GD200HFT120C8S_G8, IGBT modulis, STARPOWER

IGBT modulis 1200V

GD200HFT120C8S_G8, IGBT modulis, STARPOWER

1200V 200A

Brand:

STARPOWER

Spu:

GD200HFT120C8S_G8

Ievads
Kontūra
Ekvivalentā shēma

Ievads

Īss ievads

IGBT modulis ,izgatavots uzņēmumā STARPOWER. 1200V 200A.

Iespējas

Zema VCE (sat) trenažas IGBT tehnoloģija
Zema pārlūknes zaudējumi
10 μs īslaicīgas sakārtošanas spēja
Zema induktivitātes kārta
VCE (sat) ar pozitīvu temperatūras koeficientu
Ātrs un mīksts atveseļošanās ātrums pret paralēlu FWD
Izolēta vara bāzes plāksne, izmantojot DBC tehnoloģiju

Tipiskas lietošanas metodes

Inverteris motora vadībai
AC un DC servo dzinēju pastiprinātājs
Nepārtraukta strāva nodrošināšana

Absolūta Maksimālā Reitingu rādītāji T C =25 °C ja norādīts atzīmēts

IGBT

Sīkāku informāciju	Apraksts	Vērtības	Drošības un drošības politika
V Tips	Sildītājs-izsildītājs	1200	V
V =150 °C	Izslēgšanas-izslēgšanas spriegums	±30	V
I C	Kolektora strāva @ T C =25 °C @ T C =100 °C	330 200	A
I CM	Impulsu kolektora strāva t p =1ms	400	A
p D	Maksimālā jauda Dissipācija @ T j =17 5°C	1103	Platums

Dioda

Sīkāku informāciju	Apraksts	Vērtības	Drošības un drošības politika
V RRM	Atkārtojams maksimālais atkārtots volts vecums	1200	V
I F	Dioda nepārtraukta uz priekšu īr	200	A
I FM	Diodes maksimālā priekšējā strāva t p =1ms	400	A

modulis

Sīkāku informāciju	Apraksts	Vērtības	Drošības un drošības politika
T jmax	Maksimālā savienojuma temperatūra	175	°C
T žop	Darbības savienojuma temperatūra	-40 līdz +150	°C
T STG	Uzglabāšanas temperatūras diapazons	-40 līdz +125	°C
V ISO	Izolācijas spriegums RMS,f=50Hz,t =1 min	4000	V

