IGBT modulis 1700V

Sīkāku informāciju

Apraksts

GD300SGT170C2S

Vienības

V Tips

Sildītājs-izsildītājs

1700

V

V =150 °C

Izslēgšanas-izslēgšanas spriegums

±20

V

I C

Kolektora strāva @ T C =25 °C

@ T C =80 °C

550

300

A

I CM

Impulsu kolektora strāva t p =1 Lūdzu

600

A

I F

Dioda nepārtrauktajā priekšējā kursorā īrvalde

@ T C =80 °C

300

A

I FM

Diodes maksimālā priekšējā strāva t p =1ms

600

A

p D

Maksimālā jauda Dissipācija @ T j =1 75°C

2239

Platums

T jmax

Maksimālā savienojuma temperatūra

175

°C

T STG

uzglabāšanas temperatūra Diapazons

-40 līdz +125

°C

V ISO

Izolācijas spriegums RMS,f=50Hz,t=1 min

4000

V

Montāža Nomākšanas

Jautājumu termināla skrūvs:M4

Jautājumu termināla skrūvs:M6

1.1 līdz 2.0

2,5 līdz 5.0

N.m.

Pievienošanas skrūvs:M6

3,0 līdz 5.0

N.m.

Sīkāku informāciju

Parametrs

Testēšanas apstākļi

Min.

Tips.

Max.

Vienības

V (BR )Tips

Sadarbības partneris

Slēgšanas spriegums

T j =25 °C

1700

V

I Tips

Kolektors Izgriežts -Izslēgt

Pašreiz

V CE = V Tips ,V ĢEN =0V, T j =25 °C

5.0

mA

I =150 °C

Izslēguma emitenta noplūde Pašreiz

V ĢEN = V =150 °C ,V CE =0V, T j =25 °C

400

nA

Sīkāku informāciju

Parametrs

Testēšanas apstākļi

Min.

Tips.

Max.

Vienības

V ĢEN (ts )

Vārda emitenta slieksnis Spriegums

I C = 12,0 mA,V CE =V ĢEN , T j =25 °C

5.2

5.8

6.4

V

V CE (sat)

Saņēmējs - emitents

Sātumapstrādes spriegums

I C = 300A,V ĢEN Kolektora-emiteru piesātinājums T j =25 °C

2.00

2.45

V

I C = 300A,V ĢEN Kolektora-emiteru piesātinājums T j =125 °C

2.40

Sīkāku informāciju

Parametrs

Testēšanas apstākļi

Min.

Tips.

Max.

Vienības

T D (ieslēgta )

Slēgšanas kavējuma laiks

V CC = 900V,I C = 300A, r G =4.7Ω,V ĢEN =±15V, T j =25 °C

281

ns

T r

Atkāpšanās laiks

82

ns

T D (Izslēgt )

Izslēgt Atlikušais laiks

801

ns

T F

Nolieku laiks

121

ns

E ieslēgta

Slēgt Pārslēgšana

zaudējumi

70.0

mJ

E Izslēgt

Izslēgtas

zaudējumi

65.0

mJ

T D (ieslēgta )

Slēgšanas kavējuma laiks

V CC = 900V,I C = 300A, r G =4.7Ω,V ĢEN =±15V, T j =125 °C

303

ns

T r

Atkāpšanās laiks

103

ns

T D (Izslēgt )

Izslēgt Atlikušais laiks

1002

ns

T F

Nolieku laiks

203

ns

E ieslēgta

Slēgt Pārslēgšana

zaudējumi

105

mJ

E Izslēgt

Izslēgtas

zaudējumi

94.0

mJ

C 125 °C

ies

V CE =25V, f=1MHz,

V ĢEN =0V

26.6

MHz

C ejs

Izvades jauda

1.11

MHz

C pretestība

Atgriezītais pārvedums

Jauda

0.88

MHz

I SC

SC dati

T p ≤ 10 μs,V ĢEN =15 V,

T j =125 °C, V CC = 1000 V, V CEM ≤ 1700V

1200

A

r Gint

Iekšējā vārtu pretestība - - - -

2.1

Ω

Garums CE

Neatklāta induktantība

20

nH

r CC+EE

Modula vads

pretestība,

termināls uz čipu

0.18

mΩ

Sīkāku informāciju

Parametrs

Testēšanas apstākļi

Min.

Tips.

Max.

Vienības

V F

Diode uz priekšu

Spriegums

I F =300A

T j =25 °C

1.80

2.20

V

T j =125 °C

1.90

Q r

Atgūstas

Uzlāde

I F = 300A,

V r = 900V,

r G =4,7Ω,

V ĢEN =-15V

T j =25 °C

77

μC

T j =125 °C

131

I RM

Augstais augstums

atgūšanas strāvas

T j =25 °C

351

A

T j =125 °C

383

E Rec

Atgriezeniska atgūšana enerģija

T j =25 °C

40.0

mJ

T j =125 °C

72.0

Sīkāku informāciju

Parametrs

Tips.

Max.

Vienības

r θ JC

Savienojums ar lietu (par IGB) T)

0.067

K/W

r θ JC

Savienojums ar kārtu (par D) jods)

0.124

K/W

r θ CS

"Case-to-Sink" (vadītais tauku aplikācija) (izmantots)

0.035

K/W

Svars

Svars modulis

300

G