IGBT modulis, 1700A 300A
Īss ievads
IGBT modulis , ražots no STARPOWER. 1700V 300A.
Iespējas
Tipiska Lietojumi
Absolūta Maksimālā Reitingu rādītāji T C =25 O C ja norādīts atzīmēts
IGBT
Sīkāku informāciju | Apraksts | vērtību | Drošības un drošības politika |
V Tips | Sildītājs-izsildītājs | 1700 | V |
V =150 °C | Izslēgšanas-izslēgšanas spriegums | ±20 | V |
I C | Kolektora strāva @ T C =25 O C @ T C = 100O C | 490 300 | A |
I CM | Impulsu kolektora strāva t p =1ms | 600 | A |
p D | Maksimālā jauda Dissipācija @ T =175 O C | 2027 | Platums |
Dioda
Sīkāku informāciju | Apraksts | vērtību | Drošības un drošības politika |
V RRM | Atkārtojams maksimālais atkārtots spriegums | 1700 | V |
I F | Dioda nepārtrauktajā priekšējā kursorā īrvalde | 300 | A |
I FM | Diodes maksimālā priekšējā strāva t p =1ms | 600 | A |
modulis
Sīkāku informāciju | Apraksts | vērtību | Drošības un drošības politika |
T jmax | Maksimālā savienojuma temperatūra | 175 | O C |
T žop | Darbības savienojuma temperatūra | -40 līdz +150 | O C |
T STG | uzglabāšanas temperatūra Diapazons | -40 līdz +125 | O C |
V ISO | Izolācijas spriegums RMS,f=50Hz,t=1 min | 4000 | V |
IGBT raksturlielumi T C =25 O C ja norādīts atzīmēts
Sīkāku informāciju | Parametrs | Testēšanas apstākļi | Min. | Tips. | Max. | Drošības un drošības politika |
V CE (sat) |
Saņēmējs - emitents Sātumapstrādes spriegums | I C = 300A,V ĢEN Kolektora-emiteru piesātinājums T j =25 O C |
| 2.40 | 2.85 |
V |
I C = 300A,V ĢEN Kolektora-emiteru piesātinājums T j =125 O C |
| 2.80 |
| |||
I C = 300A,V ĢEN Kolektora-emiteru piesātinājums T j = 150 O C |
| 2.90 |
| |||
V ĢEN (ts ) | Vārda emitenta slieksnis Spriegums | I C = 12,0 mA,V CE =V ĢEN , T j =25 O C | 5.4 | 6.2 | 7.4 | V |
I Tips | Kolektors Izgriežts -Izslēgt Pašreiz | V CE = V Tips ,V ĢEN =0V, T j =25 O C |
|
| 1.0 | mA |
I =150 °C | Izslēguma emitenta noplūde Pašreiz | V ĢEN = V =150 °C ,V CE =0V, T j =25 O C |
|
| 400 | nA |
C 125 °C | ies | V CE =25V, f=1MHz, V ĢEN =0V |
| 20.3 |
| MHz |
C pretestība | Atgriezītais pārvedums Jauda |
| 0.69 |
| MHz | |
Q G | nF | V ĢEN =- 15...+15V |
| 2.31 |
| μC |
T D (ieslēgta ) | Slēgšanas kavējuma laiks |
V CC = 900V,I C = 300A, r G =4,7Ω, V ĢEN =±15V, T j =25 O C |
| 200 |
| ns |
T r | Atkāpšanās laiks |
| 97 |
| ns | |
T D (Izslēgt ) | Izslēgt Atlikušais laiks |
| 410 |
| ns | |
T F | Nolieku laiks |
| 370 |
| ns | |
E ieslēgta | Slēgt Pārslēgšana zaudējumi |
| 82.0 |
| mJ | |
E Izslēgt | Izslēgtas zaudējumi |
| 60.0 |
| mJ | |
T D (ieslēgta ) | Slēgšanas kavējuma laiks |
V CC = 900V,I C = 300A, r G =4,7Ω, V ĢEN =±15V, T j = 125O C |
| 250 |
| ns |
T r | Atkāpšanās laiks |
| 99 |
| ns | |
T D (Izslēgt ) | Izslēgt Atlikušais laiks |
| 630 |
| ns | |
T F | Nolieku laiks |
| 580 |
| ns | |
E ieslēgta | Slēgt Pārslēgšana zaudējumi |
| 115 |
| mJ | |
