IGBT modulis 1200V

Sīkāku informāciju

Apraksts

Vērtības

Drošības un drošības politika

V Tips

Sildītājs-izsildītājs

1200

V

V =150 °C

Izslēgšanas-izslēgšanas spriegums

±20

V

I CN

Izmantotais kolektors Cu īr

1000

A

I C

Kolektora strāva @ T F =75 O C

765

A

I CM

Impulsu kolektora strāva t p =1ms

2000

A

p D

Maksimālais jaudas izmešana cijas @ T F =75 O C ,T j =175 O C

1515

Platums

Sīkāku informāciju

Apraksts

Vērtības

Drošības un drošības politika

V RRM

Atkārtojams maksimālais atkārtots volts vecums

1200

V

I FN

Izmantotais kolektors Cu īr

1000

A

I F

Dioda nepārtraukta uz priekšu īr

765

A

I FM

Diodes maksimālā priekšējā strāva t p =1ms

2000

A

I FSM

Pārsprieguma uz priekšu strāva T p =10ms @ T j =25 O C @T j =150C

4100

3000

A

I 2T

I 2t-vērtība,t p =10ms@T j =25C @T j =150C

84000

45000

A 2s

Sīkāku informāciju

Apraksts

vērtību

Drošības un drošības politika

T jmax

Maksimālā savienojuma temperatūra

175

O C

T žop

Darbības savienojuma temperatūra

-40 līdz +150

O C

T STG

Uzglabāšanas temperatūras diapazons

-40 līdz +125

O C

V ISO

Izolācijas spriegums RMS,f=50Hz,t= 1 min.

2500

V

Sīkāku informāciju

Parametrs

Testēšanas apstākļi

Min.

Tips.

Max.

Drošības un drošības politika

V CE (sat)

Saņēmējs - emitents Sātumapstrādes spriegums

I C =1000A,V ĢEN Kolektora-emiteru piesātinājums T j =25 O C

1.45

1.90

V

I C =1000A,V ĢEN Kolektora-emiteru piesātinājums T j =125 O C

1.65

I C =1000A,V ĢEN Kolektora-emiteru piesātinājums T j =175 O C

1.80

V ĢEN (ts )

Vārda emitenta slieksnis Spriegums

I C =24.0 mA ,V CE = V ĢEN , T j =25 O C

5.5

6.3

7.0

V

I Tips

Kolektors Izgriežts -Izslēgt Pašreiz

V CE = V Tips ,V ĢEN =0V, T j =25 O C

1.0

mA

I =150 °C

Izslēguma emitenta noplūde Pašreiz

V ĢEN = V =150 °C ,V CE =0V, T j =25 O C

400

nA

r Gint

Iekšējā vārtu pretestība - - - -

0.5

Ω

C 125 °C

ies

V CE =25V, f=100kHz, V ĢEN =0V

51.5

MHz

C pretestība

Atgriezītais pārvedums Jauda

0.36

MHz

Q G

nF

V ĢEN =-15...+15V

13.6

μC

T D (ieslēgta )

Slēgšanas kavējuma laiks

V CC = 600V,I C = 900A, r G =0.51Ω, L s =40nH, V ĢEN =-8V/+15V,

T j =25 O C

330

ns

T r

Atkāpšanās laiks

140

ns

T d(izslēgt)

Izslēgt Atlikušais laiks

842

ns

T F

Nolieku laiks

84

ns

E ieslēgta

Slēgt Pārslēgšana zaudējumi

144

mJ

E Izslēgt

Izslēgtas zaudējumi

87.8

mJ

T D (ieslēgta )

Slēgšanas kavējuma laiks

V CC = 600V,I C = 900A, r G =0.51Ω, L s =40nH, V ĢEN =-8V/+15V,

T j =125 O C

373

ns

T r

Atkāpšanās laiks

155

ns

T d(izslēgt)

