Visas kategorijas

IGBT modulis 1200V

IGBT modulis 1200V

Sākumlapa /  Produkti /  IGBT modulis /  IGBT modulis 1200V

GD200MLT120C2S,3-līmeņu ,IGBT Modulis,STARPOWER

1200V 200A, 3-starpniecības līmenis

Brand:
STARPOWER
Spu:
GD200MLT120C2S
  • Ievads
  • Kontūra
  • Ekvivalentā shēma
Ievads

Īss ievads

IGBT modulis , 3-starpniecības līmenis ,izgatavots uzņēmumā STARPOWER. 1200V 200A.

Iespējas

  • Zema VCE (sat) trenažas IGBT tehnoloģija
  • Zema pārlūknes zaudējumi
  • 10 μs īslaicīgas sakārtošanas spēja
  • Zema induktivitātes kārta
  • VCE (sat) ar pozitīvu temperatūras koeficientu
  • Ātrs un mīksts atveseļošanās ātrums pret paralēlu FWD
  • Izolēta vara bāzes plāksne, izmantojot DBC tehnoloģiju

Tipiskas lietošanas metodes

  • Saulrasēja enerģija
  • UPS
  • 3-līmeņu lietojumi

IGBT T 1 T2 T3 T4 T C =25 °C ja norādīts atzīmēts

Maksimālās nominālās vērtības

Sīkāku informāciju

Apraksts

GD200MLT120C2S

Vienības

V Tips

Sildītājs-izsildītājs @ T j =25 °C

1200

V

V =150 °C

Izslēgšanas-izslēgšanas spriegums @ T j =25 °C

±20

V

I C

Kolektora strāva @ T C =25 °C

@ T C =80 °C

360

200

A

I CM

Impulsu kolektora strāva t p =1 Lūdzu

400

A

p tot

Kopējā jaudas izkliede @ T j =175 °C

1163

Platums

Neattīrīti

Sīkāku informāciju

Parametrs

Testēšanas apstākļi

Min.

Tips.

Max.

Vienības

V (BR )Tips

Sadarbības partneris

Slēgšanas spriegums

T j =25 °C

1200

V

I Tips

Kolektors Izgriežts -Izslēgt

Pašreiz

V CE = V Tips ,V ĢEN =0V, T j =25 °C

5.0

mA

I =150 °C

Izslēguma emitenta noplūde Pašreiz

V ĢEN = V =150 °C ,V CE =0V, T j =25 °C

400

nA

Par raksturlielumiem

Sīkāku informāciju

Parametrs

Testēšanas apstākļi

Min.

Tips.

Max.

Vienības

V ĢEN (ts )

Vārda emitenta slieksnis Spriegums

I C =8.0 mA ,V CE = V ĢEN , T j =25 °C

5.0

5.8

6.5

V

V CE (sat)

Saņēmējs - emitents

Sātumapstrādes spriegums

I C =200A,V ĢEN Kolektora-emiteru piesātinājums T j =25 °C

1.70

2.15

V

I C =200A,V ĢEN Kolektora-emiteru piesātinājums T j =125 °C

2.00

Izmaiņas īpašībās

Sīkāku informāciju

Parametrs

Testēšanas apstākļi

Min.

Tips.

Max.

Vienības

T D (ieslēgta )

Slēgšanas kavējuma laiks

V CC = 600V,I C =200A, r G =3,6Ω,V ĢEN =±15V, T j =25 °C

248

ns

T r

Atkāpšanās laiks

88

ns

T D (Izslēgt )

Izslēgt Atlikušais laiks

540

ns

T F

Nolieku laiks

131

ns

E ieslēgta

Slēgt Pārslēgšana zaudējumi

9.85

mJ

E Izslēgt

Izslēgtas zaudējumi

22.8

mJ

T D (ieslēgta )

Slēgšanas kavējuma laiks

V CC = 600V,I C =200A, r G =3,6Ω,V ĢEN =±15V, T j = 125°C

298

ns

T r

Atkāpšanās laiks

99

ns

T D (Izslēgt )

