

Neatklāta induktantība

- Vai?

- Vai?

20

nH

rCC+EE

Modulā "Slēpuma pretestība"Nce, termināls uz čipu

- Vai?

0.35

- Vai?

mΩ

rTJC

Savienojums ar lietu (par IGB)T)

Savienojums ar korpusu (par Di)ode)

- Vai?

- Vai?

0.050

0.080

K/W

- Vai?

rtCH

Izmērs:IGBT)

Izmantojiet šo metodi, lai noteiktu temperatūras līmeni.diodes)

Izmērs:Modulis)

- Vai?

0.033

0.052

0.010

- Vai?

K/W

m

terminala savienojuma griezes moments,- Vai?M6 skrūvis- Vai?Monta griezes moments,- Vai?M6 skrūvis

2.5

3.0

- Vai?

5.0

5.0

N.m.

g

svars- Vai?no- Vai?moduls

- Vai?

300

- Vai?

g