IGBT modulis 1200V

Sīkāku informāciju

Apraksts

GD200HFT120C2S

Vienības

V Tips

Sildītājs-izsildītājs

1200

V

V =150 °C

Izslēgšanas-izslēgšanas spriegums

±30

V

I C

Kolektora strāva @ T C =25 °C

@ T C = 100°C

335

200

A

I CM

Impulsu kolektora strāva t p =1 Lūdzu

400

A

I F

Dioda nepārtrauktajā priekšējā kursorā īrvalde

@ T C = 100°C

200

A

I FM

Diodes maksimālā priekšējā strāva t p =1ms

400

A

p D

Maksimālā jauda Dissipācija @ T j =1 75°C

1154

Platums

T jmax

Maksimālā savienojuma temperatūra

175

°C

T žop

Darbības savienojuma temperatūra

-40 līdz +150

°C

T STG

uzglabāšanas temperatūra Diapazons

-40 līdz +125

°C

V ISO

Izolācijas spriegums RMS,f=50Hz,t=1 min

2500

V

Montāža Nomākšanas

Jautājumu termināla skrūvs:M6

Pievienošanas skrūvs:M6

2,5 līdz 5.0

3,0 līdz 5.0

N.m.

Sīkāku informāciju

Parametrs

Testēšanas apstākļi

Min.

Tips.

Max.

Vienības

V (BR )Tips

Sadarbības partneris

Slēgšanas spriegums

T j =25 °C

1200

V

I Tips

Kolektors Izgriežts -Izslēgt

Pašreiz

V CE = V Tips ,V ĢEN =0V, T j =25 °C

5.0

mA

I =150 °C

Izslēguma emitenta noplūde Pašreiz

V ĢEN = V =150 °C ,V CE =0V, T j =25 °C

400

nA

Sīkāku informāciju

Parametrs

Testēšanas apstākļi

Min.

Tips.

Max.

Vienības

V ĢEN (ts )

Vārda emitenta slieksnis Spriegums

I C =8.0 mA ,V CE = V ĢEN , T j =25 °C

5.0

5.9

6.5

V

V CE (sat)

Saņēmējs - emitents

Sātumapstrādes spriegums

I C =200A,V ĢEN Kolektora-emiteru piesātinājums T j =25 °C

1.70

2.15

V

I C =200A,V ĢEN Kolektora-emiteru piesātinājums T j =125 °C

2.00

Sīkāku informāciju

Parametrs

Testēšanas apstākļi

Min.

Tips.

Max.

Vienības

T D (ieslēgta )

Slēgšanas kavējuma laiks

V CC = 600V,I C =200A, r G =2.4Ω,V ĢEN =±15V, T j =25 °C

155

ns

T r

Atkāpšanās laiks

42

ns

T D (Izslēgt )

Izslēgt Atlikušais laiks

440

ns

T F

Nolieku laiks

110

ns

E ieslēgta

Slēgt Pārslēgšana

zaudējumi

9.65

mJ

E Izslēgt

Izslēgtas

zaudējumi

14.0

mJ

T D (ieslēgta )

Slēgšanas kavējuma laiks

V CC = 600V,I C =200A, r G =2.4Ω,V ĢEN =±15V, T j = 125°C

175

ns

T r

Atkāpšanās laiks

46

ns

T D (Izslēgt )

Izslēgt Atlikušais laiks

550

ns

T F

Nolieku laiks

165

ns

E ieslēgta

Slēgt Pārslēgšana

zaudējumi

14.5

mJ

E Izslēgt

Izslēgtas

zaudējumi

19.2

mJ

C 125 °C

ies

V CE =25V, f=1MHz,

V ĢEN =0V

12.5

MHz

C ejs

Izvades jauda

0.82

MHz

C pretestība

Atgriezītais pārvedums

Jauda

0.70

MHz

I SC

SC dati

T p ≤ 10 μs,V ĢEN =15 V,

T j =125 °C, V CC = 900V, V CEM ≤ 1200V

980

A

Q G

nF

V CC = 600V,I C =200A, V ĢEN =0-15V

1.3

μC

r Gint

Iekšējā vārtu pretestība - - - -

2.5

Ω

Garums CE

Neatklāta induktantība

20

nH

r CC+EE

Modula vads

pretestība,

termināls uz čipu

0.35

mΩ

Sīkāku informāciju

Parametrs

Testēšanas apstākļi

Min.

Tips.

Max.

Vienības

V F

Diode uz priekšu

Spriegums

I F =200A

T j =25 °C

1.65

2.10

V

T j =125 °C

1.65

Q r

Atgūstas

Uzlāde

I F =200A,

V r =600V,

r G =2,4Ω,

V ĢEN =-15V

T j =25 °C

20.0

μC

T j =125 °C

26.1

I RM

Augstais augstums

atgūšanas strāvas

T j =25 °C

151

A

T j =125 °C

190

E Rec

Atgriezeniska atgūšana enerģija

T j =25 °C

8.50

mJ

T j =125 °C

15.0