IGBT modulis 1200V

Sīkāku informāciju

Apraksts

GD200HFT120C2S_T4F

Vienības

V Tips

Sildītājs-izsildītājs

1200

V

V =150 °C

Izslēgšanas-izslēgšanas spriegums

±20

V

I C

Kolektora strāva @ T C =25 °C

@ T C = 100°C

300

200

A

I CM

Impulsu kolektora strāva t p =1 Lūdzu

400

A

I F

Dioda nepārtrauktajā priekšējā kursorā īrvalde

200

A

I FM

Diodes maksimālā priekšējā strāva t p =1ms

400

A

p D

Maksimālā jauda Dissipācija @ T j =1 75°C

1119

Platums

T jmax

Maksimālā savienojuma temperatūra

175

°C

T žop

Darbības savienojuma temperatūra

-40 līdz +150

°C

T STG

uzglabāšanas temperatūra Diapazons

-40 līdz +125

°C

V ISO

Izolācijas spriegums RMS,f=50Hz,t=1 min

4000

V

Montāža Nomākšanas

Jautājumu termināla skrūvs:M6

Pievienošanas skrūvs:M6

2,5 līdz 5.0

3,0 līdz 5.0

N.m.

Svars

Masas modulis

300

G

Sīkāku informāciju

Parametrs

Testēšanas apstākļi

Min.

Tips.

Max.

Vienības

V (BR )Tips

Sadarbības partneris

Slēgšanas spriegums

T j =25 °C

1200

V

I Tips

Kolektors Izgriežts -Izslēgt

Pašreiz

V CE = V Tips ,V ĢEN =0V, T j =25 °C

5.0

mA

I =150 °C

Izslēguma emitenta noplūde Pašreiz

V ĢEN = V =150 °C ,V CE =0V, T j =25 °C

400

nA

Sīkāku informāciju

Parametrs

Testēšanas apstākļi

Min.

Tips.

Max.

Vienības

V ĢEN (ts )

Vārda emitenta slieksnis Spriegums

I C =7.6 mA ,V CE = V ĢEN , T j =25 °C

5.1

5.8

6.4

V

V CE (sat)

Saņēmējs - emitents

Sātumapstrādes spriegums

I C =200A,V ĢEN Kolektora-emiteru piesātinājums T j =25 °C

2.05

2.45

V

I C =200A,V ĢEN Kolektora-emiteru piesātinājums T j =125 °C

2.40

Sīkāku informāciju

Parametrs

Testēšanas apstākļi

Min.

Tips.

Max.

Vienības

T D (ieslēgta )

Slēgšanas kavējuma laiks

V CC = 600V,I C =200A, r G =4.7Ω,V ĢEN =±15V, T j =25 °C

362

ns

T r

Atkāpšanās laiks

112

ns

T D (Izslēgt )

Izslēgt Atlikušais laiks

378

ns

T F

Nolieku laiks

115

ns

E ieslēgta

Slēgt Pārslēgšana

zaudējumi

17.4

mJ

E Izslēgt

Izslēgtas

zaudējumi

9.50

mJ

T D (ieslēgta )

Slēgšanas kavējuma laiks

V CC = 600V,I C =200A, r G =4.7Ω,V ĢEN =±15V, T j = 125°C

364

ns

T r

Atkāpšanās laiks

113

ns

T D (Izslēgt )

Izslēgt Atlikušais laiks

405

ns

T F

Nolieku laiks

125

ns

E ieslēgta

Slēgt Pārslēgšana

zaudējumi

21.5

mJ

E Izslēgt

Izslēgtas

zaudējumi

15.4

mJ

C 125 °C

ies

V CE =25V, f=1MHz,

V ĢEN =0V

12.3

MHz

C pretestība

Atgriezītais pārvedums

Jauda

0.69

MHz

I SC

SC dati

T p ≤ 10 μs,V ĢEN =15 V,

T j =125 °C, V CC = 900V, V CEM ≤ 1200V

800

A

r Gint

Iekšējā vārtu pretestība - - - -

3.8

Ω

Garums CE

Neatklāta induktantība

20

nH

r CC+EE

Modula vads

pretestība,

termināls uz čipu

0.35

mΩ

Sīkāku informāciju

Parametrs

Testēšanas apstākļi

Min.

Tips.

Max.

Vienības

V F

Diode uz priekšu

Spriegums

I F =200A

T j =25 °C

1.95

2.35

V

T j =125 °C

2.05

Q r

Atgūstas

Uzlāde

I F =200A,

V r =600V,

r G =4,7Ω,

V ĢEN =-15V

T j =25 °C

10.1

μC

T j =125 °C

21.5

I RM

Augstais augstums

atgūšanas strāvas

T j =25 °C

113

A

T j =125 °C

170

E Rec

Atgriezeniska atgūšana enerģija

T j =25 °C

5.07

mJ

T j =125 °C

13.6