IGBT modulis 1700V

Sīkāku informāciju

apraksts

vērtība

vienība

VCES

Sildītājs-izsildītājs

1700

v

VGES

Izslēgšanas-izslēgšanas spriegums

± 20

v

IC

Kolektors Strāvas @ TC=25oC

Kolektors strāvas- Vai?@ TC=65oC

4446

3600

a)

ICM

Pulsējošais kolektors

7200

a)

PD

Maksimālā jaudas izkliede  @ Tj=175oC

15.3

kW

Sīkāku informāciju

apraksts

vērtība

vienība

VRRM

Atkārtojams maksimālais atkārtots spriegums

1700

v

ja

Dioda nepārtraukta tālvadība

3600

a)

ja

Dioda maksimālais tālvadības strāvas tp=1ms

7200

a)

Sīkāku informāciju

apraksts

vērtība

vienība

Tjmax

Maksimālā savienojuma temperatūra

175

^oc

Tjop

Darbības savienojuma temperatūra

-40 līdz +150

^oc

TSTG

Uzglabāšanas temperatūras diapazons

-40 līdz +125

^oc

VISO

Izolācijas spriegums RMS,f=50Hz,t=1min

4000

v

Sīkāku informāciju

parametrs

Testēšanas apstākļi

Min.

Tips.

Maksimāli.

vienība

- Vai?

- Vai?

VCE (sat)

- Vai?

- Vai?

Saņēmējs - emitents

Sātumapstrādes spriegums

IC=3600A,VGE=15V, Tj=25oC

- Vai?

2.00

2.45

- Vai?

- Vai?

v

IC=3600A,VGE=15V, Tj=125oC

- Vai?

2.40

- Vai?

IC=3600A,VGE=15V, Tj=150oC

- Vai?

2.50

- Vai?

VGE (viņš)

Vārsta-emisijas sliekšņa spriegums

IC= 144.0mA,VCE=VGE, Tj=25oC

5.4

6.2

7.4

v

ICES

Slēgtā daļa

strāvas

VCE=VCES,VGE=0V,

Tj=25oC

- Vai?

- Vai?

5.0

māte

IGES

Vārsta-emiteru noplūdes strāva

VGE=VGES,VCE=0V, Tj=25oC

- Vai?

- Vai?

400

no

RGint

Iekšējā vārtu pretestība

- Vai?

- Vai?

0.53

- Vai?

Ω

Cies

ies

VCE=25V, f=1MHz,

VGE=0V

- Vai?

240

- Vai?

MHz

Cres

Atgriezītais pārvedums

Jauda

- Vai?

8.64

- Vai?

MHz

Qg

nF

VGE=+15…+15V

- Vai?

21.6

- Vai?

μC

(td)

Slēgšanas kavējuma laiks

- Vai?

- Vai?

VCC=900V,IC=3600A, RG=0.5Ω,VGE=±15V,  Tj=25oC

- Vai?

660

- Vai?

ns

tr

Atkāpšanās laiks

- Vai?

280

- Vai?

ns

Td (izslēgt)

Izslēgšanas kavējuma laiks

- Vai?

1600

- Vai?

ns

tf

Nolieku laiks

- Vai?

175

- Vai?

ns

EON

Slēpšanas pārvēršana

zaudējumi

- Vai?

650

- Vai?

mJ

EOFF

Izslēgtas

zaudējumi

- Vai?

1100

- Vai?

mJ

(td)

Slēgšanas kavējuma laiks

- Vai?

- Vai?

VCC=900V,IC=3600A, RG=0.5Ω,VGE=±15V,  Tj=125oC

- Vai?

740

- Vai?

ns

tr

Atkāpšanās laiks

- Vai?

290

- Vai?

ns

Td (izslēgt)

Izslēgšanas kavējuma laiks

- Vai?

1800

- Vai?

ns

tf

Nolieku laiks

- Vai?

