IGBT modulis 1700V

Sīkāku informāciju

Apraksts

vērtību

Drošības un drošības politika

V Tips

Sildītājs-izsildītājs

1700

V

V =150 °C

Izslēgšanas-izslēgšanas spriegums

±20

V

I C

Kolektora strāva @ T C =25 O C

@ T C =90 O C

430

300

A

I CM

Impulsu kolektora strāva t p =1ms

600

A

p D

Maksimālā jauda Dissipācija @ T =175 O C

1851

Platums

Sīkāku informāciju

Apraksts

vērtību

Drošības un drošības politika

V RRM

Atkārtojams maksimālais atkārtots spriegums

1700

V

I F

Dioda nepārtrauktajā priekšējā kursorā īrvalde

300

A

I FM

Diodes maksimālā priekšējā strāva t p =1ms

600

A

Sīkāku informāciju

Apraksts

vērtību

Drošības un drošības politika

T jmax

Maksimālā savienojuma temperatūra

175

O C

T žop

Darbības savienojuma temperatūra

-40 līdz +150

O C

T STG

uzglabāšanas temperatūra Diapazons

-40 līdz +125

O C

V ISO

Izolācijas spriegums RMS,f=50Hz,t= 1 min.

4000

V

Sīkāku informāciju

Parametrs

Testēšanas apstākļi

Min.

Tips.

Max.

Drošības un drošības politika

V CE (sat)

Saņēmējs - emitents

Sātumapstrādes spriegums

I C = 300A,V ĢEN Kolektora-emiteru piesātinājums T j =25 O C

2.40

2.85

V

I C = 300A,V ĢEN Kolektora-emiteru piesātinājums T j =125 O C

2.80

I C = 300A,V ĢEN Kolektora-emiteru piesātinājums T j = 150 O C

2.90

V ĢEN (ts )

Vārda emitenta slieksnis Spriegums

I C = 12,0 mA,V CE =V ĢEN , T j =25 O C

5.4

6.2

7.4

V

I Tips

Kolektors Izgriežts -Izslēgt

Pašreiz

V CE = V Tips ,V ĢEN =0V,

T j =25 O C

1.0

mA

I =150 °C

Izslēguma emitenta noplūde Pašreiz

V ĢEN = V =150 °C ,V CE =0V, T j =25 O C

400

nA

r Gint

Iekšējā vārtu pretestība - - - -

2.3

Ω

C 125 °C

ies

V CE =25V, f=1MHz,

V ĢEN =0V

20.0

MHz

C pretestība

Atgriezītais pārvedums

Jauda

0.72

MHz

Q G

nF

V ĢEN =- 15...+15V

1.8

μC

T D (ieslēgta )

Slēgšanas kavējuma laiks

V CC = 900V,I C = 300A, r G =4,7Ω,

V ĢEN =±15V, T j =25 O C

464

ns

T r

Atkāpšanās laiks

157

ns

T D (Izslēgt )

Izslēgt Atlikušais laiks

421

ns

T F

Nolieku laiks

290

ns

E ieslēgta

Slēgt Pārslēgšana

zaudējumi

108

mJ

E Izslēgt

Izslēgtas

zaudējumi

55.2

mJ

T D (ieslēgta )

Slēgšanas kavējuma laiks

V CC = 900V,I C = 300A, r G =4,7Ω,

V ĢEN =±15V, T j =125 O C

483

ns

T r

Atkāpšanās laiks

161

ns

T D (Izslēgt )

Izslēgt Atlikušais laiks

465

ns

T F

Nolieku laiks

538

ns

E ieslēgta

Slēgt Pārslēgšana

zaudējumi

128

mJ

E Izslēgt

Izslēgtas

zaudējumi

83.7

mJ

T D (ieslēgta )

Slēgšanas kavējuma laiks

V CC = 900V,I C = 300A, r G =4,7Ω,

V ĢEN =±15V, T j = 150 O C

492

ns

T r

Atkāpšanās laiks

165

ns

T D (Izslēgt )

Izslēgt Atlikušais laiks

483

ns

T F

Nolieku laiks

747

ns

E ieslēgta

Slēgt Pārslēgšana

zaudējumi

141

mJ

E Izslēgt

Izslēgtas

zaudējumi

92.1

mJ

I SC

SC dati

T p ≤ 10 μs,V ĢEN Kolektora-emiteru piesātinājums

T j = 150O C,V CC = 1000V, V CEM ≤ 1700V

960

A

Sīkāku informāciju

Parametrs

Testēšanas apstākļi

Min.

Tips.

Max.

Drošības un drošības politika

V F

Diode uz priekšu

Spriegums

I F = 300A,V ĢEN =0V,T j =25 O C

1.80

2.25

V

I F = 300A,V ĢEN =0V,T j =125 O C

1.95

I F = 300A,V ĢEN =0V,T j = 150 O C

1.90

Q r

Atgūstamā nodeva

V r = 900V,I F = 300A,

-di/dt=2800A/μs,V ĢEN =- 15V T j =25 O C

70

μC

I RM

Augstais augstums

atgūšanas strāvas

209

A

E Rec

Atgriezeniska atgūšana enerģija

40.7

mJ

Q r

Atgūstamā nodeva

V r = 900V,I F = 300A,

-di/dt=2800A/μs,V ĢEN =- 15V T j =125 O C

108

μC

I RM

Augstais augstums

atgūšanas strāvas

238

A

E Rec

Atgriezeniska atgūšana enerģija

65.1

mJ

Q r

Atgūstamā nodeva

V r = 900V,I F = 300A,

-di/dt=2800A/μs,V ĢEN =- 15V T j = 150 O C

123

μC

I RM

Augstais augstums

atgūšanas strāvas

253

A

E Rec

Atgriezeniska atgūšana enerģija

71.6

mJ

Sīkāku informāciju

Parametrs

Min.

Tips.

Max.

Drošības un drošības politika

Garums CE

Neatklāta induktantība

15

nH

r CC+EE

Modulā "Rūgtumvirsme", termināls uz čipu

0.25

mΩ

r TJC

Savienojums ar lietu (par IGB) T)

Savienojums ar korpusu (par Di) ode)

0.081

0.138

K/W

r tCH

Izmērs: IGBT)

Izmantojiet šo metodi, lai noteiktu, vai ir nepieciešams izmantot elektrisko ierīci. r Diode)

Izmērs: (atkārtojiet)

0.032

0.054

0.010

K/W

m

terminala savienojuma griezes moments, M6 skrūvis Monta griezes moments, M6 skrūvis

2.5

3.0

5.0

5.0

N.m.

G

Svars of modulis

300

G