IGBT modulis 1700V

Sīkāku informāciju

apraksts

vērtība

vienība

vTips

Sildītājs-izsildītājs

1700

v

v=150 °C

Izslēgšanas-izslēgšanas spriegums

± 20

v

ic

Saldēšanas šķidrumsc=25oc

@ Tc=90oc

430

300

a)

iCM

Pulsējošais kolektorsp=1ms

600

a)

pd

Maksimālais jaudas izmešana @ T- Vai?=175oc

1851

w

Sīkāku informāciju

apraksts

vērtība

vienība

vRRM

Atkārtojams maksimālais atkārtots spriegums

1700

v

if

Dioda nepārtrauktajā priekšējā kursorāīrvalde

300

a)

iFM

Dioda maksimālais tālvadības strāvas daudzums tp=1ms

600

a)

Sīkāku informāciju

apraksts

vērtība

vienība

tjmax

Maksimālā savienojuma temperatūra

175

oc

tžop

Darbības savienojuma temperatūra

-40 līdz +150

oc

tSTG

uzglabāšanas temperatūraRažotājs

-40 līdz +125

oc

vISO

Izolācijas spriegums RMS,f=50Hz,t=1 min.

4000

v

Sīkāku informāciju

parametrs

Testēšanas apstākļi

Min.

Tips.

Maksimāli.

vienība

- Vai?

- Vai?

vCE (sat)

- Vai?

- Vai?

Saņēmējs - emitents

Sātumapstrādes spriegums

ic= 300A,VĢENKolektora-emiteru piesātinājums- Vai?tj=25oc

- Vai?

2.40

2.85

- Vai?

- Vai?

v

ic= 300A,VĢENKolektora-emiteru piesātinājums- Vai?tj=125oc

- Vai?

2.80

- Vai?

ic= 300A,VĢENKolektora-emiteru piesātinājums- Vai?tj= 150oc

- Vai?

2.90

- Vai?

vĢEN(- - - - - -)

Vārda emitenta slieksnis- Vai?spriegums

ic=- Vai?12,0 mA,Vc=VĢEN, Tj=25oc

5.4

6.2

7.4

v

iTips

Kolektors- Vai?Izgriežts- Esmu gatavs.Izslēgt

strāvas

vc=vTips- Jā,vĢEN=0V,

tj=25oc

- Vai?

- Vai?

1.0

māte

i=150 °C

Izslēguma emitenta noplūde- Vai?strāvas

vĢEN=v=150 °C- Jā,vc=0V,tj=25oc

- Vai?

- Vai?

400

no

rGint

Iekšējā vārtu pretestība- - - -

- Vai?

- Vai?

2.3

- Vai?

Ω

c125 °C

ies

vc=25V, f=1MHz,

vĢEN=0V

- Vai?

20.0

- Vai?

MHz

cres

Atgriezītais pārvedums

Jauda

- Vai?

0.72

- Vai?

MHz

qg

nF

vĢEN=-- Vai?15...+15V

- Vai?

1.8

- Vai?

μC

td(uz)

Slēgšanas kavējuma laiks

- Vai?

- Vai?

vCC= 900V,Ic= 300A,- Vai?rg=4,7Ω,

vĢEN=±15V,- Vai?tj=25oc

- Vai?

464

- Vai?

ns

tr

Atkāpšanās laiks

- Vai?

157

- Vai?

ns

td(Izslēgt)

Izslēgt- Vai?Atlikušais laiks

- Vai?

421

- Vai?

ns

tf

Nolieku laiks

- Vai?

290

- Vai?

ns

euz

Slēgt- Vai?pārvēršana

zaudējumi

- Vai?

108

- Vai?

mJ

eIzslēgt

Izslēgtas

zaudējumi

- Vai?

55.2

- Vai?

mJ

td(uz)

Slēgšanas kavējuma laiks

- Vai?

- Vai?

vCC= 900V,Ic= 300A,- Vai?rg=4,7Ω,

vĢEN=±15V,- Vai?tj=125oc

- Vai?

483

- Vai?

ns

tr

Atkāpšanās laiks

- Vai?

161

- Vai?

ns

td(Izslēgt)

Izslēgt- Vai?Atlikušais laiks

- Vai?

