IGBT modulis 1200V

Sīkāku informāciju

Apraksts

GD1200HFT120C3S

Vienības

V Tips

Sildītājs-izsildītājs

1200

V

V =150 °C

Izslēgšanas-izslēgšanas spriegums

± 20

V

I C

@ T C =25 °C

@ T C =80 °C

1800

A

1200

I CM (1)

Impulsu kolektora strāva t p = Diodes maksimālā uzpriekšējā

2400

A

I F

Dioda nepārtraukta tālvadība

1200

A

I FM

Dioda maksimālais priekšējais krustpunkts īrvalde

2400

A

p D

Maksimālā jauda Dissipācija @ T j = 150°C

5.2

KW

T j

Maksimālā savienojuma temperatūra

150

°C

T STG

Uzglabāšanas temperatūras diapazons

-40 līdz +125

°C

V ISO

Izolācijas spriegums RMS,f=50Hz,t=1min

2500

V

Montāža

Sistēmas signāla termināls Šķirbju:M4

Jaudas termināls Šķirbju:M8

1.8 līdz 2.1

8.0 līdz 10

N.m.

Nomākšanas

Montāža Šķirbju:M6

4.25 līdz 5.75

Sīkāku informāciju

Parametrs

Testēšanas apstākļi

Min.

Tips.

Max.

Vienības

V (BR )Tips

Sadarbības partneris

Slēgšanas spriegums

T j =25 °C

1200

V

I Tips

Kolektors Izgriežts -Izslēgt Pašreiz

V CE = V Tips ,V ĢEN =0V,

T j =25 °C

5.0

mA

I =150 °C

Izslēguma emitenta noplūde

Pašreiz

V ĢEN = V =150 °C ,V CE =0V,

T j =25 °C

400

nA

Sīkāku informāciju

Parametrs

Testēšanas apstākļi

Min.

Tips.

Max.

Vienības

V ĢEN (ts )

Vārda emitenta slieksnis

Spriegums

I C =48 mA ,V CE = V ĢEN , T j =25 °C

5.0

5.8

6.5

V

V CE (sat)

Saņēmējs - emitents

Sātumapstrādes spriegums

I C = 1200A,V ĢEN Kolektora-emiteru piesātinājums T j =25 °C

1.70

2.15

V

I C = 1200A,V ĢEN Kolektora-emiteru piesātinājums T j = 125°C

2.00

2.45

Sīkāku informāciju

Parametrs

Testēšanas apstākļi

Min.

Tips.

Max.

Vienības

Q G

nF

V ĢEN =- 15...+15V

11.5

μC

T D (ieslēgta )

Slēgšanas kavējuma laiks

V CC = 600V,I C =1200A,

r Gons =2,4Ω,

r Goff =0.82Ω,

V ĢEN = ± 15V,T j =25 °C

600

ns

T r

Atkāpšanās laiks

230

ns

T D (Izslēgt )

Izslēgt Atlikušais laiks

820

ns

T F

Nolieku laiks

150

ns

E ieslēgta

Slēgt Izmaiņas zaudējumi

/

mJ

E Izslēgt

Izslēgšanas slēgšanas zudums

/

mJ

T D (ieslēgta )

Slēgšanas kavējuma laiks

V CC = 600V,I C =1200A,

r Gons =2,4Ω,

r Goff =0.82Ω,

V ĢEN = ± 15V,T j = 125°C

660

ns

T r

Atkāpšanās laiks

220

ns

T D (Izslēgt )

Izslēgt Atlikušais laiks

960

ns

T F

Nolieku laiks

180

ns

E ieslēgta

Slēgt Izmaiņas zaudējumi

246

mJ

E Izslēgt

Izslēgšanas slēgšanas zudums

191

mJ

C 125 °C

ies

V CE =25V, f=1MHz,

V ĢEN =0V

86.1

MHz

C ejs

Izvades jauda

4.50

MHz

C pretestība

Atgriezītais pārvedums

Jauda

3.90

MHz

I SC

SC dati

T s C ≤ 10 μs, V ĢEN Kolektora-emiteru piesātinājums T j =125 °C V CC = 900V,

V CEM ≤ 1200V

4800

A

Garums CE

Neatklāta induktantība

20

nH

r CC + EE ’

Modula vedlejuma pretestība e, termināls uz čipu

T C =25 °C

0.18

m Ω

Sīkāku informāciju

Parametrs

Testēšanas apstākļi

Min.

Tips.

Max.

Vienības

V F

Diode uz priekšu

Spriegums

I F = 1200A

T j =25 °C

1.65

2.15

V

T j = 125°C

1.65

2.15

Q r

Dioda atkārtots

atgūstamās izmaksas

I F = 1200A,

V r =600V,

r Gons =2,4Ω,

V ĢEN =- 15V

T j =25 °C

69

μC

T j = 125°C

129

I RM

Dioda virsmas

Atgriezeniska atgūšana Pašreiz

T j =25 °C

485

A

T j = 125°C

623

E Rec

Atgriezeniska atgūšana enerģija

T j =25 °C

32

mJ

T j = 125°C

60

Sīkāku informāciju

Parametrs

Tips.

Max.

Vienības

r θ JC

Savienojums ar lietu (par IGB) T)

24

K/kW

r θ JC

Savienojums ar korpusu (par Di) ode)

43

K/kW

r θ CS

Korpuss uz siltuma izkliedētāju

(Pielieto konduktīva tauku, Modulis)

6

K/kW

Svars

Masas modulis

1500

G