IGBT modulis 1700V

Sīkāku informāciju

apraksts

vērtība

vienība

vTips

Sildītājs-izsildītājs

1700

v

v=150 °C

Izslēgšanas-izslēgšanas spriegums

± 20

v

ic

Saldēšanas šķidrumsc=25oc

@ Tc=- Vai?100oc

645

400

a)

iCM

Pulsējošais kolektorsp=1ms

800

a)

pd

Maksimālais jaudas izmešana @ Tj=175oc

2631

w

Sīkāku informāciju

apraksts

vērtība

vienība

vRRM

Atkārtojams maksimālais atkārtots spriegums

1700

v

if

Dioda nepārtrauktajā priekšējā kursorāīrvalde

400

a)

iFM

Dioda maksimālais tālvadības strāvas daudzums tp=1ms

800

a)

Sīkāku informāciju

apraksts

vērtība

vienība

tjmax

Maksimālā savienojuma temperatūra

175

oc

tžop

Darbības savienojuma temperatūra

-40 līdz +150

oc

tSTG

uzglabāšanas temperatūraRažotājs

-40 līdz +125

oc

vISO

Izolācijas spriegums RMS,f=50Hz,t=1 min.

4000

v

Sīkāku informāciju

parametrs

Testēšanas apstākļi

Min.

Tips.

Maksimāli.

vienība

- Vai?

- Vai?

vCE (sat)

- Vai?

- Vai?

Saņēmējs - emitents

Sātumapstrādes spriegums

ic=400A,VĢENKolektora-emiteru piesātinājums- Vai?tj=25oc

- Vai?

2.00

2.45

- Vai?

- Vai?

v

ic=400A,VĢENKolektora-emiteru piesātinājums- Vai?tj=125oc

- Vai?

2.40

- Vai?

ic=400A,VĢENKolektora-emiteru piesātinājums- Vai?tj= 150oc

- Vai?

2.50

- Vai?

vĢEN(- - - - - -)

Vārda emitenta slieksnis- Vai?spriegums

ic=- Vai?16.0mA,Vc=VĢEN, Tj=25oc

5.4

6.2

7.4

v

iTips

Kolektors- Vai?Izgriežts- Esmu gatavs.Izslēgt

strāvas

vc=vTips- Jā,vĢEN=0V,

tj=25oc

- Vai?

- Vai?

5.0

māte

i=150 °C

Izslēguma emitenta noplūde- Vai?strāvas

vĢEN=v=150 °C- Jā,vc=0V,tj=25oc

- Vai?

- Vai?

400

no

rGint

Iekšējā vārtu pretestība- - - -

- Vai?

- Vai?

0.5

- Vai?

Ω

c125 °C

ies

vc=25V, f=1MHz,

vĢEN=0V

- Vai?

27.0

- Vai?

MHz

cres

Atgriezītais pārvedums

Jauda

- Vai?

0.92

- Vai?

MHz

qg

nF

vĢEN=-- Vai?15...+15V

- Vai?

3.08

- Vai?

μC

td(uz)

Slēgšanas kavējuma laiks

- Vai?

- Vai?

vCC= 900V,Ic=400A,- Vai?rg= 2,2Ω,VĢEN=±15V,- Vai?tj=25oc

- Vai?

367

- Vai?

ns

tr

Atkāpšanās laiks

- Vai?

112

- Vai?

ns

td(Izslēgt)

Izslēgt- Vai?Atlikušais laiks

- Vai?

523

- Vai?

ns

tf

Nolieku laiks

- Vai?

236

- Vai?

ns

euz

Slēgt- Vai?pārvēršana

zaudējumi

- Vai?

42.5

- Vai?

mJ

eIzslēgt

Izslēgtas

zaudējumi

- Vai?

76.7

- Vai?

mJ

td(uz)

Slēgšanas kavējuma laiks

- Vai?

- Vai?

vCC= 900V,Ic=400A,- Vai?rg= 2,2Ω,VĢEN=±15V,- Vai?tj=- Vai?125oc

- Vai?

375

- Vai?

ns

tr

Atkāpšanās laiks

- Vai?

116

- Vai?

ns

td(Izslēgt)

Izslēgt- Vai?Atlikušais laiks

- Vai?