465

- Vai?

ns

tf

Nolieku laiks

- Vai?

538

- Vai?

ns

euz

Slēgt- Vai?pārvēršana

zaudējumi

- Vai?

128

- Vai?

mJ

eIzslēgt

Izslēgtas

zaudējumi

- Vai?

83.7

- Vai?

mJ

td(uz)

Slēgšanas kavējuma laiks

- Vai?

- Vai?

vCC= 900V,Ic= 300A,- Vai?rg=4,7Ω,

vĢEN=±15V,- Vai?tj= 150oc

- Vai?

492

- Vai?

ns

tr

Atkāpšanās laiks

- Vai?

165

- Vai?

ns

td(Izslēgt)

Izslēgt- Vai?Atlikušais laiks

- Vai?

483

- Vai?

ns

tf

Nolieku laiks

- Vai?

747

- Vai?

ns

euz

Slēgt- Vai?pārvēršana

zaudējumi

- Vai?

141

- Vai?

mJ

eIzslēgt

Izslēgtas

zaudējumi

- Vai?

92.1

- Vai?

mJ

- Vai?

iSC

- Vai?

SC dati

tp≤ 10 μs,VĢENKolektora-emiteru piesātinājums

tj=- Vai?150oC,VCC=- Vai?1000V,VCEM≤ 1700V

- Vai?

- Vai?

960

- Vai?

- Vai?

a)

Sīkāku informāciju

parametrs

Testēšanas apstākļi

Min.

Tips.

Maksimāli.

vienība

- Vai?

vf

Diode uz priekšu

spriegums

if= 300A,VĢEN=0V,Tj=25oc

- Vai?

1.80

2.25

- Vai?

v

if= 300A,VĢEN=0V,Tj=125oc

- Vai?

1.95

- Vai?

if= 300A,VĢEN=0V,Tj= 150oc

- Vai?

1.90

- Vai?

qr

Atgūstamā nodeva

vr= 900V,If= 300A,

-di/dt=2800A/μs,VĢEN=-- Vai?15Vtj=25oc

- Vai?

70

- Vai?

μC

iRM

Augstais augstums

atgūšanas strāvas

- Vai?

209

- Vai?

a)

eRec

Atgriezeniska atgūšanaenerģija

- Vai?

40.7

- Vai?

mJ

qr

Atgūstamā nodeva

vr= 900V,If= 300A,

-di/dt=2800A/μs,VĢEN=-- Vai?15Vtj=125oc

- Vai?

108

- Vai?

μC

iRM

Augstais augstums

atgūšanas strāvas

- Vai?

238

- Vai?

a)

eRec

Atgriezeniska atgūšanaenerģija

- Vai?

65.1

- Vai?

mJ

qr

Atgūstamā nodeva

vr= 900V,If= 300A,

-di/dt=2800A/μs,VĢEN=-- Vai?15Vtj= 150oc

- Vai?

123

- Vai?

μC

iRM

Augstais augstums

atgūšanas strāvas

- Vai?

253

- Vai?

a)

eRec

Atgriezeniska atgūšanaenerģija

- Vai?

71.6

- Vai?

mJ

Sīkāku informāciju

parametrs

Min.

Tips.

Maksimāli.

vienība

Esc

Neatklāta induktantība

- Vai?

15

- Vai?

nH

rCC+EE

Modulā "Rūgtumvirsme",Termināls uz čipu

- Vai?

0.25

- Vai?

mΩ

rTJC

Savienojums ar lietu (par IGB)T)

Savienojums ar korpusu (par Di)ode)

- Vai?

- Vai?

0.081

0.138

K/W

- Vai?

rtCH

Izmērs:IGBT)

Izmantojiet šo metodi, lai noteiktu, vai ir nepieciešams izmantot elektrisko ierīci.r Diode)

Izmērs:(atkārtojiet)

- Vai?

0.032

0.054

0.010

- Vai?

K/W

m

terminala savienojuma griezes moments,- Vai?M6 skrūvis- Vai?Monta griezes moments,- Vai?M6 skrūvis

2.5

3.0

- Vai?

5.0

5.0

N.m.

g

svars- Vai?no- Vai?moduls

- Vai?

300

- Vai?

g