315

- Vai?

ns

EON

Slēpšanas pārvēršana

zaudējumi

- Vai?

800

- Vai?

mJ

EOFF

Izslēgtas

zaudējumi

- Vai?

1500

- Vai?

mJ

(td)

Slēgšanas kavējuma laiks

- Vai?

- Vai?

VCC=900V,IC=3600A, RG=0.5Ω,VGE=±15V,  Tj=150oC

- Vai?

780

- Vai?

ns

tr

Atkāpšanās laiks

- Vai?

295

- Vai?

ns

Td (izslēgt)

Izslēgšanas kavējuma laiks

- Vai?

1850

- Vai?

ns

tf

Nolieku laiks

- Vai?

395

- Vai?

ns

EON

Slēpšanas pārvēršana

zaudējumi

- Vai?

900

- Vai?

mJ

EOFF

Izslēgtas

zaudējumi

- Vai?

1600

- Vai?

mJ

- Vai?

ISC

- Vai?

SC dati

tP≤10μs,VGE=15V,

Tj=150oC,VCC=1000V, VCEM≤1700V

- Vai?

- Vai?

14

- Vai?

- Vai?

kA

Sīkāku informāciju

parametrs

Testēšanas apstākļi

Min.

Tips.

Maksimāli.

vienība

- Vai?

VF

Diode uz priekšu

spriegums

IF=3600A,VGE=0V,Tj=25oC

- Vai?

1.80

2.25

- Vai?

v

IF=3600A,VGE=0V,Tj=125oC

- Vai?

1.95

- Vai?

IF=3600A,VGE=0V,Tj= 150oC

- Vai?

1.90

- Vai?

Qr

Atgūstamā nodeva

VR=900V,IF=3600A,

-di/dt= 12000A/μs,VGE=- 15V Tj=25oC

- Vai?

730

- Vai?

μC

IRM

Augstais augstums

atgūšanas strāvas

- Vai?

2600

- Vai?

a)

Erec

Atgriezeniska atgūšanas enerģija

- Vai?

490

- Vai?

mJ

Qr

Atgūstamā nodeva

VR=900V,IF=3600A,

-di/dt= 12000A/μs,VGE=- 15V Tj=125oC

- Vai?

1350

- Vai?

μC

IRM

Augstais augstums

atgūšanas strāvas

- Vai?

3150

- Vai?

a)

Erec

Atgriezeniska atgūšanas enerģija

- Vai?

950

- Vai?

mJ

Qr

Atgūstamā nodeva

VR=900V,IF=3600A,

-di/dt= 12000A/μs,VGE=- 15V Tj=150oC

- Vai?

1550

- Vai?

μC

IRM

Augstais augstums

atgūšanas strāvas

- Vai?

3300

- Vai?

a)

Erec

Atgriezeniska atgūšanas enerģija

- Vai?

1100

- Vai?

mJ

Sīkāku informāciju

parametrs

Min.

Tips.

Maksimāli.

vienība

LCE

Neatklāta induktantība

- Vai?

6.0

- Vai?

nH

RCC+EE

Modulā ir svina pretestība, no terminala līdz čipu

- Vai?

0.12

- Vai?

mΩ

RthJC

Savienojums ar korpusu (par IGBT)

Savienojums ar korpusu (par diodu)

- Vai?

- Vai?

9.8

16.3

K/kW

- Vai?

RthCH

Izmantošana, lai nodrošinātu, ka:

Izmantošana, lai noteiktu, vai ir iespējams izmantot elektrisko ierīci

Izmantošana

- Vai?

6.5

10.7

4.0

- Vai?

K/kW

- Vai?

m

Termināļa savienojuma griezes moments, Skrūve M4 Termināļa savienojuma griezes moments, Skrūve M8 Montāžas griezes moments, Skrūve M6

1.8

8.0

4.25

- Vai?

2.1

10

5.75

- Vai?

N.m.

g

Moduļa svars

- Vai?

2300

- Vai?

g