599

- Vai?

ns

tf

Nolieku laiks

- Vai?

458

- Vai?

ns

euz

Slēgt- Vai?pārvēršana

zaudējumi

- Vai?

58.7

- Vai?

mJ

eIzslēgt

Izslēgtas

zaudējumi

- Vai?

109

- Vai?

mJ

td(uz)

Slēgšanas kavējuma laiks

- Vai?

- Vai?

vCC= 900V,Ic=400A,- Vai?rg= 2,2Ω,VĢEN=±15V,- Vai?tj=- Vai?150oc

- Vai?

377

- Vai?

ns

tr

Atkāpšanās laiks

- Vai?

120

- Vai?

ns

td(Izslēgt)

Izslēgt- Vai?Atlikušais laiks

- Vai?

611

- Vai?

ns

tf

Nolieku laiks

- Vai?

560

- Vai?

ns

euz

Slēgt- Vai?pārvēršana

zaudējumi

- Vai?

73.0

- Vai?

mJ

eIzslēgt

Izslēgtas

zaudējumi

- Vai?

118

- Vai?

mJ

- Vai?

iSC

- Vai?

SC dati

tp≤ 10 μs,VĢENKolektora-emiteru piesātinājums

tj= 150oC,VCC=- Vai?1000V,VCEM≤ 1700V

- Vai?

- Vai?

1200

- Vai?

- Vai?

a)

Sīkāku informāciju

parametrs

Testēšanas apstākļi

Min.

Tips.

Maksimāli.

vienība

- Vai?

vf

Diode uz priekšu

spriegums

if=400A,VĢEN=0V,Tj=25oc

- Vai?

1.80

2.25

- Vai?

v

if=400A,VĢEN=0V,Tj=- Vai?125oc

- Vai?

1.90

- Vai?

if=400A,VĢEN=0V,Tj=- Vai?150oc

- Vai?

1.95

- Vai?

qr

Atgūstamā nodeva

vCC= 900V,If=400A,

-di/dt=2900A/μs,VĢEN=-- Vai?15 V,tj=25oc

- Vai?

101

- Vai?

μC

iRM

Augstais augstums

atgūšanas strāvas

- Vai?

488

- Vai?

a)

eRec

Atgriezeniska atgūšanaenerģija

- Vai?

71.1

- Vai?

mJ

qr

Atgūstamā nodeva

vCC= 900V,If=400A,

-di/dt=2900A/μs,VĢEN=-- Vai?15 V,- Vai?tj=- Vai?125oc

- Vai?

150

- Vai?

μC

iRM

Augstais augstums

atgūšanas strāvas

- Vai?

562

- Vai?

a)

eRec

Atgriezeniska atgūšanaenerģija

- Vai?

106

- Vai?

mJ

qr

Atgūstamā nodeva

vCC= 900V,If=400A,

-di/dt=2900A/μs,VĢEN=-- Vai?15 V,- Vai?tj=- Vai?150oc

- Vai?

160

- Vai?

μC

iRM

Augstais augstums

atgūšanas strāvas

- Vai?

575

- Vai?

a)

eRec

Atgriezeniska atgūšanaenerģija

- Vai?

112

- Vai?

mJ

Sīkāku informāciju

parametrs

Min.

Tips.

Maksimāli.

vienība

Esc

Neatklāta induktantība

- Vai?

- Vai?

20

nH

rCC+EE

Modulā "Rūgtumvirsme",Termināls uz čipu

- Vai?

0.35

- Vai?

mΩ

rTJC

Savienojums ar lietu (par IGB)T)

Savienojums ar kārtu (par D)jods)

- Vai?

- Vai?

0.057

0.110

K/W

- Vai?

rtCH

Izmērs:IGBT)

Izmantojiet šo metodi, lai noteiktu temperatūras līmeni.diodes)

Izmērs:Modulis)

- Vai?

0.106

0.205

0.035

- Vai?

K/W

m

terminala savienojuma griezes moments,- Vai?M6 skrūvis- Vai?Monta griezes moments,- Vai?M6 skrūvis

2.5

3.0

- Vai?

5.0

5.0

N.m.

g

svars- Vai?no- Vai?moduls

- Vai?

300

- Vai?

g