IGBT modulis 1700V

Sīkāku informāciju

Apraksts

GD600HFT170C3S

Vienības

V Tips

Sildītājs-izsildītājs

1700

V

V =150 °C

Izslēgšanas-izslēgšanas spriegums

± 20

V

I C

@ T C =25 °C

@ T C =80 °C

950

A

600

I CM(1)

Impulsu kolektora strāva t p = Diodes maksimālā uzpriekšējā

1200

A

I F

Dioda nepārtraukta priekšējā strāva n

600

A

I FM

Dioda maksimālais priekšējais strāvas plūsma n

1200

A

p D

Maksimālā jauda T j =175 °C

3571

Platums

T j

Maksimālā savienojuma temperatūra

150

°C

T STG

Uzglabāšanas temperatūras diapazons

-40 līdz +125

°C

V ISO

Izolācijas spriegums RMS,f=50Hz,t=1min

3400

V

Montāža

Nomākšanas

Jaudas termināls Šķirbju:M4

Jaudas termināls Šķirbju:M8

1.8 līdz 2.1

8.0 līdz 10

N.m.

Montāža Šķirbju:M6

4.25 līdz 5.75

N.m.

Sīkāku informāciju

Parametrs

Testēšanas apstākļi

Min.

Tips.

Max.

Vienības

V (BR) CES

Sadarbības partneris

Slēgšanas spriegums

T j =25 °C

1700

V

I Tips

Kolektors Izgriežts -Izslēgt Pašreiz

V CE =V Tips V ĢEN =0V, T j =25 °C

5.0

mA

I =150 °C

Izslēguma emitenta noplūde

Pašreiz

V ĢEN =V =150 °C V CE =0V, T j =25 °C

400

nA

Sīkāku informāciju

Parametrs

Testēšanas apstākļi

Min.

Tips.

Max.

Vienības

V GE (š)

Vārda emitenta slieksnis

Spriegums

I C =24mA,V CE =V ĢEN , T j =25 °C

5.2

5.8

6.4

V

V CE (sat)

Saņēmējs - emitents

Sātumapstrādes spriegums

I C = 600A,V ĢEN Kolektora-emiteru piesātinājums T j =25 °C

2.00

2.45

V

I C = 600A,V ĢEN Kolektora-emiteru piesātinājums T j =125 °C

2.40

Sīkāku informāciju

Parametrs

Testēšanas apstākļi

Min.

Tips.

Max.

Vienības

Q G

nF

V ĢEN =-15...+15V

7.0

μC

T d ((on)

Slēgšanas kavējuma laiks

V CC = 900V,I C = 600A, r Gons =2,4Ω,

r Goff =3.0Ω,

V ĢEN = ± 15V,T j =25 °C

650

ns

T r

Atkāpšanās laiks

155

ns

T D (Izslēgt )

Izslēgt Atlikušais laiks

1300

ns

T F

Nolieku laiks

180

ns

E ieslēgta

Slēgt Izmaiņas zaudējumi

125

mJ

E Izslēgt

Izslēgšanas slēgšanas zudums

186

mJ

T d ((on)

Slēgšanas kavējuma laiks

V CC = 900V,I C = 600A, r Gons =2,4Ω,

r Goff =3.0Ω,

V ĢEN = ± 15V,T j =125 °C

701

ns

T r

Atkāpšanās laiks

198

ns

T D (Izslēgt )

Izslēgt Atlikušais laiks

1590

ns

T F

Nolieku laiks

302

ns

E ieslēgta

Slēgt Izmaiņas zaudējumi

186

mJ

E Izslēgt

Izslēgšanas slēgšanas zudums

219

mJ

C 125 °C

ies

V CE =25V, f=1MHz,

V ĢEN =0V

52.8

MHz

C ejs

Izvades jauda

2.20

MHz

C pretestība

Atgriezītais pārvedums

Jauda

1.75

MHz

I SC

SC dati

T s C ≤ 10 μs, V ĢEN Kolektora-emiteru piesātinājums

T j =125 °C V CC =1000V, V CEM ≤ 1700V

2400

A

r Gint

Iekšējā vārtu pretestība

1.3

Ω

Garums CE

Neatklāta induktantība

20

nH

r CC + EE ’

Modulā "Rūgtumvirsme", termināls uz čipu

0.18

m Ω

Sīkāku informāciju

Parametrs

Testēšanas apstākļi

Min.

Tips.

Max.

Vienības

V F

Diode uz priekšu

Spriegums

I F =600A

T j =25 °C

1.80

2.20

V

T j =125 °C

1.90

Q r

Atgūstamā nodeva

I F = 600A,

V r = 900V,

di/dt=-3800A/μs, V ĢEN =-15V

T j =25 °C

580

μC

T j =125 °C

640

I RM

Augstais augstums

atgūšanas strāvas

T j =25 °C

160

A

T j =125 °C

258

E Rec

Atgriezeniska atgūšana enerģija

T j =25 °C

96

mJ

T j =125 °C

171

Sīkāku informāciju

Parametrs

Tips.

Max.

Vienības

r θJC

Savienojums ar lietu (par IGBT)

42

K/kW

r θJC

Savienojums ar kārtu (par D) jods)

94

K/kW

r θCS

Korpuss uz siltuma izkliedētāju

(Pielieto konduktīva tauku, Modulis)

6

K/kW

Svars

Masas modulis

1500

G