IGBT modulis 1200V

Sīkāku informāciju

Apraksts

GD1200HFL120C3S

Vienības

V Tips

Sildītājs-izsildītājs

1200

V

V =150 °C

Izslēgšanas-izslēgšanas spriegums

±20

V

I C

Kolektora strāva @ T C =25 °C

@ T C = 100°C

1900

1200

A

I CM

Impulsu kolektora strāva t p =1 Lūdzu

2400

A

I F

Dioda nepārtrauktajā priekšējā kursorā īrvalde

1200

A

I FM

Diodes maksimālā priekšējā strāva t p =1ms

2400

A

p D

Maksimālā jauda Dissipācija @ T j =1 75°C

6.41

KW

T jmax

Maksimālā savienojuma temperatūra

175

°C

T žop

Maksimālā savienojuma temperatūra

-40 līdz +150

°C

T STG

uzglabāšanas temperatūra Diapazons

-40 līdz +125

°C

V ISO

Izolācijas spriegums RMS,f=50Hz,t=1 min

4000

V

m

terminala savienojuma griezes moments, Skrūve M4

1.8 līdz 2.1

terminala savienojuma griezes moments, Skrūve M8

8.0 līdz 10

N.m.

Monta griezes moments, M6 skrūvis

4.25 līdz 5.75

G

Masas modulis

1500

G

Sīkāku informāciju

Parametrs

Testēšanas apstākļi

Min.

Tips.

Max.

Vienības

V (BR )Tips

Sadarbības partneris

Slēgšanas spriegums

T j =25 °C

1200

V

I Tips

Kolektors Izgriežts -Izslēgt

Pašreiz

V CE = V Tips ,V ĢEN =0V, T j =25 °C

5.0

mA

I =150 °C

Izslēguma emitenta noplūde Pašreiz

V ĢEN = V =150 °C ,V CE =0V, T j =25 °C

400

nA

Sīkāku informāciju

Parametrs

Testēšanas apstākļi

Min.

Tips.

Max.

Vienības

V ĢEN (ts )

Vārda emitenta slieksnis Spriegums

I C =48,0 mA ,V CE = V ĢEN , T j =25 °C

5.4

7.4

V

V CE (sat)

Saņēmējs - emitents

Sātumapstrādes spriegums

I C = 1200A,V ĢEN Kolektora-emiteru piesātinājums T j =25 °C

1.95

2.40

V

I C = 1200A,V ĢEN Kolektora-emiteru piesātinājums T j =125 °C

2.10

Sīkāku informāciju

Parametrs

Testēšanas apstākļi

Min.

Tips.

Max.

Vienības

T D (ieslēgta )

Slēgšanas kavējuma laiks

V CC = 600V,I C = 1200A, r Gons =2. 1Ω,R Goff =4.5Ω, V ĢEN =±15 V,T j =25 °C

200

ns

T r

Atkāpšanās laiks

135

ns

T D (Izslēgt )

Izslēgt Atlikušais laiks

1050

ns

T F

Nolieku laiks

130

ns

E ieslēgta

Slēgt Pārslēgšana

zaudējumi

136

mJ

E Izslēgt

Izslēgtas

zaudējumi

160

mJ

T D (ieslēgta )

Slēgšanas kavējuma laiks

V CC = 600V,I C = 1200A, r Gons =2. 1Ω,R Goff =4.5Ω, V ĢEN =±15 V,T j = 125°C

220

ns

T r

Atkāpšanās laiks

190

ns

T D (Izslēgt )

Izslēgt Atlikušais laiks

1150

ns

T F

Nolieku laiks

140

ns

E ieslēgta

Slēgt Pārslēgšana

zaudējumi

184

mJ

E Izslēgt

Izslēgtas

zaudējumi

208

mJ

C 125 °C

ies

V CE =25V, f=1MHz,

V ĢEN =0V

84.8

MHz

C pretestība

Atgriezītais pārvedums

Jauda

3.76

MHz

I SC

SC dati

T p ≤ 10 μs,V ĢEN =15 V,

T j =125 °C, V CC = 900V, V CEM ≤ 1200V

4500

A

r Gint

Iekšējā vārtu pretestība - - - -

2.7

Ω

Garums CE

Neatklāta induktantība

20

nH

r CC+EE

Modula vads

pretestība,

termināls uz čipu

0.18

mΩ

Sīkāku informāciju

Parametrs

Testēšanas apstākļi

Min.

Tips.

Max.

Vienības

V F

Diode uz priekšu

Spriegums

I F = 1200A

T j =25 °C

1.65

2.20

V

T j =125 °C

1.75

Q r

Atgūstas

Uzlāde

I F = 1200A,

V r =600V,

r Gons =2. 1Ω,

V ĢEN =-15V

T j =25 °C

400

μC

T j =125 °C

680

I RM

Augstais augstums

atgūšanas strāvas

T j =25 °C

1400

A

T j =125 °C

1840

E Rec

Atgriezeniska atgūšana enerģija

T j =25 °C

160

mJ

T j =125 °C

296

Sīkāku informāciju

Parametrs

Tips.

Max.

Vienības

r θ JC

Savienojums ar lietu (par IGB) T)

23.4

K/kW

r θ JC

Savienojums ar kārtu (par D) jods)

46.1

K/kW

r θ CS

"Case-to-Sink" (vadītais tauku aplikācija) (izmantots)

6

K/kW