Izslēgt Atlikušais laiks

915

ns

T F

Nolieku laiks

135

ns

E ieslēgta

Slēgt Pārslēgšana zaudējumi

186

mJ

E Izslēgt

Izslēgtas zaudējumi

104

mJ

T D (ieslēgta )

Slēgšanas kavējuma laiks

V CC = 600V,I C = 900A, r G =0.51Ω, L s =40nH, V ĢEN =-8V/+15V,

T j =175 O C

390

ns

T r

Atkāpšanās laiks

172

ns

T d(izslēgt)

Izslēgt Atlikušais laiks

950

ns

T F

Nolieku laiks

162

ns

E ieslēgta

Slēgt Pārslēgšana zaudējumi

209

mJ

E Izslēgt

Izslēgtas zaudējumi

114

mJ

I SC

SC dati

T p ≤8μs, V ĢEN Kolektora-emiteru piesātinājums

T j = 150 O C,V CC = 800V, V CEM ≤ 1200V

3200

A

T p ≤ 6 μs, V ĢEN Kolektora-emiteru piesātinājums

T j =175 O C,V CC = 800V, V CEM ≤ 1200V

3000

A

Sīkāku informāciju

Parametrs

Testēšanas apstākļi

Min.

Tips.

Max.

Vienības

V F

Diode uz priekšu Spriegums

I F =1000A,V ĢEN =0V,T j = 25O C

1.60

2.05

V

I F =1000A,V ĢEN =0V,T j =125 O C

1.70

I F =1000A,V ĢEN =0V,T j =175 O C

1.60

Q r

Atgūstamā nodeva

V r = 600V,I F = 900A,

-di/dt=4930A/μs,V ĢEN =-8V, Garums s =40 nH ,T j =25 O C

91.0

μC

I RM

Augstais augstums

atgūšanas strāvas

441

A

E Rec

Atgriezeniska atgūšana enerģija

26.3

mJ

Q r

Atgūstamā nodeva

V r = 600V,I F = 900A,

-di/dt=4440A/μs,V ĢEN =-8V, Garums s =40 nH ,T j =125 O C

141

μC

I RM

Augstais augstums

atgūšanas strāvas

493

A

E Rec

Atgriezeniska atgūšana enerģija

42.5

mJ

Q r

Atgūstamā nodeva

V r = 600V,I F = 900A,

-di/dt=4160A/μs,V ĢEN =-8V, Garums s =40 nH ,T j =175 O C

174

μC

I RM

Augstais augstums

atgūšanas strāvas

536

A

E Rec

Atgriezeniska atgūšana enerģija

52.4

mJ

Sīkāku informāciju

Parametrs

Testēšanas apstākļi

Min.

Tips.

Max.

Drošības un drošības politika

r 25

Nominālais pretestība

5.0

kΩ

∆R/R

Atkāpe of r 100

T C =100 O C R 100= 493,3Ω

-5

5

%

p 25

Jauda

Zudums

20.0

mW

B 25/50

B vērtība

r 2=R 25eks [B 25/50 1/T 2- 1/(298.15K))]

3375

K

B 25/80

B vērtība

r 2=R 25eks [B 25/80 1/T 2- 1/(298.15K))]

3411

K

B 25/100

B vērtība

r 2=R 25eks [B 25/100 1/T 2- 1/(298.15K))]

3433

K

Sīkāku informāciju

Parametrs

Min.

Tips.

Max.

Drošības un drošības politika

Garums CE

Neatklāta induktantība

20

nH

r CC+EE

Modulā ir svina pretestība, no terminala līdz čipu

0.80

mΩ

r TJF

Savienojums -uz -dzesēšana Sūknis (perIGBT )Savienojuma-dzesēšanas šķidrums (par Di) ode) △ V/ △ t=10,0 DM 3/min ,T F =75 O C

0.066 0.092

K/W

m

terminala savienojuma griezes moments, M6 skrūvis Monta griezes moments, M5 skrūvis

3.0 3.0

6.0 6.0

N.m.

G

Svars of modulis

400

G