E Izslēgt | Izslēgtas zaudējumi |
| 90.0 |
| mJ | |
T D (ieslēgta ) | Slēgšanas kavējuma laiks |
V CC = 900V,I C = 300A, r G =4,7Ω, V ĢEN =±15V, T j = 150O C |
| 260 |
| ns |
T r | Atkāpšanās laiks |
| 105 |
| ns | |
T D (Izslēgt ) | Izslēgt Atlikušais laiks |
| 670 |
| ns | |
T F | Nolieku laiks |
| 640 |
| ns | |
E ieslēgta | Slēgt Pārslēgšana zaudējumi |
| 125 |
| mJ | |
E Izslēgt | Izslēgtas zaudējumi |
| 100 |
| mJ | |
I SC |
SC dati | T p ≤ 10 μs,V ĢEN Kolektora-emiteru piesātinājums T j = 150 O C,V CC = 1000V, V CEM ≤ 1700V |
|
1200 |
|
A |
Dioda raksturlielumi T C =25 O C ja norādīts atzīmēts
Sīkāku informāciju | Parametrs | Testēšanas apstākļi | Min. | Tips. | Max. | Drošības un drošības politika |
V F | Diode uz priekšu Spriegums | I F = 300A,V ĢEN =0V,T j =25 O C |
| 1.80 | 2.25 |
V |
I F = 300A,V ĢEN =0V,T j = 125O C |
| 1.95 |
| |||
I F = 300A,V ĢEN =0V,T j = 150O C |
| 1.90 |
| |||
Q r | Atgūstamā nodeva | V r = 900V,I F = 300A, -di/dt=2800A/μs,V ĢEN =- 15V T j =25 O C |
| 90.0 |
| μC |
I RM | Augstais augstums atgūšanas strāvas |
| 270 |
| A | |
E Rec | Atgriezeniska atgūšana enerģija |
| 45.0 |
| mJ | |
Q r | Atgūstamā nodeva | V r = 900V,I F = 300A, -di/dt=2800A/μs,V ĢEN =- 15V T j = 125O C |
| 135 |
| μC |
I RM | Augstais augstums atgūšanas strāvas |
| 315 |
| A | |
E Rec | Atgriezeniska atgūšana enerģija |
| 75.5 |
| mJ | |
Q r | Atgūstamā nodeva | V r = 900V,I F = 300A, -di/dt=2800A/μs,V ĢEN =- 15V T j = 150O C |
| 160 |
| μC |
I RM | Augstais augstums atgūšanas strāvas |
| 330 |
| A | |
E Rec | Atgriezeniska atgūšana enerģija |
| 84.0 |
| mJ |
NTC raksturlielumi T C =25 O C ja norādīts atzīmēts
Sīkāku informāciju | Parametrs | Testēšanas apstākļi | Min. | Tips. | Max. | Drošības un drošības politika |
r 25 | Nominālais pretestība |
|
| 5.0 |
| kΩ |
∆R/R | Atkāpe of r 100 | T C = 100O C,R 100= 493,3Ω | -5 |
| 5 | % |
p 25 | Jaudas izkliede |
|
|
| 20.0 | mW |
B 25/50 | B vērtība | r 2=R 25eks [B 25/50 1/T 2- 1/(298.15K))] |
| 3375 |
| K |
modulis raksturlielumi T C =25 O C ja norādīts atzīmēts
Sīkāku informāciju | Parametrs | Min. | Tips. | Max. | Drošības un drošības politika |
Garums CE | Neatklāta induktantība |
| 20 |
| nH |
r CC+EE | Modulā "Rūgtumvirsme", termināls uz čipu |
| 1.10 |
| mΩ |
r θ JC | Savienojums ar lietu (par IGB) T) Savienojums ar kārtu (par D) jods) |
|
| 0.074 0.121 | K/W |
r θ CS | Korpuss uz siltuma izkliedētāju (katram IGBT) Korpuss uz siltuma izkliedētāju (katram diodam) |
| 0.029 0.047 |
| K/W |
r θ CS | Korpuss uz siltuma izkliedētāju |
| 0.009 |
| K/W |
m | terminala savienojuma griezes moments, M5 skrūvis Monta griezes moments, M6 skrūvis | 3.0 3.0 |
| 6.0 6.0 | N.m. |
G | Svars modulis |
| 350 |
| G |
Mūsu profesionālā pārdošanas komanda gaida jūsu konsultāciju.
Jūs varat sekot viņu produktu sarakstam un uzdot jebkādus jautājumus, kas jums rūp.