Visas kategorijas

IGBT modulis 1200V

IGBT modulis 1200V

Sākumlapa /  Produkti /  IGBT modulis /  IGBT modulis 1200V

GD225HTL120C7S, IGBT modulis, 6 vienā pakotī, STARPOWER

1200V 225A

Brand:
STARPOWER
Spu:
GD225HTL120C7S
  • Ievads
  • Kontūra
  • Ekvivalentā shēma
Ievads

Īss ievads

IGBT modulis , izgatavots uzņēmumā STARPOWER. 1200V 225A.

Iespējas

  • Zema VCE (sat) SPT+ IGBT tehnoloģija
  • Zemas slēgšanas zudumi
  • 10 μs īslaicīgas sakārtošanas spēja
  • RBSOA kvadrāts
  • VCE (sat) ar pozitīvu temperatūras koeficientu
  • Zema induktivitātes kārta
  • Ātrs un mīksts atveseļošanās ātrums pret paralēlu FWD
  • Izolēta vara bāzes plāksne, izmantojot DBC tehnoloģiju

Tipiskas lietošanas metodes

  • Inverteris motora vadībai
  • AC un DC servo dzinēju pastiprinātājs
  • Nepārtraukta barošanas padeve y

IGBT -Invertors T C =25 °C ja norādīts atzīmēts

Maksimālās nominālās vērtības

Sīkāku informāciju

Apraksts

GD225HTL120C7S

Vienības

V Tips

Kolektora-emisijas spriegums @ T j =25 °C

1200

V

V =150 °C

Izslēgšanas-izslēgšanas spriegums

± 20

V

I C

Kolektora strāva @ T C = 25°C

@ T C = 100°C

400

225

A

I CM

Impulsu kolektora strāva t p =1ms

450

A

p tot

Kopējā jaudas zudums @ T j = 175°C

1973

Platums

Neattīrīti

Sīkāku informāciju

Parametrs

Testēšanas apstākļi

Min.

Tips.

Max.

Vienības

V (BR )Tips

Sadarbības partneris

Slēgšanas spriegums

T j =25 °C

1200

V

I Tips

Kolektors Izgriežts -Izslēgt Pašreiz

V CE = V Tips ,V ĢEN =0V, T j =25 °C

5.0

mA

I =150 °C

Izslēguma emitenta noplūde

Pašreiz

V ĢEN = V =150 °C ,V CE =0V, T j =25 °C

400

nA

Par raksturlielumiem

Sīkāku informāciju

Parametrs

Testēšanas apstākļi

Min.

Tips.

Max.

Vienības

V ĢEN (ts )

Vārda emitenta slieksnis

Spriegums

I C =9.0 mA ,V CE = V ĢEN , T j =25 °C

5.0

6.2

7.0

V

V CE (sat)

Saņēmējs - emitents

Sātumapstrādes spriegums

I C =225A,V ĢEN Kolektora-emiteru piesātinājums T j =25 °C

1.90

2.35

V

I C =225A,V ĢEN Kolektora-emiteru piesātinājums T j = 125°C

2.10

Izmaiņas īpašībās

Sīkāku informāciju

Parametrs

Testēšanas apstākļi

Min.

Tips.

Max.

Vienības

Q G

nF

V ĢEN =- 15...+15V

2.3

μC

T D (ieslēgta )

Slēgšanas kavējuma laiks

V CC = 600V,I C =225A, r G =5.0Ω,V ĢEN = ± 15 V, T j =25 °C

168

ns

T r

Atkāpšanās laiks

75

ns

T D (Izslēgt )

Izslēgt Atlikušais laiks

440

ns

T F

Nolieku laiks

55

ns

E ieslēgta

Slēpšanas pārvēršana

zaudējumi

27.9

mJ

E Izslēgt

Izslēgtas

zaudējumi

37.2

mJ

T D (ieslēgta )

Slēgšanas kavējuma laiks

V CC = 600V,I C =225A, r G =5.0Ω,V ĢEN = ± 15 V, T j = 125°C

176

ns

T r

Atkāpšanās laiks

75

ns

T D (Izslēgt )

