GD200HFT120C5S_G8, IGBT modulis, STARPOWER

IGBT modulis 1200V

GD200HFT120C5S_G8, IGBT modulis, STARPOWER

1200V 200A

Brand:

STARPOWER

Spu:

GD200HFT120C5S_G8

Ievads
Kontūra
Ekvivalentā shēma

Ievads

Īss ievads

IGBT modulis ,izgatavots uzņēmumā STARPOWER. 1200V 200A.

Iespējas

Zema VCE (sat) trenažas IGBT tehnoloģija
10 μs īslaicīgas sakārtošanas spēja
VCE (sat) ar pozitīvu temperatūras koeficientu
Maksimālā savienojuma temperatūra 175oC
Zema induktivitātes kārta
Ātrs un mīksts atveseļošanās ātrums pret paralēlu FWD
Izolēta vara bāzes plāksne, izmantojot DBC tehnoloģiju

Tipiskas lietošanas metodes

Inverteris motora vadībai
AC un DC servo dzinēju pastiprinātājs
Nepārtraukta strāva nodrošināšana

Absolūta Maksimālā Reitingu rādītāji T C =25 O C ja norādīts atzīmēts

IGBT

Sīkāku informāciju	Apraksts	vērtību	Drošības un drošības politika
V Tips	Sildītājs-izsildītājs	1200	V
V =150 °C	Izslēgšanas-izslēgšanas spriegums	±30	V
I C	Kolektora strāva @ T C =25 O C @ T C = 100O C	310 200	A
I CM	Impulsu kolektora strāva t p =1ms	400	A
p D	Maksimālā jauda Dissipācija @ T j =175 O C	1034	Platums

Dioda

Sīkāku informāciju	Apraksts	vērtību	Drošības un drošības politika
V RRM	Atkārtojams maksimālais atkārtots spriegums	1200	V
I F	Dioda nepārtrauktajā priekšējā kursorā īrvalde	200	A
I FM	Diodes maksimālā priekšējā strāva t p =1ms	400	A

modulis

Sīkāku informāciju	Apraksts	vērtību	Drošības un drošības politika
T jmax	Maksimālā savienojuma temperatūra	175	O C
T žop	Darbības savienojuma temperatūra	-40 līdz +150	O C
T STG	uzglabāšanas temperatūra Diapazons	-40 līdz +125	O C
V ISO	Izolācijas spriegums RMS,f=50Hz,t= 1 min.	2500	V

IGBT raksturlielumi T C =25 O C ja norādīts atzīmēts

Sīkāku informāciju	Parametrs	Testēšanas apstākļi	Min.	Tips.	Max.	Drošības un drošības politika
V CE (sat)	Saņēmējs - emitents Sātumapstrādes spriegums	I C =200A,V ĢEN Kolektora-emiteru piesātinājums T j =25 O C		1.70	2.15	V
		I C =200A,V ĢEN Kolektora-emiteru piesātinājums T j =125 O C		1.95
		I C =200A,V ĢEN Kolektora-emiteru piesātinājums T j = 150 O C		2.00
V ĢEN (ts )	Vārda emitenta slieksnis Spriegums	I C =8.0 mA ,V CE = V ĢEN , T j =25 O C	5.0	5.8	6.5	V
I Tips	Kolektors Izgriežts -Izslēgt Pašreiz	V CE = V Tips ,V ĢEN =0V, T j =25 O C			5.0	mA
I =150 °C	Izslēguma emitenta noplūde Pašreiz	V ĢEN = V =150 °C ,V CE =0V, T j =25 O C			400	nA
r Gint	Iekšējā vārtu pretestība - - - -			1.0		Ω
C 125 °C	ies	V CE =30V,f=1MHz, V ĢEN =0V		18.2		MHz
C pretestība	Atgriezītais pārvedums Jauda	V CE =30V,f=1MHz, V ĢEN =0V		0.56		MHz
Q G	nF	V ĢEN =15V		1.20		μC
T D (ieslēgta )	Slēgšanas kavējuma laiks	V CC = 600V,I C =200A, r G =3.0Ω,V ĢEN =±15V, T j =25 O C		213		ns
T r	Atkāpšanās laiks			64		ns
T D (Izslēgt )	Izslēgt Atlikušais laiks			280		ns
T F	Nolieku laiks			180		ns
E ieslēgta	Slēgt Pārslēgšana zaudējumi			4.10		mJ
E Izslēgt	Izslēgtas zaudējumi			16.3		mJ
T D (ieslēgta )	Slēgšanas kavējuma laiks	V CC = 600V,I C =200A, r G =3.0Ω,V ĢEN =±15V, T j = 125O C		285		ns
T r	Atkāpšanās laiks			78		ns
T D (Izslēgt )	Izslēgt Atlikušais laiks			363		ns
T F	Nolieku laiks			278		ns
E ieslēgta	Slēgt Pārslēgšana zaudējumi			7.40		mJ
E Izslēgt	Izslēgtas zaudējumi			23.0		mJ
T D (ieslēgta )	Slēgšanas kavējuma laiks	V CC = 600V,I C =200A, r G =3.0Ω,V ĢEN =±15V, T j = 150O C		293		ns
T r	Atkāpšanās laiks			81		ns
T D (Izslēgt )	Izslēgt Atlikušais laiks			374		ns
T F	Nolieku laiks			327		ns
E ieslēgta	Slēgt Pārslēgšana zaudējumi			8.70		mJ
E Izslēgt	Izslēgtas zaudējumi			25.2		mJ
I SC	SC dati	T p ≤ 10 μs,V ĢEN Kolektora-emiteru piesātinājums T j = 150 O C,V CC = 900V, V CEM ≤ 1200V		800		A

