IGBT modulis 1700V

Sīkāku informāciju

apraksts

vērtība

vienība

vTips

Sildītājs-izsildītājs

1700

v

v=150 °C

Izslēgšanas-izslēgšanas spriegums

± 20

v

ic

Saldēšanas šķidrumsc=25oc

@ Tc=- Vai?100oc

706

450

a)

iCM

Pulsējošais kolektorsp=1ms

900

a)

pd

Maksimālais jaudas izmešana @ T- Vai?=175oc

2542

w

Sīkāku informāciju

apraksts

vērtība

vienība

vRRM

Atkārtojams maksimālais atkārtots spriegums

1700

v

if

Dioda nepārtrauktajā priekšējā kursorāīrvalde

450

a)

iFM

Dioda maksimālais tālvadības strāvas daudzums tp=1ms

900

a)

Sīkāku informāciju

apraksts

vērtība

vienība

tjmax

Maksimālā savienojuma temperatūra

175

oc

tžop

Darbības savienojuma temperatūra

-40 līdz +150

oc

tSTG

uzglabāšanas temperatūraRažotājs

-40 līdz +125

oc

vISO

Izolācijas spriegums RMS,f=50Hz,t=1min

4000

v

Sīkāku informāciju

parametrs

Testēšanas apstākļi

Min.

Tips.

Maksimāli.

vienība

- Vai?

- Vai?

vCE (sat)

- Vai?

- Vai?

Saņēmējs - emitents

Sātumapstrādes spriegums

ic= 450A,VĢENKolektora-emiteru piesātinājums- Vai?tj=25oc

- Vai?

1.85

2.20

- Vai?

- Vai?

v

ic= 450A,VĢENKolektora-emiteru piesātinājums- Vai?tj=125oc

- Vai?

2.25

- Vai?

ic= 450A,VĢENKolektora-emiteru piesātinājums- Vai?tj= 150oc

- Vai?

2.35

- Vai?

vĢEN(- - - - - -)

Vārda emitenta slieksnis- Vai?spriegums

ic=- Vai?18,0 mA,Vc=VĢEN, Tj=25oc

5.6

6.2

6.8

v

iTips

Kolektors- Vai?Izgriežts- Esmu gatavs.Izslēgt

strāvas

vc=vTips- Jā,vĢEN=0V,

tj=25oc

- Vai?

- Vai?

5.0

māte

i=150 °C

Izslēguma emitenta noplūde- Vai?strāvas

vĢEN=v=150 °C- Jā,vc=0V,tj=25oc

- Vai?

- Vai?

400

no

rGint

Iekšējā vārtu pretestība- - - -

- Vai?

- Vai?

1.67

- Vai?

Ω

c125 °C

ies

vc=25V, f=1MHz,

vĢEN=0V

- Vai?

54.2

- Vai?

MHz

cres

Atgriezītais pārvedums

Jauda

- Vai?

1.32

- Vai?

MHz

qg

nF

vĢEN=-- Vai?15...+15V

- Vai?

4.24

- Vai?

μC

td(uz)

Slēgšanas kavējuma laiks

- Vai?

- Vai?

vCC= 900V,Ic= 450A,- Vai?rg=3.3Ω,VĢEN=±15V,- Vai?tj=25oc

- Vai?

179

- Vai?

ns

tr

Atkāpšanās laiks

- Vai?

105

- Vai?

ns

td(Izslēgt)

Izslēgt- Vai?Atlikušais laiks

- Vai?

680

- Vai?

ns

tf

Nolieku laiks

- Vai?

375

- Vai?

ns

euz

Slēgt- Vai?pārvēršana

zaudējumi

- Vai?

116

- Vai?

mJ

eIzslēgt

Izslēgtas

zaudējumi

- Vai?

113

- Vai?

mJ

td(uz)

Slēgšanas kavējuma laiks

- Vai?

- Vai?

vCC= 900V,Ic= 450A,- Vai?rg=3.3Ω,VĢEN=±15V,- Vai?tj=- Vai?125oc

- Vai?

208

- Vai?

ns

tr

Atkāpšanās laiks

- Vai?

120

- Vai?

ns

td(Izslēgt)

Izslēgt- Vai?Atlikušais laiks

- Vai?

784

- Vai?

ns

tf

Nolieku laiks

- Vai?

613

- Vai?

ns

euz

Slēgt- Vai?pārvēršana

zaudējumi

- Vai?

152

- Vai?

mJ

eIzslēgt

Izslēgtas

zaudējumi

- Vai?

171

- Vai?

mJ

td(uz)

Slēgšanas kavējuma laiks

- Vai?