IGBT raksturlielumi T C =25 °C ja norādīts atzīmēts

Sīkāku informāciju	Parametrs	Testēšanas apstākļi	Min.	Tips.	Max.	Drošības un drošības politika
V CE (sat)	Saņēmējs - emitents Sātumapstrādes spriegums	I C =200A,V ĢEN Kolektora-emiteru piesātinājums T j =25 °C		1.70	2.15	V
		I C =200A,V ĢEN Kolektora-emiteru piesātinājums T j =125 °C		1.95
		I C =200A,V ĢEN Kolektora-emiteru piesātinājums T j = 150 °C		2.00
V ĢEN (ts )	Vārda emitenta slieksnis Spriegums	I C =8.0 mA ,V CE = V ĢEN , T j =25 °C	5.0	5.8	6.5	V
I Tips	Kolektors Izgriežts -Izslēgt Pašreiz	V CE = V Tips ,V ĢEN =0V, T j =25 °C			5.0	mA
I =150 °C	Izslēguma emitenta noplūde Pašreiz	V ĢEN = V =150 °C ,V CE =0V, T j =25 °C			400	nA
r Gint	Iekšējā vārtu pretestība - - - -			1.0		Ω
C 125 °C	ies	V CE =30V,f=1MHz, V ĢEN =0V		18.2		MHz
C pretestība	Atgriezītais pārvedums Jauda	V CE =30V,f=1MHz, V ĢEN =0V		0.56		MHz
Q G	nF	V ĢEN =15V		1.20		μC
T D (ieslēgta )	Slēgšanas kavējuma laiks	V CC = 600V,I C =200A, r G =3.0Ω,V ĢEN =±15V, T j =25 °C		213		ns
T r	Atkāpšanās laiks			64		ns
T d(izslēgt)	Izslēgt Atlikušais laiks			280		ns
T F	Nolieku laiks			180		ns
E ieslēgta	Slēgt Pārslēgšana zaudējumi			4.10		mJ
E Izslēgt	Izslēgtas zaudējumi			16.3		mJ
T D (ieslēgta )	Slēgšanas kavējuma laiks	V CC = 600V,I C =200A, r G =3.0Ω,V ĢEN =±15V, T j =125 °C		285		ns
T r	Atkāpšanās laiks			78		ns
T d(izslēgt)	Izslēgt Atlikušais laiks			363		ns
T F	Nolieku laiks			278		ns
E ieslēgta	Slēgt Pārslēgšana zaudējumi			7.40		mJ
E Izslēgt	Izslēgtas zaudējumi			23.0		mJ
T D (ieslēgta )	Slēgšanas kavējuma laiks	V CC = 600V,I C =200A, r G =3.0Ω,V ĢEN =±15V, T j = 150 °C		293		ns
T r	Atkāpšanās laiks			81		ns
T d(izslēgt)	Izslēgt Atlikušais laiks			374		ns
T F	Nolieku laiks			327		ns
E ieslēgta	Slēgt Pārslēgšana zaudējumi			8.70		mJ
E Izslēgt	Izslēgtas zaudējumi			25.2		mJ
I SC	SC dati	T p ≤10μs, V ĢEN Kolektora-emiteru piesātinājums T j = 150 °C V CC = 900V, V CEM ≤ 1200V		800		A

Dioda raksturlielumi T C =25 °C ja norādīts atzīmēts

Sīkāku informāciju	Parametrs	Testēšanas apstākļi	Min.	Tips.	Max.	Vienības
V F	Diode uz priekšu Spriegums	I C =200A,V ĢEN =0V,T j =25 °C		2.15	2.55	V
		I C =200A,V ĢEN =0V,T j =125 °C		2.20
		I C =200A,V ĢEN =0V,T j = 150 °C		2.15
Q r	Atgūstas Uzlāde	V r = 600V,I F =200A, r G =3.0Ω, V ĢEN =-15V T j =25 °C		16.2		μC
I RM	Augstais augstums atgūšanas strāvas			169		A
E Rec	Atgriezeniska atgūšana enerģija			10.2		mJ
Q r	Atgūstas Uzlāde	V r = 600V,I F =200A, r G =3.0Ω, V ĢEN =-15V T j =125 °C		24.4		μC
I RM	Augstais augstums atgūšanas strāvas			204		A
E Rec	Atgriezeniska atgūšana enerģija			16.2		mJ
Q r	Atgūstas Uzlāde	V r = 600V,I F =200A, r G =3.0Ω, V ĢEN =-15V T j = 150 °C		31.4		μC
I RM	Augstais augstums atgūšanas strāvas			222		A
E Rec	Atgriezeniska atgūšana enerģija			19.4		mJ

modulis raksturlielumi T C =25 °C ja norādīts atzīmēts

Sīkāku informāciju	Parametrs	Min.	Tips.	Max.	Drošības un drošības politika
Garums CE	Neatklāta induktantība			26	nH
r CC+EE	Modulā "Slēpuma pretestība" nce, Kontakti līdz čipam		0.62		mΩ
r TJC	Savienojums ar lietu (par IGB) T) Savienojums ar korpusu (par Di) ode)			0.136 0.194	K/W
r tCH	Izmērs: IGBT) Izmantojiet šo metodi, lai noteiktu, vai ir nepieciešams izmantot elektrisko ierīci. r Diode) Izmērs: (atkārtojiet)		0.156 0.223 0.046		K/W
m	terminala savienojuma griezes moments, M5 skrūvis Monta griezes moments, M6 skrūvis	2.5 3.0		5.0 5.0	N.m.
G	Svars of modulis		200		G