GD200HFK120C2S, IGBT modulis, STARPOWER

1200V 200A

Brand:

STARPOWER

Spu:

GD200HFK120C2S

Īss ievads

IGBT modulis ,izgatavots uzņēmumā STARPOWER. 1200V 200A.

Iespējas

Tipiskas lietošanas metodes

Absolūta Maksimālā Reitingu rādītāji T C =25 °C ja norādīts atzīmēts

Sīkāku informāciju	Apraksts	GD200HFK120C2S	Vienības
V Tips	Sildītājs-izsildītājs	1200	V
V =150 °C	Izslēgšanas-izslēgšanas spriegums	±20	V
I C	Kolektora strāva @ T C =25 °C @ T C =80 °C	360 200	A
I CM	Impulsu kolektora strāva t p =1 Lūdzu	400	A
I F	Dioda nepārtrauktajā priekšējā kursorā īrvalde	200	A
I FM	Diodes maksimālā priekšējā strāva t p =1ms	400	A
p D	Maksimālā jauda Dissipācija @ T j =1 50°C	1344	Platums
T jmax	Maksimālā savienojuma temperatūra	150	°C
T žop	Darbības savienojuma temperatūra	-40 līdz +125	°C
T STG	uzglabāšanas temperatūra Diapazons	-40 līdz +125	°C
V ISO	Izolācijas spriegums RMS,f=50Hz,t=1 min	4000	V
Montāža Nomākšanas	Jautājumu termināla skrūvs:M6 Pievienošanas skrūvs:M6	2,5 līdz 5.0 3,0 līdz 5.0	N.m.
Svars	Masas modulis	300	G

Elektromekhāniskais raksturlielumi of IGBT T C =25 °C ja norādīts atzīmēts

Neattīrīti

Sīkāku informāciju	Parametrs	Testēšanas apstākļi	Min.	Tips.	Max.	Vienības
V (BR )Tips	Sadarbības partneris Slēgšanas spriegums	T j =25 °C	1200			V
I Tips	Kolektors Izgriežts -Izslēgt Pašreiz	V CE = V Tips ,V ĢEN =0V, T j =25 °C			5.0	mA
I =150 °C	Izslēguma emitenta noplūde Pašreiz	V ĢEN = V =150 °C ,V CE =0V, T j =25 °C			400	nA

Par raksturlielumiem

Sīkāku informāciju	Parametrs	Testēšanas apstākļi	Min.	Tips.	Max.	Vienības
V ĢEN (ts )	Vārda emitenta slieksnis Spriegums	I C =2.0 mA ,V CE = V ĢEN , T j =25 °C	4.4	5.1	6.0	V
V CE (sat)	Saņēmējs - emitents Sātumapstrādes spriegums	I C =200A,V ĢEN Kolektora-emiteru piesātinājums T j =25 °C		2.20	2.65	V
V CE (sat)	Saņēmējs - emitents Sātumapstrādes spriegums	I C =200A,V ĢEN Kolektora-emiteru piesātinājums T j =125 °C		2.50		V

Izmaiņas īpašībās

Sīkāku informāciju	Parametrs	Testēšanas apstākļi	Min.	Tips.	Max.	Vienības
T D (ieslēgta )	Slēgšanas kavējuma laiks	V CC = 600V,I C =200A, r G =3.4Ω,V ĢEN =±15V, T j =25 °C		329		ns
T r	Atkāpšanās laiks			76		ns
T D (Izslēgt )	Izslēgt Atlikušais laiks			350		ns
T F	Nolieku laiks			142		ns
E ieslēgta	Slēgt Pārslēgšana zaudējumi			14.6		mJ
E Izslēgt	Izslēgtas zaudējumi			14.8		mJ
T D (ieslēgta )	Slēgšanas kavējuma laiks	V CC = 600V,I C =200A, r G =3.4Ω,V ĢEN =±15V, T j = 125°C		351		ns
T r	Atkāpšanās laiks			77		ns
T D (Izslēgt )	Izslēgt Atlikušais laiks			382		ns
T F	Nolieku laiks			183		ns
E ieslēgta	Slēgt Pārslēgšana zaudējumi			19.2		mJ
E Izslēgt	Izslēgtas zaudējumi			19.9		mJ
C 125 °C	ies	V CE =30V,f=1MHz, V ĢEN =0V		17.2		MHz
C ejs	Izvades jauda			1.60		MHz
C pretestība	Atgriezītais pārvedums Jauda			0.64		MHz
I SC	SC dati	T p ≤ 10 μs,V ĢEN =15 V, T j =125 °C, V CC = 900V, V CEM ≤ 1200V		1600		A
r Gint	Iekšējā vārtu pretestība - - - -			2.0		Ω
Garums CE	Neatklāta induktantība				20	nH
r CC+EE	Modula vads pretestība, termināls uz čipu			0.35		mΩ

Elektromekhāniskais raksturlielumi of Dioda T C =25 °C ja norādīts atzīmēts

Sīkāku informāciju	Parametrs	Testēšanas apstākļi		Min.	Tips.	Max.	Vienības
V F	Diode uz priekšu Spriegums	I F =200A	T j =25 °C		1.95	2.35	V
V F	Diode uz priekšu Spriegums	I F =200A	T j =125 °C		1.85		V
Q r	Atgūstas Uzlāde	I F =200A, V r =600V, r G =3.4Ω, V ĢEN =-15V	T j =25 °C		13.4		μC
Q r	Atgūstas Uzlāde		T j =125 °C		26.6		μC
I RM	Augstais augstums atgūšanas strāvas		T j =25 °C		160		A
I RM	Augstais augstums atgūšanas strāvas		T j =125 °C		203		A
E Rec	Atgriezeniska atgūšana enerģija		T j =25 °C		8.16		mJ
E Rec	Atgriezeniska atgūšana enerģija		T j =125 °C		14.4		mJ

Termisko raksturlielumu rādītājs ics

Sīkāku informāciju	Parametrs	Tips.	Max.	Vienības
r θ JC	Savienojums ar lietu (par IGB) T)		0.093	K/W
r θ JC	Savienojums ar kārtu (par D) jods)		0.193	K/W
r θ CS	"Case-to-Sink" (vadītais tauku aplikācija) (izmantots)	0.035		K/W