IGBT modulis 1200V

Sīkāku informāciju

Apraksts

GD2400SGL120C3SN

Vienības

V Tips

Sildītājs-izsildītājs

1200

V

V =150 °C

Izslēgšanas-izslēgšanas spriegums

±20

V

I C

Kolektora strāva @ T C =25 °C

@ T C = 100°C

3550

2400

A

I CM

Impulsu kolektora strāva t p =1 Lūdzu

4800

A

I F

Dioda nepārtrauktajā priekšējā kursorā īrvalde

2400

A

I FM

Diodes maksimālā priekšējā strāva t p =1ms

4800

A

p D

Maksimālā jauda Dissipācija @ T j =1 75°C

12.8

KW

T jmax

Maksimālā savienojuma temperatūra

175

°C

T žop

Darbības savienojuma temperatūra

-40 līdz +150

°C

T STG

uzglabāšanas temperatūra Diapazons

-40 līdz +125

°C

V ISO

Izolācijas spriegums RMS,f=50Hz,t=1 min

4000

V

Montāža Nomākšanas

Signāla termināla skrūve:M4

1.8 līdz 2.1

Jaudas termināla skrūve:M8

8.0 līdz 10

N.m.

Pievienošanas skrūvs:M6

4.25 līdz 5.75

Svars

Masas modulis

1500

G

Sīkāku informāciju

Parametrs

Testēšanas apstākļi

Min.

Tips.

Max.

Vienības

V (BR )Tips

Sadarbības partneris

Slēgšanas spriegums

T j =25 °C

1200

V

I Tips

Kolektors Izgriežts -Izslēgt

Pašreiz

V CE = V Tips ,V ĢEN =0V, T j =25 °C

5.0

mA

I =150 °C

Izslēguma emitenta noplūde Pašreiz

V ĢEN = V =150 °C ,V CE =0V, T j =25 °C

400

nA

Sīkāku informāciju

Parametrs

Testēšanas apstākļi

Min.

Tips.

Max.

Vienības

V ĢEN (ts )

Vārda emitenta slieksnis Spriegums

I C =96 mA ,V CE = V ĢEN , T j =25 °C

5.4

7.4

V

V CE (sat)

Saņēmējs - emitents

Sātumapstrādes spriegums

I C =2400A,V ĢEN Kolektora-emiteru piesātinājums T j =25 °C

1.95

2.40

V

I C =2400A,V ĢEN Kolektora-emiteru piesātinājums T j =125 °C

2.10

Sīkāku informāciju

Parametrs

Testēšanas apstākļi

Min.

Tips.

Max.

Vienības

T D (ieslēgta )

Slēgšanas kavējuma laiks

V CC = 600V,I C =2400A, r Gons = 1.0Ω,

r Goff =2,3Ω,

V ĢEN =±15V,T j =25 °C

188

ns

T r

Atkāpšanās laiks

131

ns

T D (Izslēgt )

Izslēgt Atlikušais laiks

1040

ns

T F

Nolieku laiks

132

ns

E ieslēgta

Slēgt Pārslēgšana

zaudējumi

272

mJ

E Izslēgt

Izslēgtas

zaudējumi

320

mJ

T D (ieslēgta )

Slēgšanas kavējuma laiks

V CC = 600V,I C =2400A, r Gons = 1.0Ω,

r Goff =2,3Ω,

V ĢEN =±15V,T j =125 °C

214

ns

T r

Atkāpšanās laiks

184

ns

T D (Izslēgt )

Izslēgt Atlikušais laiks

1125

ns

T F

Nolieku laiks

138

ns

E ieslēgta

Slēgt Pārslēgšana

zaudējumi

268

mJ

E Izslēgt

Izslēgtas

zaudējumi

416

mJ

C 125 °C

ies

V CE =25V, f=1MHz,

V ĢEN =0V

TBD

MHz

C ejs

Izvades jauda

TBD

MHz

C pretestība

Atgriezītais pārvedums

Jauda

TBD

MHz

I SC

SC dati

T p ≤ 10 μs,V ĢEN =15 V,

T j = 150 °C,V CC = 900V, V CEM ≤ 1200V

9000

A

Q G

nF

V CC = 600V,I C =2400A, V ĢEN =-15 ﹍+15V

TBD

μC

r Gint

Iekšējā vārtu pretestība - - - -

1.3

Ω

Garums CE

Neatklāta induktantība

12

nH

r CC+EE

Modula vads

pretestība,

termināls uz čipu

0.19

mΩ

Sīkāku informāciju

Parametrs

Testēšanas apstākļi

Min.

Tips.

Max.

Vienības

V F

Diode uz priekšu

Spriegums

I F =2400A

T j =25 °C

1.80

2.20

V

T j =125 °C

1.75

Q r

Atgūstas

Uzlāde

I F =2400A,

V r =600V,

r G = 1.6Ω,

V ĢEN =-15V

T j =25 °C

246

μC

T j =125 °C

435

I RM

Augstais augstums

atgūšanas strāvas

T j =25 °C

810

A

T j =125 °C

1160

E Rec

Atgriezeniska atgūšana enerģija

T j =25 °C

103

mJ

T j =125 °C

182

Sīkāku informāciju

Parametrs

Tips.

Max.

Vienības

r θ JC

Savienojums ar lietu (par IGB) T)

11.7

K/kW

r θ JC

Savienojums ar kārtu (par D) jods)

21.9

K/kW

r θ CS

"Case-to-Sink" (vadītais tauku aplikācija) (izmantots)

6

K/kW