Izslēgt Atlikušais laiks

645

ns

T F

Nolieku laiks

178

ns

E ieslēgta

Slēgt Pārslēgšana zaudējumi

15.1

mJ

E Izslēgt

Izslēgtas zaudējumi

34.9

mJ

C 125 °C

ies

V CE =25V, f=1MHz,

V ĢEN =0V

14.4

MHz

C ejs

Izvades jauda

0.75

MHz

C pretestība

Atgriezītais pārvedums

Jauda

0.65

MHz

Q G

nF

V CC = 600V,I C =200A, V ĢEN =-15 +15V

1.90

μC

r Gint

Iekšējais vārtu pretestība

3.8

Ω

I SC

SC dati

T p ≤ 10 μs,V ĢEN =15 V,

T j =125 °C,V CC = 900V, V CEM ≤ 1200V

800

A

Dioda D 1 D2 D3 D4 T C =25 °C ja norādīts atzīmēts

Maksimālās nominālās vērtības

Sīkāku informāciju

Apraksts

GD200MLT120C2S

Vienības

V RRM

Atkārtota maksimālā reversā sprieguma @ T j =25 °C

1200

V

I F

Detaļu priekšējā strāva T C =8 0°C

200

A

I Diodes uzpriekšējā strāva

Atkārtota maksimālā priekšējā strāva t p =1ms

400

A

Raksturlielumu vērtības

Sīkāku informāciju

Parametrs

Testēšanas apstākļi

Min.

Tips.

Max.

Vienības

V F

Diode uz priekšu

Spriegums

I F =200A

T j =25 °C

1.65

2.10

V

T j =125 °C

1.65

Q r

Atgūstamā nodeva

I F =200A,

V r =600V,

r G =3,6Ω,

V ĢEN =-15V

T j =25 °C

20.0

μC

T j =125 °C

26.1

I RM

Augstais augstums

atgūšanas strāvas

T j =25 °C

151

A

T j =125 °C

190

E Rec

Atgriezeniska atgūšana enerģija

T j =25 °C

9.20

mJ

T j =125 °C

17.1

Dioda D 5 D6 T C =25 °C ja norādīts atzīmēts

Maksimālās nominālās vērtības

Sīkāku informāciju

Apraksts

GD200MLT120C2S

Vienības

V RRM

Atkārtota maksimālā reversā sprieguma @ T j =25 °C

1200

V

I F

Detaļu priekšējā strāva T C =8 0°C

200

A

I Diodes uzpriekšējā strāva

Atkārtota maksimālā priekšējā strāva t p =1ms

400

A

Raksturlielumu vērtības

Sīkāku informāciju

Parametrs

Testēšanas apstākļi

Min.

Tips.

Max.

Vienības

V F

Diode uz priekšu

Spriegums

I F =200A,

V ĢEN =0V

T j =25 °C

1.65

2.10

V

T j =125 °C

1.65

Q r

Atgūstamā nodeva

I F =200A,

V r =600V,

r G =3,6Ω,

V ĢEN =-15V

T j =25 °C

20.0

μC

T j =125 °C

26.1

I RM

Augstais augstums

atgūšanas strāvas

T j =25 °C

151

A

T j =125 °C

190

E Rec

Atgriezeniska atgūšana enerģija

T j =25 °C

9.20

mJ

T j =125 °C

17.1

IGBT modulis

Sīkāku informāciju

Parametrs

Min.

Tips.

Max.

Vienības

V ISO

Izolācijas spriegums RMS,f=50Hz,t=1 min

2500

V

r θ JC

Savinieks-līdz-korpusei (par IGBT T1 T2 T3 T4) Savinieks-līdz-korpusei (par diodu D1 D2 D3 D4) Savinieks-līdz-korpusei (par diodu D5 D6)

0.129 0.237 0.232

K/W

r θ CS

"Case-to-Sink" (vadītais tauku aplikācija) (izmantots)

0.035

K/W

T jmax

Maksimālā savienojuma temperatūra

175

°C

T žop

Darbības savienojuma temperatūra

-40

150

T STG

uzglabāšanas temperatūra Diapazons

-40

125

°C

Montāža Nomākšanas

Jautājumu termināla skrūvs:M6

Pievienošanas skrūvs:M6

2.5

3.0

5.0

5.0

N.m.

Svars

Svars modulis

340

G

Kontūra

Ekvivalentā shēma

Iegūstiet bezmaksas piedāvājumu

Mūsu pārstāvis drīz sazināsies ar jums.
Email
Vārds
Uzņēmuma nosaukums
Ziņojums
0/1000

SAISTĪTS PRODUKTS

Vai jums ir jautājumi par kādiem produktiem?

Mūsu profesionālā pārdošanas komanda gaida jūsu konsultāciju.
Jūs varat sekot viņu produktu sarakstam un uzdot jebkādus jautājumus, kas jums rūp.

Iegūstiet piedāvājumu

Iegūstiet bezmaksas piedāvājumu

Mūsu pārstāvis drīz sazināsies ar jums.
Email
Vārds
Uzņēmuma nosaukums
Ziņojums
0/1000