IGBT modulis 1700V

Sīkāku informāciju

apraksts

GD400SGT170C2S

Vienības

vTips

Sildītājs-izsildītājs

1700

v

v=150 °C

Izslēgšanas-izslēgšanas spriegums

±20

v

ic

Saldēšanas šķidrumsc=25°C

@ Tc=80°C

700

a)

400

iCM(1)

Pulsējošais kolektorsp=1ms

800

a)

if

Dioda nepārtraukta tālvadība

400

a)

iFM

Dioda maksimālais priekšējais krustpunktsīrvalde

800

a)

pd

Maksimālā jauda Dissipācija @ Tj=- Vai?175°C

3000

w

tSC

Slēgtā savienojuma izturēšanās laiks @ Tj=125°C

10

μs

tjmax

Maksimālā savienojuma temperatūra

175

°C

tSTG

Uzglabāšanas temperatūras diapazons

-40 līdz +125

°C

i2t-vērtība,Diode

vr=0V,t=10ms,Tj=125°C

25500

a)2s

vISO

Izolācijas spriegums RMS,f=50Hz,t=1min

4000

v

- Vai?

Pievienošanas griezes moments

Jautājumu termināla skrūvs:M4

Jautājumu termināla skrūvs:M6

1.1 līdz- Vai?2.0

2,5 līdz- Vai?5.0

N.m.

uzstādīšana- Vai?Šķirbju:M6

3,0 līdz- Vai?5.0

N.m.

Sīkāku informāciju

parametrs

Testēšanas apstākļi

Min.

Tips.

Maksimāli.

Vienības

v(BR)Tips

Sadarbības partneris

Slēgšanas spriegums

vĢEN=0V,- Vai?ic=- Vai?14mA,tj=25°C

1700

- Vai?

- Vai?

v

iTips

Kolektors- Vai?Izgriežts- Esmu gatavs.Izslēgt- Vai?strāvas

vc=vTips- Jā,vĢEN=0V,- Vai?tj=25°C

- Vai?

- Vai?

3.0

māte

i=150 °C

Izslēguma emitenta noplūde

strāvas

vĢEN=v=150 °C- Jā,vc=0V,- Vai?tj=25°C

- Vai?

- Vai?

400

no

Sīkāku informāciju

parametrs

Testēšanas apstākļi

Min.

Tips.

Maksimāli.

Vienības

vĢEN(- - - - - -)

Vārda emitenta slieksnis

spriegums

ic=- Vai?16mA,Vc=VĢEN- Jā,tj=25°C

5.2

5.8

6.4

v

- Vai?

- Vai?

vCE (sat)

- Vai?

Saņēmējs - emitents

Sātumapstrādes spriegums

ic=400A,VĢENKolektora-emiteru piesātinājums- Vai?tj=25°C

- Vai?

2.00

2.45

- Vai?

- Vai?

v

ic=400A,VĢENKolektora-emiteru piesātinājums- Vai?tj=- Vai?125°C

- Vai?

2.40

- Vai?

Sīkāku informāciju

parametrs

Testēšanas apstākļi

Min.

Tips.

Maksimāli.

Vienības

td(uz)

Slēgšanas kavējuma laiks

vCC= 900V,Ic=400A,

- Vai?

278

- Vai?

ns

tr

Atkāpšanās laiks

rg=3,6Ω,VĢEN=- Vai?±15- Vai?V,

- Vai?

81

- Vai?

ns

td(Izslēgt)

Izslēgt- Vai?Atlikušais laiks

tj=25°C

- Vai?

802

- Vai?

ns

tf

Nolieku laiks

- Vai?

vCC= 900V,Ic=400A,   rg=3,6Ω,VĢEN=- Vai?±15- Vai?V,tj=25°C

- Vai?

119

- Vai?

ns

euz

Slēpšanas pārvēršana

zaudējumi

- Vai?

104

- Vai?

mJ

eIzslēgt

Izslēgtas

zaudējumi

- Vai?

86

- Vai?

mJ

td(uz)

Slēgšanas kavējuma laiks

- Vai?

- Vai?

- Vai?

vCC= 900V,Ic=400A,   rg=3,6Ω,VĢEN=- Vai?±15- Vai?V,- Vai?tj=- Vai?125°C

- Vai?

302

- Vai?

ns

tr

Atkāpšanās laiks

- Vai?

99

- Vai?

ns

td(izslēgt)

Izslēgt- Vai?Atlikušais laiks

- Vai?

1002

- Vai?

ns

tf

Nolieku laiks

- Vai?

198

- Vai?

ns

euz

Slēpšanas pārvēršana

zaudējumi

- Vai?

136

- Vai?

mJ

eIzslēgt

Izslēgtas

zaudējumi

- Vai?

124

- Vai?

mJ

c125 °C

ies

- Vai?

vc=25V, f=1MHz,

vĢEN=0V

- Vai?

36

- Vai?

MHz

cejs

Izvades jauda

- Vai?

1.5

- Vai?

MHz

cres

Atgriezītais pārvedums

Jauda

- Vai?

1.2

- Vai?

MHz

- Vai?

iSC

- Vai?

SC dati

tsc≤10μs,vĢENKolektora-emiteru piesātinājums

tj=125°CVCC=- Vai?1000V,VCEM≤1700V

- Vai?

- Vai?

1600

- Vai?

- Vai?

a)

rGint

Iekšējā vārsta pretestībaPretestība

- Vai?

- Vai?

1.9

- Vai?

Ω

Esc

Neatklāta induktantība

- Vai?

- Vai?

- Vai?

20

nH

rCC+EE- Vai?'

Modula vedlejuma pretestībac)- Vai?termināls uz čipu

tc=25°C

- Vai?

0.18

- Vai?

mΩ

Sīkāku informāciju

parametrs

Testēšanas apstākļi

Min.

Tips.

Maksimāli.

Vienības

vf

Diode uz priekšu

spriegums

if=400A

tj=25°C

- Vai?

1.80

2.20

v

tj=- Vai?125°C

- Vai?

1.90

- Vai?

qr

Dioda atkārtots

atgūstamās izmaksas

- Vai?

if=400A,

vr=900- Vai?V,

di/dt=-4250A/μs,- Vai?vĢEN=-- Vai?15V

tj=25°C

- Vai?

99

- Vai?

μC

tj=- Vai?125°C

- Vai?

172

- Vai?

- Vai?

iRM

Dioda virsmas

Atgriezeniska atgūšana- Vai?strāvas

tj=25°C

- Vai?

441

- Vai?

- Vai?

a)

tj=- Vai?125°C

- Vai?

478

- Vai?

eRec

Atgriezeniska atgūšana- Vai?enerģija

tj=25°C

- Vai?

53

- Vai?

mJ

tj=- Vai?125°C

- Vai?

97

- Vai?

Sīkāku informāciju

parametrs

Tips.

Maksimāli.

Vienības

rθJC

Slēgums uz korpusu (IGBT daļa, pe)r Modulis)

- Vai?

0.05

K/W

rθJC

Savienojums ar korpusu (diodē daļa, uz moduļa)e)

- Vai?

0.09

K/W

rθCS

(Vidēja tauku un(attiecīgi)

0.035

- Vai?

K/W

svars

svars- Vai?no- Vai?moduls

300

- Vai?

g