Izslēgt Atlikušais laiks

510

ns

T F

Nolieku laiks

75

ns

E ieslēgta

Slēpšanas pārvēršana

zaudējumi

13.5

mJ

E Izslēgt

Izslēgtas

zaudējumi

22.5

mJ

C 125 °C

ies

V CE =25V, f=1MHz,

V ĢEN =0V

16.6

MHz

C ejs

Izvades jauda

1.20

MHz

C pretestība

Atgriezītais pārvedums

Jauda

0.78

MHz

I SC

SC dati

T s C 10 μs, V ĢEN 15 V, T j =125 °C V CC =600V, V CEM 1200V

1050

A

r Gint

Iekšējā vārsta pretestība Pretestība

1.0

Ω

Dioda -Invertors T C =25 °C ja norādīts atzīmēts

Maksimālās nominālās vērtības

Sīkāku informāciju

Apraksts

GD225HTL120C7S

Vienības

V RRM

Kolektora-emisijas spriegums @ T j =25 °C

1200

V

I F

DC priekšējā strāva @ T C =80 °C

225

A

I Diodes uzpriekšējā strāva

Atkārtota maksimālā priekšējā strāva t p =1ms

450

A

Raksturlielumu vērtības

Sīkāku informāciju

Parametrs

Testēšanas apstākļi

Min.

Tips.

Max.

Vienības

V F

Diode uz priekšu

Spriegums

I F =225A, V ĢEN =0V

T j =25 °C

1.80

2.20

V

T j = 125°C

1.85

Q r

Atgūstamā nodeva

V r = 600 V,

I F =225A,

r G =5.0Ω,

V ĢEN =- 15V

T j =25 °C

30

μC

T j = 125°C

57

I RM

Augstais augstums

atgūšanas strāvas

T j =25 °C

195

A

T j = 125°C

255

E Rec

Atgriezeniska atgūšana enerģija

T j =25 °C

10.8

mJ

T j = 125°C

22.5

Elektromekhāniskais raksturlielumi of NTC T C =25 °C ja norādīts atzīmēts

Sīkāku informāciju

Parametrs

Testēšanas apstākļi

Min.

Tips.

Max.

Vienības

r 25

Nominālais pretestība

5.0

∆R/R

Atkāpe of r 100

T C = 100°C R 100= 493,3Ω

-5

5

%

p 25

Jaudas izkliede

20.0

mW

B 25/50

B vērtība

r 2=R 25exp[B 25/50 1/T 2- 1/(298.1 5K))]

3375

K

IGBT modulis

Sīkāku informāciju

Parametrs

Min.

Tips.

Max.

Vienības

V ISO

Izolācijas spriegums RMS,f=50Hz,t=1min

2500

V

Garums CE

Neatklāta induktantība

20

nH

r CC + EE

Moduļa vadu pretestība, termināls uz mikroshēmu @ T C =25 °C

1.1

m Ω

r θ JC

Savienojums ar lietu (pa IG) BT)

Savienojums ar kārtu (par D) jods)

0.076

0.154

K/W

r θ CS

"Case-to-Sink" (vadījoša tauku) piemērota)

0.005

K/W

T jmax

Maksimālā savienojuma temperatūra

175

°C

T STG

Uzglabāšanas temperatūras diapazons

-40

125

°C

Montāža

Nomākšanas

Jautājumu termināla skrūvs:M5

3.0

6.0

N.m.

Montāža Šķirbju:M6

3.0

6.0

N.m.

Svars

Svars of modulis

910

G

Kontūra

Ekvivalentā shēma

Iegūstiet bezmaksas piedāvājumu

Mūsu pārstāvis drīz sazināsies ar jums.
Email
Vārds
Uzņēmuma nosaukums
Ziņojums
0/1000

SAISTĪTS PRODUKTS

Vai jums ir jautājumi par kādiem produktiem?

Mūsu profesionālā pārdošanas komanda gaida jūsu konsultāciju.
Jūs varat sekot viņu produktu sarakstam un uzdot jebkādus jautājumus, kas jums rūp.

Iegūstiet piedāvājumu

Iegūstiet bezmaksas piedāvājumu

Mūsu pārstāvis drīz sazināsies ar jums.
Email
Vārds
Uzņēmuma nosaukums
Ziņojums
0/1000