IGBT modulis 1200V

Sīkāku informāciju

Apraksts

GD200HFL120C2S

Vienības

V Tips

Sildītājs-izsildītājs

1200

V

V =150 °C

Izslēgšanas-izslēgšanas spriegums

± 20

V

I C

Kolektora strāva @ T C = 25°C

@ T C = 100°C

360

A

200

I CM

Impulsu kolektora strāva t p =1ms

400

A

I F

Dioda nepārtraukta tālvadība

200

A

I FM

Dioda maksimālais priekšējais krustpunkts īrvalde

400

A

p D

Maksimālā jauda Dissipācija @ T j = 175°C

1364

Platums

T j

Maksimālā savienojuma temperatūra

175

°C

T žop

Darbības savienojuma temperatūra

-40 līdz +150

°C

T STG

Uzglabāšanas temperatūras diapazons

-40 līdz +125

°C

V ISO

Izolācijas spriegums RMS,f=50Hz,t=1min

4000

V

Pievienošanas griezes moments

Jautājumu termināla skrūvs:M6

2,5 līdz 5.0

N.m.

Montāža Šķirbju:M6

3,0 līdz 5.0

N.m.

Sīkāku informāciju

Parametrs

Testēšanas apstākļi

Min.

Tips.

Max.

Vienības

V (BR )Tips

Sadarbības partneris

Slēgšanas spriegums

T j =25 °C

1200

V

I Tips

Kolektors Izgriežts -Izslēgt Pašreiz

V CE = V Tips ,V ĢEN =0V, T j =25 °C

5.0

mA

I =150 °C

Izslēguma emitenta noplūde

Pašreiz

V ĢEN = V =150 °C ,V CE =0V, T j =25 °C

400

nA

Sīkāku informāciju

Parametrs

Testēšanas apstākļi

Min.

Tips.

Max.

Vienības

V ĢEN (ts )

Vārda emitenta slieksnis

Spriegums

I C =8.0 mA ,V CE = V ĢEN , T j =25 °C

5.0

6.2

7.0

V

V CE (sat)

Saņēmējs - emitents

Sātumapstrādes spriegums

I C =200A,V ĢEN Kolektora-emiteru piesātinājums T j =25 °C

1.90

2.35

V

I C =200A,V ĢEN Kolektora-emiteru piesātinājums T j = 125°C

2.10

Sīkāku informāciju

Parametrs

Testēšanas apstākļi

Min.

Tips.

Max.

Vienības

T D (ieslēgta )

Slēgšanas kavējuma laiks

V CC = 600V,I C =200A, r G =5.1Ω,V ĢEN = ± 15 V, T j =25 °C

437

ns

T r

Atkāpšanās laiks

75

ns

T D (Izslēgt )

Izslēgt Atlikušais laiks

436

ns

T F

Nolieku laiks

165

ns

E ieslēgta

Slēpšanas pārvēršana

zaudējumi

10.0

mJ

E Izslēgt

Izslēgtas

zaudējumi

15.0

mJ

T D (ieslēgta )

Slēgšanas kavējuma laiks

V CC = 600V,I C =200A, r G =5.1Ω,V ĢEN = ± 15 V, T j = 125°C

445

ns

T r

Atkāpšanās laiks

96

ns

T D (Izslēgt )

Izslēgt Atlikušais laiks

488

ns

T F

Nolieku laiks

258

ns

E ieslēgta

Slēpšanas pārvēršana

zaudējumi

15.9

mJ

E Izslēgt

Izslēgtas

zaudējumi

22.3

mJ

C 125 °C

ies

V CE =25V, f=1MHz,

V ĢEN =0V

14.9

MHz

C ejs

Izvades jauda

1.04

MHz

C pretestība

Atgriezītais pārvedums

Jauda

0.68

MHz

I SC

SC dati

T s C ≤ 10 μs, V ĢEN Kolektora-emiteru piesātinājums T j =125 °C V CC = 900V, V CEM ≤ 1200V

1200

A

r Gint

Iekšējā vārsta pretestība Pretestība

1.0

Ω

Garums CE

Neatklāta induktantība

20

nH

r CC + EE ’

Modula vedlejuma pretestība c) termināls uz čipu

T C =25 °C

0.35

m Ω

Sīkāku informāciju

Parametrs

Testēšanas apstākļi

Min.

Tips.

Max.

Vienības

V F

Diode uz priekšu

Spriegums

I F =200A

T j =25 °C

1.82

2.25

V

T j = 125°C

1.95

Q r

Atgūstamā nodeva

I F =200A,

V r = 600 V,

di/dt=-2370A/μs, V ĢEN =- 15V

T j =25 °C

16.6

μC

T j = 125°C

29.2

I RM

Augstais augstums

atgūšanas strāvas

T j =25 °C

156

A

T j = 125°C

210

E Rec

Atgriezeniska atgūšana enerģija

T j =25 °C

9.3

mJ

T j = 125°C

16.0

Sīkāku informāciju

Parametrs

Tips.

Max.

Vienības

r θ JC

Savienojums ar lietu (pa IG) BT)

0.11

K/W

r θ JC

Savienojums ar korpusu (par Di) ode)

0.14

K/W

r θ CS

(Vidēja tauku un (attiecīgi)

0.035

K/W

Svars

Svars of modulis

300

G