IGBT modulis 1200V

Sīkāku informāciju

Apraksts

GD450HFT120C6S_G8

Vienības

V Tips

Sildītājs-izsildītājs

1200

V

V =150 °C

Izslēgšanas-izslēgšanas spriegums

±30

V

I C

Kolektora strāva @ T C =25 °C

@ T C =100 °C

660

450

A

I CM

Impulsu kolektora strāva t p =1ms

900

A

I F

Dioda nepārtraukta uz priekšu īr

450

A

I FM

Diodes maksimālā priekšējā strāva t p =1ms

900

A

p D

Maksimālā jauda Dissipācija @ T j =17 5°C

2083

Platums

T jmax

Maksimālā savienojuma temperatūra

175

°C

T žop

Darbības savienojuma temperatūra

-40 līdz +150

°C

T STG

Uzglabāšanas temperatūras diapazons

-40 līdz +125

°C

V ISO

Izolācijas spriegums RMS,f=50Hz,t =1 min

2500

V

m

terminala savienojuma griezes moments, M6 skrūvis Monta griezes moments, M5 skrūvis

3,0 līdz 6.0

3,0 līdz 6.0

N.m.

G

Svars of modulis

910

G

Sīkāku informāciju

Parametrs

Testēšanas apstākļi

Min.

Tips.

Max.

Vienības

V (BR )Tips

Sadarbības partneris

Slēgšanas spriegums

T j =25 °C

1200

V

I Tips

Kolektors Izgriežts -Izslēgt

Pašreiz

V CE = V Tips ,V ĢEN =0V, T j =25 °C

5.0

mA

I =150 °C

Izslēguma emitenta noplūde Pašreiz

V ĢEN = V =150 °C ,V CE =0V, T j =25 °C

400

nA

Sīkāku informāciju

Parametrs

Testēšanas apstākļi

Min.

Tips.

Max.

Vienības

T D (ieslēgta )

Slēgšanas kavējuma laiks

V CC = 600V,I C = 450A, r G =1,5Ω,

V ĢEN =±15V, T j =25 °C

360

ns

T r

Atkāpšanās laiks

140

ns

T d(izslēgt)

Izslēgt Atlikušais laiks

550

ns

T F

Nolieku laiks

146

ns

E ieslēgta

Slēgt Pārslēgšana

zaudējumi

11.5

mJ

E Izslēgt

Izslēgtas

zaudējumi

48.0

mJ

T D (ieslēgta )

Slēgšanas kavējuma laiks

V CC = 600V,I C = 450A, r G =1,5Ω,

V ĢEN =±15V, T j =125 °C

374

ns

T r

Atkāpšanās laiks

147

ns

T d(izslēgt)

Izslēgt Atlikušais laiks

623

ns

T F

Nolieku laiks

178

ns

E ieslēgta

Slēgt Pārslēgšana

zaudējumi

17.9

mJ

E Izslēgt

Izslēgtas

zaudējumi

64.5

mJ

C 125 °C

ies

V CE =30V,f=1MHz,

V ĢEN =0V

39.0

MHz

C pretestība

Atgriezītais pārvedums

Jauda

1.26

MHz

I SC

SC dati

T p ≤10μs, V ĢEN Kolektora-emiteru piesātinājums

T j =125 °C V CC = 900V, V CEM ≤ 1200V

1800

A

r Gint

Iekšējā vārtu pretestība - - - -

0.67

Ω

Garums CE

Neatklāta induktantība

20

nH

r CC+EE

Modula vads

pretestība,

termināls uz čipu

1.10

mΩ

Sīkāku informāciju

Parametrs

Testēšanas apstākļi

Min.

Tips.

Max.

Vienības

V F

Diode uz priekšu

Spriegums

I F =450A

T j =25 °C

1.65

2.25

V

T j =125 °C

1.65

Q r

Atgūstas

Uzlāde

I F = 450A,

V r =600V,

r G =1,5Ω,

V ĢEN =-15V

T j =25 °C

41.6

μC

T j =125 °C

77.5

I RM

Augstais augstums

atgūšanas strāvas

T j =25 °C

241

A

T j =125 °C

325

E Rec

Atgriezeniska atgūšana enerģija

T j =25 °C

23.2

mJ

T j =125 °C

43.1

Sīkāku informāciju

Parametrs

Testēšanas apstākļi

Min.

Tips.

Max.

Vienības

r 25

Nominālais pretestība

5.0

kΩ

∆R/R

Atkāpe of r 100

r 100= 493,3Ω

-5

5

%

p 25

Jaudas izkliede

20.0

mW

B 25/50

B vērtība

r 2=R 25eks [B 25/50 1/T 2-

1/(298.15K))]

3375

K

Sīkāku informāciju

Parametrs

Tips.

Max.

Vienības

r θ JC

Savienojums ar lietu (par IGB) T)

0.072

K/W

r θ JC

Savienojums ar korpusu (par Di) ode)

0.110

K/W

r θ CS

Izmantojiet "Case-to-Sink" (izvadīšanas tauku) (izņemot:

0.005

K/W