IGBT modulis 1200V

Sīkāku informāciju

apraksts

vērtība

vienība

vTips

Sildītājs-izsildītājs

1200

v

v=150 °C

Izslēgšanas-izslēgšanas spriegums

±30

v

ic

Saldēšanas šķidrumsc=25oc

@ Tc= 95oc

685

450

a)

iCM

Pulsējošais kolektorsp=- Vai?Diodes maksimālā uzpriekšējā

900

a)

pd

Maksimālais jaudas izmešana @ Tj=175oc

2206

w

Sīkāku informāciju

apraksts

vērtība

vienība

vRRM

Atkārtojams maksimālais atkārtots spriegums

1200

v

if

Dioda nepārtrauktajā priekšējā kursorāīrvalde

450

a)

iFM

Dioda maksimālais tālvadības strāvas daudzums tp=- Vai?Diodes maksimālā uzpriekšējā

900

a)

Sīkāku informāciju

apraksts

vērtība

vienība

tjmax

Maksimālā savienojuma temperatūra

175

oc

tžop

Darbības savienojuma temperatūra

-40 līdz +150

oc

tSTG

uzglabāšanas temperatūraRažotājs

-40 līdz +125

oc

vISO

Izolācijas spriegums RMS,f=50Hz,t=1min

4000

v

Sīkāku informāciju

parametrs

Testēšanas apstākļi

Min.

Tips.

Maksimāli.

vienība

- Vai?

- Vai?

vCE (sat)

- Vai?

- Vai?

Saņēmējs - emitents

Sātumapstrādes spriegums

ic= 450A,VĢEN=- Vai?15 V,tj=25oc

- Vai?

1.70

2.15

- Vai?

- Vai?

v

ic= 450A,VĢEN=- Vai?15 V,tj=125oc

- Vai?

1.95

- Vai?

ic= 450A,VĢEN=- Vai?15 V,tj= 150oc

- Vai?

2.00

- Vai?

vĢEN(- - - - - -)

Vārda emitenta slieksnis- Vai?spriegums

ic=- Vai?18,0 mA,Vc=VĢEN, Tj=25oc

5.0

5.6

6.5

v

iTips

Kolektors- Vai?Izgriežts- Esmu gatavs.Izslēgt

strāvas

vc=vTips- Jā,vĢEN=0V,

tj=25oc

- Vai?

- Vai?

5.0

māte

i=150 °C

Izslēguma emitenta noplūde- Vai?strāvas

vĢEN=v=150 °C- Jā,vc=0V,tj=25oc

- Vai?

- Vai?

400

no

rGint

Iekšējā vārtu pretestība- - - -

- Vai?

- Vai?

0.7

- Vai?

Ω

c125 °C

ies

vc=25V, f=1MHz,

vĢEN=0V

- Vai?

39.0

- Vai?

MHz

cres

Atgriezītais pārvedums

Jauda

- Vai?

1.26

- Vai?

MHz

qg

nF

vĢEN=- Vai?15V

- Vai?

2.46

- Vai?

μC

td(uz)

Slēgšanas kavējuma laiks

- Vai?

- Vai?

vCC= 600V,Ic= 450A,- Vai?rg=- Vai?1.5Ω,

vĢEN=±15V,tj=25oc

- Vai?

360

- Vai?

ns

tr

Atkāpšanās laiks

- Vai?

140

- Vai?

ns

td(Izslēgt)

Izslēgt- Vai?Atlikušais laiks

- Vai?

550

- Vai?

ns

tf

Nolieku laiks

- Vai?

146

- Vai?

ns

euz

Slēgt- Vai?pārvēršana

zaudējumi

- Vai?

11.5

- Vai?

mJ

eIzslēgt

Izslēgtas

zaudējumi

- Vai?

48.0

- Vai?

mJ

td(uz)

Slēgšanas kavējuma laiks

- Vai?

- Vai?

vCC= 600V,Ic= 450A,- Vai?rg=- Vai?1.5Ω,

vĢEN=±15V,- Vai?tj=- Vai?125oc

- Vai?

374

- Vai?

ns

tr

Atkāpšanās laiks

- Vai?

147

- Vai?

ns

td(Izslēgt)

Izslēgt- Vai?Atlikušais laiks

- Vai?

