IGBT modulis 1700V

Sīkāku informāciju

Apraksts

GD400HFT170C2SN

Vienības

V Tips

Sildītājs-izsildītājs

1700

V

V =150 °C

Izslēgšanas-izslēgšanas spriegums

±20

V

I C

Kolektora strāva @ T C =25 °C

@ T C =80 °C

700

400

A

I CM

Impulsu kolektora strāva t p =1 Lūdzu

800

A

I F

Dioda nepārtrauktajā priekšējā kursorā īrvalde

@ T C =80 °C

400

A

I FM

Diodes maksimālā priekšējā strāva t p =1ms

800

A

p D

Maksimālā jauda Dissipācija @ T j =1 75°C

2632

Platums

T jmax

Maksimālā savienojuma temperatūra

175

°C

T STG

uzglabāšanas temperatūra Diapazons

-40 līdz +125

°C

V ISO

Izolācijas spriegums RMS,f=50Hz,t=1 min

4000

V

Montāža Nomākšanas

Jautājumu termināla skrūvs:M6

Pievienošanas skrūvs:M6

2,5 līdz 5.0

3,0 līdz 5.0

N.m.

Sīkāku informāciju

Parametrs

Testēšanas apstākļi

Min.

Tips.

Max.

Vienības

V (BR )Tips

Sadarbības partneris

Slēgšanas spriegums

T j =25 °C

1700

V

I Tips

Kolektors Izgriežts -Izslēgt

Pašreiz

V CE = V Tips ,V ĢEN =0V, T j =25 °C

5.0

mA

I =150 °C

Izslēguma emitenta noplūde Pašreiz

V ĢEN = V =150 °C ,V CE =0V, T j =25 °C

400

nA

Sīkāku informāciju

Parametrs

Testēšanas apstākļi

Min.

Tips.

Max.

Vienības

V ĢEN (ts )

Vārda emitenta slieksnis Spriegums

I C = 16.0mA,V CE =V ĢEN , T j =25 °C

5.2

5.8

6.4

V

V CE (sat)

Saņēmējs - emitents

Sātumapstrādes spriegums

I C =400A,V ĢEN Kolektora-emiteru piesātinājums T j =25 °C

2.00

2.45

V

I C =400A,V ĢEN Kolektora-emiteru piesātinājums T j =125 °C

2.40

Sīkāku informāciju

Parametrs

Testēšanas apstākļi

Min.

Tips.

Max.

Vienības

T D (ieslēgta )

Slēgšanas kavējuma laiks

V CC = 900V,I C =400A, r G =3,6Ω,V ĢEN =±15V, T j =25 °C

281

ns

T r

Atkāpšanās laiks

79

ns

T D (Izslēgt )

Izslēgt Atlikušais laiks

795

ns

T F

Nolieku laiks

120

ns

E ieslēgta

Slēgt Pārslēgšana

zaudējumi

104

mJ

E Izslēgt

Izslēgtas

zaudējumi

86

mJ

T D (ieslēgta )

Slēgšanas kavējuma laiks

V CC = 900V,I C =400A, r G =3,6Ω,V ĢEN =±15V, T j =125 °C

299

ns

T r

Atkāpšanās laiks

102

ns

T D (Izslēgt )

Izslēgt Atlikušais laiks

998

ns

T F

Nolieku laiks

202

ns

E ieslēgta

Slēgt Pārslēgšana

zaudējumi

136

mJ

E Izslēgt

Izslēgtas

zaudējumi

124

mJ

C 125 °C

ies

V CE =25V, f=1MHz,

V ĢEN =0V

35.3

MHz

C ejs

Izvades jauda

1.46

MHz

C pretestība

Atgriezītais pārvedums

Jauda

1.17

MHz

I SC

SC dati

T p ≤ 10 μs,V ĢEN =15 V,

T j =125 °C, V CC = 1000 V, V CEM ≤ 1700V

1600

A

r Gint

Iekšējā vārtu pretestība - - - -

1.9

Ω

Garums CE

Neatklāta induktantība

20

nH

r CC+EE

Modula vads

pretestība,

termināls uz čipu

0.35

mΩ

Sīkāku informāciju

Parametrs

Testēšanas apstākļi

Min.

Tips.

Max.

Vienības

V F

Diode uz priekšu

Spriegums

I F =400A

T j =25 °C

1.80

2.20

V

T j =125 °C

1.90

Q r

Atgūstas

Uzlāde

I F =400A,

V r = 900V,

r G =3,6Ω,

V ĢEN =-15V

T j =25 °C

100

μC

T j =125 °C

170

I RM

Augstais augstums

atgūšanas strāvas

T j =25 °C

440

A

T j =125 °C

480

E Rec

Atgriezeniska atgūšana enerģija

T j =25 °C

54.0

mJ

T j =125 °C

95.0

Sīkāku informāciju

Parametrs

Tips.

Max.

Vienības

r θ JC

Savienojums ar lietu (par IGB) T)

0.057

K/W

r θ JC

Savienojums ar kārtu (par D) jods)

0.110

K/W

r θ CS

(Vidēja tauku un (attiecīgi)

0.035

K/W

Svars

Svars modulis

300

G