Dioda raksturlielumi T C =25 O C ja norādīts atzīmēts

Sīkāku informāciju	Parametrs	Testēšanas apstākļi	Min.	Tips.	Max.	Drošības un drošības politika
V F	Diode uz priekšu Spriegums	I F =200A,V ĢEN =0V,T j =25 O C		1.70	2.15	V
		I F =200A,V ĢEN =0V,T j = 125O C		1.65
		I F =200A,V ĢEN =0V,T j = 150O C		1.65
Q r	Atgūstamā nodeva	V CC = 600V,I F =200A, -di/dt=5500A/μs,V ĢEN =- 15 V, T j =25 O C		17.5		μC
I RM	Augstais augstums atgūšanas strāvas			245		A
E Rec	Atgriezeniska atgūšana enerģija			8.00		mJ
Q r	Atgūstamā nodeva	V CC = 600V,I F =200A, -di/dt=5500A/μs,V ĢEN =- 15 V, T j = 125O C		32.0		μC
I RM	Augstais augstums atgūšanas strāvas			260		A
E Rec	Atgriezeniska atgūšana enerģija			14.0		mJ
Q r	Atgūstamā nodeva	V CC = 600V,I F =200A, -di/dt=5500A/μs,V ĢEN =- 15 V, T j = 150O C		37.5		μC
I RM	Augstais augstums atgūšanas strāvas			265		A
E Rec	Atgriezeniska atgūšana enerģija			15.3		mJ

NTC raksturlielumi T C =25 O C ja norādīts atzīmēts

Sīkāku informāciju	Parametrs	Testēšanas apstākļi	Min.	Tips.	Max.	Drošības un drošības politika
r 25	Nominālais pretestība			5.0		kΩ
∆R/R	Atkāpe of r 100	T C = 100O C,R 100= 493,3Ω	-5		5	%
p 25	Jaudas izkliede				20.0	mW
B 25/50	B vērtība	r 2=R 25eks [B 25/50 1/T 2- 1/(298.15K))]		3375		K

modulis raksturlielumi T C =25 O C ja norādīts atzīmēts

Sīkāku informāciju	Parametrs	Min.	Tips.	Max.	Drošības un drošības politika
Garums CE	Neatklāta induktantība		30		nH
r CC+EE	Modulā "Rūgtumvirsme", termināls uz čipu		2.20		mΩ
r TJC	Savienojums ar lietu (par IGB) T) Savienojums ar kārtu (par D) jods)			0.145 0.243	K/W
r tCH	Izmērs: IGBT) Izmantojiet šo metodi, lai noteiktu temperatūras līmeni. diodes) Izmērs: Modulis)		0.064 0.107 0.02		K/W
m	terminala savienojuma griezes moments, M6 skrūvis Monta griezes moments, M5 skrūvis	3.0 2.5		6.0 5.0	N.m.
G	Svars of modulis		200		G