623

- Vai?

ns

tf

Nolieku laiks

- Vai?

178

- Vai?

ns

euz

Slēgt- Vai?pārvēršana

zaudējumi

- Vai?

17.9

- Vai?

mJ

eIzslēgt

Izslēgtas

zaudējumi

- Vai?

64.5

- Vai?

mJ

td(uz)

Slēgšanas kavējuma laiks

- Vai?

- Vai?

vCC= 600V,Ic= 450A,- Vai?rg=- Vai?1.5Ω,

vĢEN=±15V,- Vai?tj=- Vai?150oc

- Vai?

381

- Vai?

ns

tr

Atkāpšanās laiks

- Vai?

152

- Vai?

ns

td(Izslēgt)

Izslēgt- Vai?Atlikušais laiks

- Vai?

636

- Vai?

ns

tf

Nolieku laiks

- Vai?

184

- Vai?

ns

euz

Slēgt- Vai?pārvēršana

zaudējumi

- Vai?

19.6

- Vai?

mJ

eIzslēgt

Izslēgtas

zaudējumi

- Vai?

69.0

- Vai?

mJ

- Vai?

iSC

- Vai?

SC dati

tp≤ 10 μs,VĢEN=- Vai?15 V,

tj= 150oC,VCC= 900V,- Vai?vCEM≤ 1200V

- Vai?

- Vai?

1800

- Vai?

- Vai?

a)

Sīkāku informāciju

parametrs

Testēšanas apstākļi

Min.

Tips.

Maksimāli.

vienība

- Vai?

vf

Diode uz priekšu

spriegums

if= 450A,VĢEN=0V,Tj=25oc

- Vai?

1.72

2.12

- Vai?

v

if= 450A,VĢEN=0V,Tj=- Vai?125oc

- Vai?

1.73

- Vai?

if= 450A,VĢEN=0V,Tj=- Vai?150oc

- Vai?

1.74

- Vai?

qr

Atgūstamā nodeva

vCC= 600V,If= 450A,

-di/dt=3000A/μs,VĢEN=-- Vai?15 V,tj=25oc

- Vai?

40.3

- Vai?

μC

iRM

Augstais augstums

atgūšanas strāvas

- Vai?

258

- Vai?

a)

eRec

Atgriezeniska atgūšanaenerģija

- Vai?

19.0

- Vai?

mJ

qr

Atgūstamā nodeva

vCC= 600V,If= 450A,

-di/dt=3000A/μs,VĢEN=-- Vai?15 V,- Vai?tj=- Vai?125oc

- Vai?

71.9

- Vai?

μC

iRM

Augstais augstums

atgūšanas strāvas

- Vai?

338

- Vai?

a)

eRec

Atgriezeniska atgūšanaenerģija

- Vai?

39.1

- Vai?

mJ

qr

Atgūstamā nodeva

vCC= 600V,If= 450A,

-di/dt=3000A/μs,VĢEN=-- Vai?15 V,- Vai?tj=- Vai?150oc

- Vai?

79.3

- Vai?

μC

iRM

Augstais augstums

atgūšanas strāvas

- Vai?

352

- Vai?

a)

eRec

Atgriezeniska atgūšanaenerģija

- Vai?

41.8

- Vai?

mJ

Sīkāku informāciju

parametrs

Min.

Tips.

Maksimāli.

vienība

Esc

Neatklāta induktantība

- Vai?

- Vai?

20

nH

rCC+EE

Modulā "Rūgtumvirsme",Termināls uz čipu

- Vai?

0.35

- Vai?

mΩ

rθJC

Savienojums ar lietu (par IGB)T)

Savienojums ar kārtu (par D)jods)

- Vai?

- Vai?

0.068

0.117

K/W

rθCS

Korpuss uz siltuma izkliedētāju (katram IGBT)

Korpuss uz siltuma izkliedētāju (katram diodam)

- Vai?

0.111

0.190

- Vai?

K/W

rθCS

Korpuss uz siltuma izkliedētāju

- Vai?

0.035

- Vai?

K/W

m

terminala savienojuma griezes moments,- Vai?M6 skrūvis- Vai?Monta griezes moments,- Vai?M6 skrūvis

2.5

3.0

- Vai?

5.0

5.0

N.m.

g

svars- Vai?moduls

- Vai?

300

- Vai?

g