IGBT modulis 1700V

Sīkāku informāciju

apraksts

vvērtība

Vienības

VCES

Sildītājs-izsildītājs

1700

v

VGES

Izslēgšanas-izslēgšanas spriegums

± 20

v

IC

Kolektors strāvas- Vai?@ TC=25°C

Kolektors strāvas- Vai?@ TC=80°C

5200

a)

3600

ICM(1)

Impulsu kolektora strāva    tp= 1ms

7200

a)

ja

Dioda nepārtraukta tālvadība

3600

a)

ja

Diodes maksimālā priekšējā strāva    @ TC=80℃

7200

a)

PD

Maksimālā jaudas zudums    @ Tj=175℃

20

kW

Tj

Maksimālā savienojuma temperatūra

175

°C

TSTG

Uzglabāšanas temperatūras diapazons

-40 līdz +125

°C

VISO

Izolācijas spriegums RMS,f=50Hz,t=1min

4000

v

uzstādīšana

Signāla termināla skrūve:M4

1.8 līdz 2.1

- Vai?

Jaudas termināla skrūve:M8

8.0 līdz 10

N.m.

griezes moments

Pievienošanas skrūvs:M6

4.25 līdz 5.75

- Vai?

Sīkāku informāciju

parametrs

Testēšanas apstākļi

Min.

Tips.

Maksimāli.

Vienības

V ((BR) CES

Sadarbības partneris

Slēgšanas spriegums

Tj=25°C

1700

- Vai?

- Vai?

v

ICES

Kolektors ir pārklāts ar strāvu

VCE=VCES,VGE=0V,Tj=25°C

- Vai?

- Vai?

5.0

māte

IGES

Izslēguma emitenta noplūde

strāvas

VGE=VGES,VCE=0V, Tj=25℃

- Vai?

- Vai?

400

no

VGE (viņš)

Vārda emitenta slieksnis

spriegums

IC=145mA,VCE=VGE, Tj=25℃

5.2

5.8

6.4

v

- Vai?

- Vai?

VCE (sat)

- Vai?

Saņēmējs - emitents

Sātumapstrādes spriegums

IC=3600A,VGE=15V, Tj=25℃

- Vai?

2.00

2.45

- Vai?

- Vai?

v

IC=3600A,VGE=15V, Tj=125℃

- Vai?

2.40

2.85

Qg

nF

VGE=-15...+15V

- Vai?

42.0

- Vai?

μC

RGint

iekšējais vārtu pretests

Tj=25°C

- Vai?

0.4

- Vai?

Ω

(td)

Slēgšanas kavējuma laiks

- Vai?

VCC=900V,IC=3600A, RGon=0.4Ω,

RGoff=0.5Ω,

VGE=±15V,Tj=25°C

- Vai?

730

- Vai?

ns

tr

Atkāpšanās laiks

- Vai?

205

- Vai?

ns

Td (izslēgt)

Izslēgšanas kavējuma laiks

- Vai?

1510

- Vai?

ns

tf

Nolieku laiks

- Vai?

185

- Vai?

ns

EON

Ieslēgšanas slēgšanas zudums

- Vai?

498

- Vai?

mJ

EOFF

Izslēgšanas slēgšanas zudums

- Vai?

1055

- Vai?

mJ

(td)

Slēgšanas kavējuma laiks

- Vai?

VCC=900V,IC=3600A, RGon=0.4Ω,

RGoff=0.5Ω,

VGE=±15V,Tj=125℃

- Vai?

785

- Vai?

ns

tr

Atkāpšanās laiks

- Vai?

225

- Vai?

ns

Td (izslēgt)

Izslēgšanas kavējuma laiks

- Vai?

1800

- Vai?

ns

tf

Nolieku laiks

- Vai?

325

- Vai?

ns

EON

Ieslēgšanas slēgšanas zudums

- Vai?

746

- Vai?

mJ

EOFF

Izslēgšanas slēgšanas zudums

- Vai?

1451

- Vai?

mJ

Cies

ies

- Vai?

VCE=25V, f=1MHz,

VGE=0V

- Vai?

317

- Vai?

MHz

Koši

Izvades jauda

- Vai?

13.2

- Vai?

MHz

Cres

Atgriezītais pārvedums

Jauda

- Vai?

10.5

- Vai?

MHz

- Vai?

ISC

- Vai?

SC dati

tSC≤10μs,VGE=15V,

Tj=125℃,VCC=1000V, VCEM ≤1700V

- Vai?

- Vai?

14000

- Vai?

- Vai?

a)

LCE

Neatklāta induktantība

- Vai?

- Vai?

10

- Vai?

nH

RCC+EE

Modulā ir svina pretestība, no terminala līdz čipu

- Vai?

- Vai?

0.12

- Vai?

mΩ

Sīkāku informāciju

parametrs

Testēšanas apstākļi

Min.

Tips.

Maksimāli.

Vienības

vf

Diode uz priekšu

spriegums

if=3600A

tj=25°C

- Vai?

1.80

2.20

v

tj=125°C

- Vai?

1.90

2.30

qr

Atgūstamā nodeva

- Vai?

if=3600A,

vr= 900V,

rGons=0.4Ω,

vĢEN=-15V

tj=25°C

- Vai?

836

- Vai?

μC

tj=125°C

- Vai?

1451

- Vai?

iRM

Atgriezeniska atgūšana- Vai?strāvas

tj=25°C

- Vai?

2800

- Vai?

a)

tj=125°C

- Vai?

3300

- Vai?

eRec

Atgriezeniska atgūšana- Vai?enerģija

tj=25°C

- Vai?

590

- Vai?

mJ

tj=125°C

- Vai?

1051

- Vai?