- Vai?

vCC= 900V,Ic= 450A,- Vai?rg=3.3Ω,VĢEN=±15V,- Vai?tj=- Vai?150oc

- Vai?

208

- Vai?

ns

tr

Atkāpšanās laiks

- Vai?

120

- Vai?

ns

td(Izslēgt)

Izslēgt- Vai?Atlikušais laiks

- Vai?

800

- Vai?

ns

tf

Nolieku laiks

- Vai?

720

- Vai?

ns

euz

Slēgt- Vai?pārvēršana

zaudējumi

- Vai?

167

- Vai?

mJ

eIzslēgt

Izslēgtas

zaudējumi

- Vai?

179

- Vai?

mJ

- Vai?

iSC

- Vai?

SC dati

tp≤ 10 μs,VĢENKolektora-emiteru piesātinājums

tj= 150oC,VCC=- Vai?1000V,VCEM≤ 1700V

- Vai?

- Vai?

1800

- Vai?

- Vai?

a)

Sīkāku informāciju

parametrs

Testēšanas apstākļi

Min.

Tips.

Maksimāli.

vienība

- Vai?

vf

Diode uz priekšu

spriegums

if= 450A,VĢEN=0V,Tj=25oc

- Vai?

1.80

2.25

- Vai?

v

if= 450A,VĢEN=0V,Tj=- Vai?125oc

- Vai?

1.95

- Vai?

if= 450A,VĢEN=0V,Tj=- Vai?150oc

- Vai?

1.90

- Vai?

qr

Atgūstamā nodeva

vr= 900V,If= 450A,

-di/dt=4580A/μs,VĢEN=-- Vai?15Vtj=25oc

- Vai?

105

- Vai?

μC

iRM

Augstais augstums

atgūšanas strāvas

- Vai?

198

- Vai?

a)

eRec

Atgriezeniska atgūšanaenerģija

- Vai?

69.0

- Vai?

mJ

qr

Atgūstamā nodeva

vr= 900V,If= 450A,

-di/dt=4580A/μs,VĢEN=-- Vai?15V- Vai?tj=- Vai?125oc

- Vai?

187

- Vai?

μC

iRM

Augstais augstums

atgūšanas strāvas

- Vai?

578

- Vai?

a)

eRec

Atgriezeniska atgūšanaenerģija

- Vai?

129

- Vai?

mJ

qr

Atgūstamā nodeva

vr= 900V,If= 450A,

-di/dt=4580A/μs,VĢEN=-- Vai?15V- Vai?tj=- Vai?150oc

- Vai?

209

- Vai?

μC

iRM

Augstais augstums

atgūšanas strāvas

- Vai?

585

- Vai?

a)

eRec

Atgriezeniska atgūšanaenerģija

- Vai?

150

- Vai?

mJ

Sīkāku informāciju

parametrs

Testēšanas apstākļi

Min.

Tips.

Maksimāli.

vienība

r25

Nominālais pretestība

- Vai?

- Vai?

5.0

- Vai?

kΩ

ΔR/R

Atkāpe- Vai?no- Vai?r100

tc=- Vai?100- Vai?oC,R100= 493,3Ω

-5

- Vai?

5

%

p25

jauda

Zudums

- Vai?

- Vai?

- Vai?

20.0

sv

b25/50

B vērtība

r2=R25eks[B25/501/T2- Esmu gatavs.

1/(298.15K))]

- Vai?

3375

- Vai?

k

b25/80

B vērtība

r2=R25eks[B25/801/T2- Esmu gatavs.

1/(298.15K))]

- Vai?

3411

- Vai?

k

b25/100

B vērtība

r2=R25eks[B25/1001/T2- Esmu gatavs.

1/(298.15K))]

- Vai?

3433

- Vai?

k

Sīkāku informāciju

parametrs

Min.

Tips.

Maksimāli.

vienība

Esc

Neatklāta induktantība

- Vai?

20

- Vai?

nH

rCC+EE

Modulā "Rūgtumvirsme",Termināls uz čipu

- Vai?

1.10

- Vai?

mΩ

rTJC

Savienojums ar lietu (par IGB)T)

Savienojums ar korpusu (par Di)ode)

- Vai?

- Vai?

0.059

0.083

K/W

- Vai?

rtCH

Izmērs:IGBT)

Izmantojiet šo metodi, lai noteiktu temperatūras līmeni.diodes)

Izmērs:Modulis)

- Vai?

0.031

0.043

0.009

- Vai?

K/W

m

terminala savienojuma griezes moments,- Vai?M6 skrūvis- Vai?Monta griezes moments,- Vai?M5 skrūvis

3.0

3.0

- Vai?

6.0

6.0

N.m.

g

svars- Vai?no- Vai?moduls

- Vai?

350

- Vai?

g