GD200HFL120C8S, IGBT modulis, STARPOWER

GD200HFL120C8S,IGBT Modulis,STARPOWER

1200V 200A

Brand:

STARPOWER

Spu:

GD200HFL120C8S

Īss ievads

IGBT modulis ,izgatavots uzņēmumā STARPOWER. 1200V 200A.

Iespējas

Tipiskas lietošanas metodes

Absolūta Maksimālā Reitingu rādītāji T C =25 °C ja norādīts atzīmēts

Sīkāku informāciju	Apraksts	GD200HFL120C8S	Vienības
V Tips	Sildītājs-izsildītājs	1200	V
V =150 °C	Izslēgšanas-izslēgšanas spriegums	± 20	V
I C	Kolektora strāva @ T C = 25°C @ T C =80 °C	400	A
I C	Kolektora strāva @ T C = 25°C @ T C =80 °C	200	A
I CM (1)	Impulsu kolektora strāva t p =1ms	400	A
I F	Dioda nepārtraukta tālvadība	200	A
I FM	Diodes maksimālā priekšējā strāva t p =1ms	400	A
p D	Maksimālā jauda Dissipācija @ T j = 175°C	1402	Platums
T jmax	Maksimālā savienojuma temperatūra	175	°C
T žop	Darbības savienojuma temperatūra	-40 līdz +150	°C
T STG	Uzglabāšanas temperatūras diapazons	-40 līdz +125	°C
V ISO	Izolācijas spriegums RMS,f=50Hz,t=1min	2500	V
Montāža Nomākšanas	Jautājumu termināla skrūvs:M5	2,5 līdz 5.0	N.m.
Montāža Nomākšanas	Montāža Šķirbju:M6	3,0 līdz 5.0	N.m.

Piezīmes:

(1) Atkārtošanās Novērtējums : pulss platums ierobežotas Ar max . Savienojums Temperatūra

Elektromekhāniskais raksturlielumi of IGBT T C =25 °C ja norādīts atzīmēts

Neattīrīti

Sīkāku informāciju	Parametrs	Testēšanas apstākļi	Min.	Tips.	Max.	Vienības
V (BR )Tips	Sadarbības partneris Slēgšanas spriegums	T j =25 °C	1200			V
I Tips	Kolektors Izgriežts -Izslēgt Pašreiz	V CE = V Tips ,V ĢEN =0V, T j =25 °C			5.0	mA
I =150 °C	Izslēguma emitenta noplūde Pašreiz	V ĢEN = V =150 °C ,V CE =0V, T j =25 °C			400	nA

Par raksturlielumiem

Sīkāku informāciju	Parametrs	Testēšanas apstākļi	Min.	Tips.	Max.	Vienības
V ĢEN (ts )	Vārda emitenta slieksnis Spriegums	I C =8.0 mA ,V CE = V ĢEN , T j =25 °C	5.0	6.2	7.0	V
V CE (sat)	Saņēmējs - emitents Sātumapstrādes spriegums	I C =200A,V ĢEN Kolektora-emiteru piesātinājums T j =25 °C		1.90	2.35	V
V CE (sat)	Saņēmējs - emitents Sātumapstrādes spriegums	I C =200A,V ĢEN Kolektora-emiteru piesātinājums T j = 125°C		2.10		V

Izmaiņas īpašībās

Sīkāku informāciju	Parametrs	Testēšanas apstākļi	Min.	Tips.	Max.	Vienības
T D (ieslēgta )	Slēgšanas kavējuma laiks	V CC = 600V,I C =200A, r G =5.1Ω,V ĢEN = ± 15 V, T j =25 °C		437		ns
T r	Atkāpšanās laiks			75		ns
T D (Izslēgt )	Izslēgt Atlikušais laiks			436		ns
T F	Nolieku laiks			165		ns
E ieslēgta	Slēpšanas pārvēršana zaudējumi			10.0		mJ
E Izslēgt	Izslēgtas zaudējumi			15.0		mJ
T D (ieslēgta )	Slēgšanas kavējuma laiks	V CC = 600V,I C =200A, r G =5.1Ω,V ĢEN = ± 15 V, T j = 125°C		445		ns
T r	Atkāpšanās laiks			96		ns
T D (Izslēgt )	Izslēgt Atlikušais laiks			488		ns
T F	Nolieku laiks			258		ns
E ieslēgta	Slēpšanas pārvēršana zaudējumi			15.9		mJ
E Izslēgt	Izslēgtas zaudējumi			22.3		mJ
C 125 °C	ies	V CE =25V, f=1MHz, V ĢEN =0V		14.9		MHz
C ejs	Izvades jauda			1.04		MHz
C pretestība	Atgriezītais pārvedums Jauda			0.68		MHz
I SC	SC dati	T s C ≤ 10 μs, V ĢEN Kolektora-emiteru piesātinājums T j =125 °C V CC = 900V, V CEM ≤ 1200V		1200		A
r Gint	Iekšējā vārsta pretestība Pretestība			1.0		Ω
Garums CE	Neatklāta induktantība				26	nH
r CC + EE ’	Modula vedlejuma pretestība c) termināls uz čipu	T C =25 °C		0.62		m Ω

Elektromekhāniskais raksturlielumi of Dioda T C =25 °C ja norādīts atzīmēts

Sīkāku informāciju	Parametrs	Testēšanas apstākļi		Min.	Tips.	Max.	Vienības
V F	Diode uz priekšu Spriegums	I F =200A	T j =25 °C		1.82	2.25	V
V F	Diode uz priekšu Spriegums	I F =200A	T j = 125°C		1.95		V
Q r	Atgūstamā nodeva	I F =200A, V r = 600 V, di/dt=-2370A/μs, V ĢEN =- 15V	T j =25 °C		16.6		μC
Q r	Atgūstamā nodeva		T j = 125°C		29.2		μC
I RM	Augstais augstums atgūšanas strāvas		T j =25 °C		156		A
I RM	Augstais augstums atgūšanas strāvas		T j = 125°C		210		A
E Rec	Atgriezeniska atgūšana enerģija		T j =25 °C		9.3		mJ
E Rec	Atgriezeniska atgūšana enerģija		T j = 125°C		16.0		mJ

Termisko raksturlielumu rādītājs ics

Sīkāku informāciju	Parametrs	Tips.	Max.	Vienības
r θ JC	Savienojums ar lietu (pa IG) BT)		0.107	K/W
r θ JC	Savienojums ar kārtu (par D) jods)		0.198	K/W
r θ CS	(Vidēja tauku un (attiecīgi)	0.046		K/W
Svars	Svars of modulis	200		G