IGBT modulis 1700V

Sīkāku informāciju

Apraksts

GD300SGL170C2S

Vienības

V Tips

Sildītājs-izsildītājs

1700

V

V =150 °C

Izslēgšanas-izslēgšanas spriegums

±20

V

I C

Kolektora strāva @ T C =25 °C

@ T C = 100°C

460

300

A

I CM

Impulsu kolektora strāva t p =1 Lūdzu

600

A

I F

Dioda nepārtrauktajā priekšējā kursorā īrvalde

300

A

I FM

Diodes maksimālā priekšējā strāva t p =1ms

600

A

p D

Maksimālā jauda Dissipācija @ T j =1 75°C

2273

Platums

T jmax

Maksimālā savienojuma temperatūra

175

°C

T žop

Darbības savienojuma temperatūra

-40 līdz +150

°C

T STG

uzglabāšanas temperatūra Diapazons

-40 līdz +125

°C

V ISO

Izolācijas spriegums RMS,f=50Hz,t= 1 min.

4000

V

m

terminala savienojuma griezes moments, Skrūve M4

1.1 līdz 2.0

terminala savienojuma griezes moments, M6 skrūvis

2,5 līdz 5.0

N.m.

Monta griezes moments, M6 skrūvis

3,0 līdz 5.0

G

Masas modulis

300

G

Sīkāku informāciju

Parametrs

Testēšanas apstākļi

Min.

Tips.

Max.

Vienības

V (BR )Tips

Sadarbības partneris

Slēgšanas spriegums

T j =25 °C

1700

V

I Tips

Kolektors Izgriežts -Izslēgt

Pašreiz

V CE = V Tips ,V ĢEN =0V, T j =25 °C

5.0

mA

I =150 °C

Izslēguma emitenta noplūde Pašreiz

V ĢEN = V =150 °C ,V CE =0V, T j =25 °C

400

nA

Sīkāku informāciju

Parametrs

Testēšanas apstākļi

Min.

Tips.

Max.

Vienības

V ĢEN (ts )

Vārda emitenta slieksnis Spriegums

I C =24.0 mA ,V CE = V ĢEN , T j =25 °C

5.4

6.2

7.4

V

V CE (sat)

Saņēmējs - emitents

Sātumapstrādes spriegums

I C = 300A,V ĢEN Kolektora-emiteru piesātinājums T j =25 °C

2.50

2.95

V

I C = 300A,V ĢEN Kolektora-emiteru piesātinājums T j =125 °C

3.00

Sīkāku informāciju

Parametrs

Testēšanas apstākļi

Min.

Tips.

Max.

Vienības

T D (ieslēgta )

Slēgšanas kavējuma laiks

V CC = 900V,I C = 300A, r G =4.7Ω,V ĢEN =±15V, T j =25 °C

464

ns

T r

Atkāpšanās laiks

157

ns

T D (Izslēgt )

Izslēgt Atlikušais laiks

421

ns

T F

Nolieku laiks

290

ns

E ieslēgta

Slēgt Pārslēgšana

zaudējumi

108

mJ

E Izslēgt

Izslēgtas

zaudējumi

55.2

mJ

T D (ieslēgta )

Slēgšanas kavējuma laiks

V CC = 900V,I C = 300A, r G =4.7Ω,V ĢEN =±15V, T j = 125°C

483

ns

T r

Atkāpšanās laiks

161

ns

T D (Izslēgt )

Izslēgt Atlikušais laiks

465

ns

T F

Nolieku laiks

538

ns

E ieslēgta

Slēgt Pārslēgšana

zaudējumi

128

mJ

E Izslēgt

Izslēgtas

zaudējumi

83.7

mJ

C 125 °C

ies

V CE =25V, f=1MHz,

V ĢEN =0V

20.4

MHz

C pretestība

Atgriezītais pārvedums

Jauda

0.72

MHz

I SC

SC dati

T p ≤ 10 μs,V ĢEN =15 V,

T j =125 °C,V CC = 1300 V, V CEM ≤ 1700V

960

A

Q G

nF

V CC = 900V,I C = 300A, V ĢEN =-15 ﹍+15V

2.4

μC

Garums CE

Neatklāta induktantība

20

nH

r CC+EE

Modula vads

pretestība,

termināls uz čipu

0.18

mΩ

Sīkāku informāciju

Parametrs

Testēšanas apstākļi

Min.

Tips.

Max.

Vienības

V F

Diode uz priekšu

Spriegums

I F =300A

T j =25 °C

1.80

2.25

V

T j =125 °C

1.95

Q r

Atgūstas

Uzlāde

I F = 300A,

V r = 900V,

r G =4,7Ω,

V ĢEN =-15V

T j =25 °C

70.3

μC

T j =125 °C

108

I RM

Augstais augstums

atgūšanas strāvas

T j =25 °C

209

A

T j =125 °C

238

E Rec

Atgriezeniska atgūšana enerģija

T j =25 °C

40.7

mJ

T j =125 °C

65.1

Sīkāku informāciju

Parametrs

Tips.

Max.

Vienības

r θ JC

Savienojums ar lietu (par IGB) T)

0.066

K/W

r θ JC

Savienojums ar kārtu (par D) jods)

0.105

K/W

r θ CS

"Case-to-Sink" (vadītais tauku aplikācija) (izmantots)

0.035

K/W