IGBT modulis 1200V

Sīkāku informāciju

Apraksts

vērtību

Drošības un drošības politika

V Tips

Sildītājs-izsildītājs

1200

V

V =150 °C

Izslēgšanas-izslēgšanas spriegums

±30

V

I C

Kolektora strāva @ T C =25 O C

@ T C = 85 O C

285

200

A

I CM

Impulsu kolektora strāva t p =1ms

400

A

p D

Maksimālā jauda Dissipācija @ T =175 O C

882

Platums

Sīkāku informāciju

Apraksts

vērtību

Drošības un drošības politika

V RRM

Atkārtojams maksimālais atkārtots spriegums

1200

V

I F

Dioda nepārtrauktajā priekšējā kursorā īrvalde

200

A

I FM

Diodes maksimālā priekšējā strāva t p =1ms

400

A

Sīkāku informāciju

Apraksts

vērtību

Drošības un drošības politika

T jmax

Maksimālā savienojuma temperatūra

175

O C

T žop

Darbības savienojuma temperatūra

-40 līdz +150

O C

T STG

uzglabāšanas temperatūra Diapazons

-40 līdz +125

O C

V ISO

Izolācijas spriegums RMS,f=50Hz,t=1 min

4000

V

Sīkāku informāciju

Parametrs

Testēšanas apstākļi

Min.

Tips.

Max.

Drošības un drošības politika

V CE (sat)

Saņēmējs - emitents

Sātumapstrādes spriegums

I C =200A,V ĢEN Kolektora-emiteru piesātinājums T j =25 O C

1.70

2.15

V

I C =200A,V ĢEN Kolektora-emiteru piesātinājums T j =125 O C

1.95

I C =200A,V ĢEN Kolektora-emiteru piesātinājums T j = 150 O C

2.00

V ĢEN (ts )

Vārda emitenta slieksnis Spriegums

I C =8.0 mA ,V CE = V ĢEN , T j =25 O C

5.0

5.9

6.5

V

I Tips

Kolektors Izgriežts -Izslēgt

Pašreiz

V CE = V Tips ,V ĢEN =0V,

T j =25 O C

1.0

mA

I =150 °C

Izslēguma emitenta noplūde Pašreiz

V ĢEN = V =150 °C ,V CE =0V, T j =25 O C

200

nA

r Gint

Iekšējā vārtu pretestība - - - -

2.0

Ω

C 125 °C

ies

V CE =30V,f=1MHz,

V ĢEN =0V

17.0

MHz

C pretestība

Atgriezītais pārvedums

Jauda

0.55

MHz

Q G

nF

V ĢEN =-15...+15V

1.07

μC

T D (ieslēgta )

Slēgšanas kavējuma laiks

V CC = 600V,I C =200A, r G = 1.0Ω,V ĢEN =±15V, T j =25 O C

296

ns

T r

Atkāpšanās laiks

77

ns

T D (Izslēgt )

Izslēgt Atlikušais laiks

391

ns

T F

Nolieku laiks

172

ns

E ieslēgta

Slēgt Pārslēgšana

zaudējumi

4.25

mJ

E Izslēgt

Izslēgtas

zaudējumi

16.2

mJ

T D (ieslēgta )

Slēgšanas kavējuma laiks

V CC = 600V,I C =200A, r G = 1.0Ω,V ĢEN =±15V, T j = 125O C

272

ns

T r

Atkāpšanās laiks

79

ns

T D (Izslēgt )

Izslēgt Atlikušais laiks

423

ns

T F

Nolieku laiks

232

ns

E ieslēgta

Slēgt Pārslēgšana

zaudējumi

6.45

mJ

E Izslēgt

Izslēgtas

zaudējumi

22.6

mJ

T D (ieslēgta )

Slēgšanas kavējuma laiks

V CC = 600V,I C =200A, r G = 1.0Ω,V ĢEN =±15V, T j = 150O C

254

ns

T r

Atkāpšanās laiks

80

ns

T D (Izslēgt )

Izslēgt Atlikušais laiks

430

ns

T F

Nolieku laiks

280

ns

E ieslēgta

Slēgt Pārslēgšana

zaudējumi

8.30

mJ

E Izslēgt

Izslēgtas

zaudējumi

24.3

mJ

I SC

SC dati

T p ≤ 10 μs,V ĢEN Kolektora-emiteru piesātinājums

T j = 150 O C,V CC = 900V, V CEM ≤ 1200V

800

A

Sīkāku informāciju

Parametrs

Testēšanas apstākļi

Min.

Tips.

Max.

Drošības un drošības politika

V F

Diode uz priekšu

Spriegums

I F =200A,V ĢEN =0V,T j =25 O C

1.70

2.15

V

I F =200A,V ĢEN =0V,T j = 125O C

1.65

I F =200A,V ĢEN =0V,T j = 150O C

1.65

Q r

Atgūstamā nodeva

V r = 600V,I F =200A,

-di/dt=5400A/μs,V ĢEN =-15V T j =25 O C

18.5

μC

I RM

Augstais augstums

atgūšanas strāvas

240

A

E Rec

Atgriezeniska atgūšana enerģija

8.10

mJ

Q r

Atgūstamā nodeva

V r = 600V,I F =200A,

-di/dt=5400A/μs,V ĢEN =-15V T j = 125O C

33.5

μC

I RM

Augstais augstums

atgūšanas strāvas

250

A

E Rec

Atgriezeniska atgūšana enerģija

14.5

mJ

Q r

Atgūstamā nodeva

V r = 600V,I F =200A,

-di/dt=5400A/μs,V ĢEN =-15V T j = 150O C

38.5

μC

I RM

Augstais augstums

atgūšanas strāvas

260

A

E Rec

Atgriezeniska atgūšana enerģija

16.0

mJ

Sīkāku informāciju

Parametrs

Min.

Tips.

Max.

Drošības un drošības politika

Garums CE

Neatklāta induktantība

30

nH

r CC+EE

Modulā ir svina pretestība, no terminala līdz čipu

0.75

mΩ

r TJC

Savienojums ar lietu (par IGB) T)

Savienojums ar kārtu (par D) jods)

0.170

0.280

K/W

r tCH

Izmērs: IGBT)

Izmantojiet šo metodi, lai noteiktu temperatūras līmeni. diodes)

Izmērs: Modulis)

0.161

0.265

0.050

K/W

m

terminala savienojuma griezes moments, M5 skrūvis Monta griezes moments, M6 skrūvis

2.5

3.0

5.0

5.0

N.m.

G

Svars of modulis

150

G