IGBT modulis 1700V

Sīkāku informāciju

Apraksts

GD300HFT170C2S

Vienības

VCES

Sadarbības partneris Spriegums

1700

V

VGFs

Izslēdzējs Spriegums

±20

V

IC

Kolektors Pašreiz @Tc=25℃

@Tc=80℃

550

A

300

ICM(1)

Pulss Kolektors Pašreiz tp= 1Lūdzu

600

A

Ir

Dioda Nepārtraukts Uz priekšu Pašreiz

300

A

IM

Dioda Maksimālā Uz priekšu Pašreiz

600

A

PP

Maksimālā Jauda Zudums @Tj=175℃

2083

Platums

TSC

Īslaicīgs Īpašums Izturēt Laiks @Tj =125℃

10

μs

Tjmax

Maksimālā Savienojums Temperatūra

175

°C

TSTG

uzglabāšana Temperatūra Diapazons

-40 to+125

°C

I²t-vērtība,Diode

VR=0V,t=10ms,Tj=125°C

14500

A²s

VISO

Izolācija Spriegums RMS,f=50Hz,t=1min

4000

V

Montāža Nomākšanas

Jauda Termināls Šķirp :M6

2.5 uz 5.0

N.m.

Montāža Šķirbju:M6

3.0 uz 5.0

N.m.

Sīkāku informāciju

Parametrs

Tests Apstākļi

min .

Simbols .

max .

Vienības

BVcrs

Sadarbības partneris

pārtraukums Spriegums

VGe=0V,Ic=4.0mA, T=25℃

1700

V

ICES

Kolektors Izgriešana Pašreiz

VCE=VCES,VGE=0V, Tj=25°C

3.0

mA

IGrs

Izslēdzējs Noplūde Pašreiz

VGr=VGes,Vcn=0V, T=25℃

400

nA

Sīkāku informāciju

Parametrs

Tests Apstākļi

min .

Tips.

max .

Vienības

Vcπ(h)

Izslēdzējs Slieksnis Spriegums

Ie=12.0mA,Vcr=VGE T=25℃

5.2

5.8

6.4

V

VCE (sat)

Kolektors uz Izstarotājs saturācija Spriegums

Ic=300A,VGr=15V, T=25℃

2.0

V

IC = 300A, VGr =15V. T=125℃

2.4

Sīkāku informāciju

Parametrs

Tests Apstākļi

min .

Tips.

max .

Vienības

taon)

Slēgt Aizkave Laiks

Vcc=900V,Ic=300A, Ra=4.72,

Vae=±15V, T=25℃

281

ns

T

Pieaugums Laiks

82

ns

ta (o)

Izslēgt Aizkave Laiks

801

ns

tr

Kritums Laiks

Vcc=900V,Ic=300A,

Rc=4.72,

V=±15V

T=25℃

121

ns

EON

Slēgt Pārslēgšana

zaudējumi

70

mJ

Eofr

Izslēgt Pārslēgšana

zaudējumi

65

mJ

ta(on)

Slēgt Aizkave Laiks

Vcc=900V,Ic=300A,

RG=4.72,

Vc=±15V T=125℃

303

ns

T

Pieaugums Laiks

103

ns

ta(om)

Izslēgt Aizkave Laiks

1002

ns

tr

Kritums Laiks

203

ns

EON

Slēgt Pārslēgšana

zaudējumi

105

mJ

Eor

Izslēgt Pārslēgšana

zaudējumi

94

mJ

Cies

Ievade Jauda

VCE=25V, f=1MHz,

VGr=0V

27.0

MHz

Koši

Izvade Jauda

1.1

MHz

Cres

atkārtots Pārraide

Jauda

0.9

MHz

ISC

SC Dati

tSC≤10μs,VGE=15V,

T=125℃,

Vcc=1000V

VcrM≤1700V

1200

A

RGint

Iekšējā Vārsts Pretest CE

2.5

Ω

LCr

Noplūdes induktivitāte

20

nH

RcC'+EE'

modulis Vadītājs pretestība, Termināls uz CHIP

TC=25°C

0.35

m2

Sīkāku informāciju

Parametrs

Tests Apstākļi

min .

Tips.

max .

Vienības

VR

Dioda Uz priekšu

Spriegums

Iq=300A

Tj=25°C

1.8

V

Ti=125℃

1.9

Q

Dioda atkārtots

Atgūšana Uzlāde

Ir=300A,

VR=900V,

di/dt=-3600A/μs,

VGr=-15V

T=25℃

77

μC

Tj=125°C

131

IRM

Dioda Pīķis

atkārtots Atgūšana Pašreiz

Tj=25°C

351

A

T=125℃

383

Eree

atkārtots Atgūšana enerģija

Tj=25°C

40

mJ

Tj=125°C

72

Sīkāku informāciju

Parametrs

Tips.

max .

Vienības

Rac

Savienojums -uz -Gadījums (IGBT Dārza , par 1/2 Modu (le)

0.072

K/W

Rac

Savienojums -uz -Gadījums (Dioda Dārza , p er 1/2 Modulis)

0.13

K/W

Roc

Korpuss uz siltuma izkliedētāju (Vadītspējīgs smarža piemērota)

0.035

K/W

Svars

Svars of modulis

300

G