IGBT modulis 1200V

Sīkāku informāciju

Apraksts

GD225HTT120C7S

Vienības

V Tips

Sildītājs-izsildītājs @ T j =25 °C

1200

V

V =150 °C

Izslēgšanas-izslēgšanas spriegums @ T j =25 °C

±20

V

I C

Kolektora strāva @ T C =25 °C

@ T C =80 °C

400

225

A

I CM

Impulsu kolektora strāva t p =1 Lūdzu

450

A

p tot

Kopējā jaudas izkliede @ T j =175 °C

1442

Platums

Sīkāku informāciju

Parametrs

Testēšanas apstākļi

Min.

Tips.

Max.

Vienības

V (BR )Tips

Sadarbības partneris

Slēgšanas spriegums

T j =25 °C

1200

V

I Tips

Kolektors Izgriežts -Izslēgt

Pašreiz

V CE = V Tips ,V ĢEN =0V, T j =25 °C

5.0

mA

I =150 °C

Izslēguma emitenta noplūde Pašreiz

V ĢEN = V =150 °C ,V CE =0V, T j =25 °C

400

nA

Sīkāku informāciju

Parametrs

Testēšanas apstākļi

Min.

Tips.

Max.

Vienības

V ĢEN (ts )

Vārda emitenta slieksnis Spriegums

I C =9.0 mA ,V CE = V ĢEN , T j =25 °C

5.0

5.8

6.5

V

V CE (sat)

Saņēmējs - emitents

Sātumapstrādes spriegums

I C =225A,V ĢEN Kolektora-emiteru piesātinājums T j =25 °C

1.70

2.15

V

I C =225A,V ĢEN Kolektora-emiteru piesātinājums T j =125 °C

2.00

Sīkāku informāciju

Parametrs

Testēšanas apstākļi

Min.

Tips.

Max.

Vienības

T D (ieslēgta )

Slēgšanas kavējuma laiks

V CC = 600V,I C =225A, r G =3.3Ω,V ĢEN =±15V, T j =25 °C

251

ns

T r

Atkāpšanās laiks

89

ns

T D (Izslēgt )

Izslēgt Atlikušais laiks

550

ns

T F

Nolieku laiks

125

ns

E ieslēgta

Slēgt Pārslēgšana zaudējumi

/

mJ

E Izslēgt

Izslēgtas zaudējumi

/

mJ

T D (ieslēgta )

Slēgšanas kavējuma laiks

V CC = 600V,I C =225A, r G =3.3Ω,V ĢEN =±15V, T j =125 °C

305

ns

T r

Atkāpšanās laiks

100

ns

T D (Izslēgt )

Izslēgt Atlikušais laiks

660

ns

T F

Nolieku laiks

162

ns

E ieslēgta

Slēgt Pārslēgšana zaudējumi

15.1

mJ

E Izslēgt

Izslēgtas zaudējumi

35.9

mJ

C 125 °C

ies

V CE =25V, f=1MHz,

V ĢEN =0V

16.0

MHz

C ejs

Izvades jauda

0.84

MHz

C pretestība

Atgriezītais pārvedums

Jauda

0.73

MHz

Q G

nF

V CC = 600V,I C =225A, V ĢEN =15V

2.1

μC

r Gint

Iekšējais vārtu pretestība

3.3

Ω

I SC

SC dati

T p ≤ 10 μs,V ĢEN =15 V,

T j =125 °C, V CC = 900V, V CEM ≤ 1200V

900

A

Sīkāku informāciju

Apraksts

GD225HTT120C7S

Vienības

V RRM

Atkārtota maksimālā reversā sprieguma @ T j =25 °C

1200

V

I F

DC priekšējā strāva @ T C =80 °C

225

A

I Diodes uzpriekšējā strāva

Atkārtota maksimālā priekšējā strāva t p =1ms

450

A

Sīkāku informāciju

Parametrs

Testēšanas apstākļi

Min.

Tips.

Max.

Vienības

V F

Diode uz priekšu

Spriegums

I F =225A,

V ĢEN =0V

T j =25 °C

1.65

2.15

V

T j =125 °C

1.65

Q r

Atgūstamā nodeva

I F =225A,

V r =600V,

r G =3,3Ω,

V ĢEN =-15V

T j =25 °C

22

μC

T j =125 °C

43

I RM

Augstais augstums

atgūšanas strāvas

T j =25 °C

160

A

T j =125 °C

198

E Rec

Atgriezeniska atgūšana enerģija

T j =25 °C

11.2

mJ

T j =125 °C

19.9

Sīkāku informāciju

Parametrs

Testēšanas apstākļi

Min.

Tips.

Max.

Vienības

r 25

Nominālais pretestība

5.0

kΩ

∆R/R

Atkāpe of r 100

r 100= 493,3Ω

-5

5

%

p 25

Jaudas izkliede

20.0

mW

B 25/50

B vērtība

r 2=R 25eks [B 25/50 1/T 2-

1/(298.15K))]

3375

K

Sīkāku informāciju

Parametrs

Min.

Tips.

Max.

Vienības

V ISO

Izolācijas spriegums RMS,f=50Hz,t= 1 min.

2500

V

Garums CE

Neatklāta induktantība

20

nH

r CC+EE

Modula vedlejuma pretestība e, Termināls līdz ķipam @ T C =25 °C

1.10

mΩ

r θ JC

Saistība starp savienojumu un korpusu (katram IGBT-invertoru) Saistība starp savienojumu un korpusu (katram DĪODA-invertoru er)

0.104

0.173

K/W

r θ CS

"Case-to-Sink" (vadītais tauku aplikācija) (izmantots)

0.005

K/W

T jmax

Maksimālā savienojuma temperatūra

175

°C

T STG

uzglabāšanas temperatūra Diapazons

-40

125

°C

Montāža Nomākšanas

Jautājumu termināla skrūvs:M6

Montāža Šķirbju:M5

3.0

3.0

6.0

6.0

N.m.

G

Masas modulis

910

G